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- 6 篇 电气工程
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- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
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- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

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102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
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MOCVD氧化锌缓冲层生长与退火研究

MOCVD氧化锌缓冲层生长与退火研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：朱光耀顾书林朱顺明南京大学物理系和南京微结构国家重点实验室南京 210093

采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量和表面形貌的影响。结果表明：低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛... 详细信息

采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量和表面形貌的影响。结果表明：低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状生长模式转变为准二维层状生长模式;研究发现高温退火时氧气气氛下900℃是较合适的退火温度,可以最大限度的激活原子使之移动到合适的晶格位置,有利于晶体择优取向生长,而更高的温度将导致ZnO的分解,从而大大降低晶体质量。

关键词：氧化锌缓冲层表面形貌晶体质量表面粗糙度金属有机物化学汽相沉淀法

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LCD用LED背光中的取代滤色膜技术

LCD用LED背光中的取代滤色膜技术

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：范曼宁梁萌王国宏中科院半导体研究所照明研发中心北京 100083 中国

LED背光模组是LCD显示器件的重要部件之一,相比传统的冷阴极管CCFL背光,LED背光使得液晶显示有比较好的显示画质。基于LED背光的LCD显示拥有提升的显示效率,并且其显示色域可以达到NTSC标准的100％之上。我们采用一种将红绿色荧光粉按... 详细信息

LED背光模组是LCD显示器件的重要部件之一,相比传统的冷阴极管CCFL背光,LED背光使得液晶显示有比较好的显示画质。基于LED背光的LCD显示拥有提升的显示效率,并且其显示色域可以达到NTSC标准的100％之上。我们采用一种将红绿色荧光粉按比例混合,在450nm左右蓝光激发下生成RGB三基色,从而获得白光LED的方法。为了获得高质量的背光显示,采用多种荧光粉合成比例进行试验,最终通过实验比较,我们采用甩胶技术来形成荧光粉膜层,用蓝光LED背光源激发以便获得较好的色彩显示,色温区域以及较高的能量转换效率。另外,此种背光结构有益于LED组合的出光均匀性,并且相比于传统的背光结构,具有很高的色彩表现值和较好的色温值,同时可以简化LED背光结构。当然采用两种以上荧光粉导致的光转换效率低的问题,是作为LCD背光的LED封装所需要解决的。

关键词： LED背光结构 LCD显示器件 RGB三基色荧光粉液晶显示器光转换效率

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GaN基白光LED在直流与脉冲驱动下的性能比较

GaN基白光LED在直流与脉冲驱动下的性能比较

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：王力范冰丰冼钰伦王钢中山大学光电材料与技术国家重点实验室

GaN基白光LED以其效率高、响应快及尺寸小等优点,有望成为下一代的照明光源。但是要想取代传统照明光源,LED的光输出仍然是一个局限。提高光输出最直接的办法就是提高工作电流密度,但是光输出随着电流密度的增加会出现饱和,而且会带来... 详细信息

GaN基白光LED以其效率高、响应快及尺寸小等优点,有望成为下一代的照明光源。但是要想取代传统照明光源,LED的光输出仍然是一个局限。提高光输出最直接的办法就是提高工作电流密度,但是光输出随着电流密度的增加会出现饱和,而且会带来严重的热问题。为了解决这些问题,考虑了在照明领域用脉冲电流来驱动大功率LED的可能,比较了直流和脉冲两种情况下LED的性能表现,这些性能包括电学、光学和热学等各方面;详细讨论了脉冲信号的参数对光输出的影响。研究结果表明对于LED在照明方面的应用而言,在相同的电注入功率下,直流情况下LED的光通量要比脉冲情况下的光通量高。

关键词：氮化镓白光LED 直流脉冲热管理光通量

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高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：周建军张继华陈堂胜任春江焦刚李忠辉陈辰杨传仁单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016 电子科技大学微电了与同体电子学院成都 610054 电子科技大学微电了与固体电子学院成都 610054

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。... 详细信息

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低AlGaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有硅著降低,BST/AlGaN/GaN MIS HEMT器件的电流增益截止频率达到了23GHz。

关键词： GaN HEMT器件高介BST材料 MIS结构磁控溅射栅绝缘层

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Zn1-zMgzO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究

Zn1-zMgzO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：单正平顾书林朱顺明南京微结构国家实验室和南京大学物理系南京 210093

以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/sapphire为衬底,我们制备M-S-M结构的紫外探测... 详细信息

以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/sapphire为衬底,我们制备M-S-M结构的紫外探测器,在特定的偏压下,Ti/Zno基紫外探测器在380nm具有最高响应度0.14A/W,Ni/Mg0.36Zn0.64O基深紫外探测器在327nm具有最高响虑1.9×104A/W,并且其在紫外波长的峰值响应度均比见光450nm处的响应度高出两个数量级。

关键词：紫外探测器峰值响应度合金薄膜金属有机物化学气相沉积

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过渡族和稀土族元素掺杂氮化镓基稀磁半导体性能比较

过渡族和稀土族元素掺杂氮化镓基稀磁半导体性能比较

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵中国科学院半导体研究所材料中心北京 100083 中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083

GaN基稀磁半导体有望应用于未来的自旋电子器件领域,近年来得到各国学者的广泛关注。实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS... 详细信息

GaN基稀磁半导体有望应用于未来的自旋电子器件领域,近年来得到各国学者的广泛关注。实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析。结果表明,稀土族元素Gd、Sm掺杂的GaN样品在掺杂浓度远低于过渡族Mn、Cr掺杂样品的情况下,仍能得到相同量级的饱和磁化强度,计算得到的Gd、Sm离子有效磁矩近似甚至大于其原子本征磁矩,而Mn、Cr的离子有效磁矩远小于其原子本征磁矩,说明在过渡族和稀土族元素掺杂的GaN基稀磁半导体中,有着两种完全不同的磁耦合机制。

关键词：稀磁半导体氮化镓半导体性能自旋电子电子器件离子注入快速退火半导体薄膜

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AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂

AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：唐宁沈波韩奎卢芳超许福军秦志新张国义北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室

通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2DEG）的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯（SdH）振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼... 详细信息

通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2DEG）的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯（SdH）振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼自旋分裂能量和g的大小,发现由于交换相互作用,g比g有了显著的增加,同时g随着磁场的增大而增大,说明随着磁场的增大,电子与电子的交换相互作用增强。

关键词： AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气自旋

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基于面光源模型的光子晶体LED辐射特性

基于面光源模型的光子晶体LED辐射特性

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：招瑜范冰丰王钢中山大学光电材料与技术国家重点实验室

提出了一种用于计算具有光子晶体(PCs)图案的多层结构的面光源模型。此模型是基于多层散射法的计算方法,可处理二维无限大的光子晶体层结构。与传统的采用点光源作为器件辐射光源不同的是,把器件的发光近似看作由无穷多个点偶极子组成... 详细信息

提出了一种用于计算具有光子晶体(PCs)图案的多层结构的面光源模型。此模型是基于多层散射法的计算方法,可处理二维无限大的光子晶体层结构。与传统的采用点光源作为器件辐射光源不同的是,把器件的发光近似看作由无穷多个点偶极子组成的面辐射源,这种面光源模型与真实的面辐射器件,如发光二极管(LED),有机发光二极管(OLED)等的辐射机制相近,可得到更接近真实的发光特性。基于这个模型,计算了具有二维光子晶体图案的LED器件的发光特性。二维正方晶格和三角晶格光子晶体表面的LED的辐射的角分布光谱表明,具有光子晶体表面发光器件的出光有明显的增强。与传统的点偶极子模型的计算结果比较,面光源模型得到光谱的共振峰的强度较小,出光的空间分布也有所不同。两种模型结果不同,在三角晶格LED结构中尤为明显。对于LED卒取效率的计算同样表明,面光源得到的三角晶格结构卒取效率要比点光源的结果略低。

关键词：发光二极管光子晶体面光源

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AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究

AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：冯春王晓亮杨翠柏肖红领王翠梅侯奇峰马泽宇王军喜李晋闽王占国侯洵中国科学院半导体研究所材料中心中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室

研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10～10的CO气体的响应状况。在2 V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10的CO仍表现出了明显的响应（电流增大0.7 mA）,随着CO体积分数的升高,器件的... 详细信息

研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10～10的CO气体的响应状况。在2 V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10的CO仍表现出了明显的响应（电流增大0.7 mA）,随着CO体积分数的升高,器件的电流变化愈加明显,但在反向偏压下,通入CO气体对器件的电流大小无明显影响。对器件在不同体积分数CO下的灵敏度与外加偏压的关系也进行了研究,在正向偏压下,器件的灵敏度随着CO体积分数的升高而增大。当CO气体撤消时,器件表现出了迅速的恢复性能,2 V的恒定电压下,器件的恢复速度约为3 mA/min。

关键词： AlGaN-GaN 肖特基气体传感器氧化碳

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Zn1-xMgxO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究

Zn1-xMgxO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：单正平顾书林朱顺明南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

以MOCVD系统生长ZnMg-xO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的ZnMgO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31 eV覆盖到5.02 eV。以所生长的ZnMgO/蓝宝石为衬底,制备MSM结构的紫外探测器,在特定的偏压... 详细信息

以MOCVD系统生长ZnMg-xO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的ZnMgO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31 eV覆盖到5.02 eV。以所生长的ZnMgO/蓝宝石为衬底,制备MSM结构的紫外探测器,在特定的偏压下,Ti/ZnO基紫外探测器在380 nm具有最高响应度0.14 A/W,Ni/MgZnO基深紫外探测器在327 nm具有最高响应度1.9×10A/W,并且其在紫外波长的峰值响应度均比可见光450 nm处的响应度高出两个数量级。

关键词： MOCVD ZnMgO 紫外探测器

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