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一维光子晶体全向反射镜
一维光子晶体全向反射镜
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 杜伟 许兴胜 王春霞 胡海洋 宋倩 鲁琳 陈弘达 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室北京100083
提出了一维光子晶体的一种重要应用,分析了一维光子晶体全向反射镜的原理,总结了全向反射镜的种类,并展望了其发展状况。
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SiC MESFET器件工艺研究
SiC MESFET器件工艺研究
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 陈刚 柏松 张涛 汪浩 李哲洋 蒋幼泉 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家级重点实验室210016
本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管.
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太赫兹半导体辐射源研究进展
太赫兹半导体辐射源研究进展
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
太赫兹(THz)辐射源是THz频段应用的由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点.本文简要介绍了THzQCL的研究进展.
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非晶/微晶硅两相薄膜的电导机制
非晶/微晶硅两相薄膜的电导机制
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 孔光临 郝会颖 刁宏伟 石明吉 曾湘波 廖显伯 中国科学院半导体研究所 中国地质大学(北京)
本文在已有的非晶/微晶硅薄膜的生长和结构模型的基础上,根据有效介质理论提出微晶硅的电导机制是:3维孵化层电导与2维微晶柱电导的并联.基于这一导电机制较好地解释我们的实验结果.
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微波宽禁带半导体走向实用化
微波宽禁带半导体走向实用化
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 邵凯 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016
近来美日各大公司纷纷推出移动通信基站用的GaN HEMT大功率管产品,而与此同时美国DARPA支持的军用GaN HEMT正在艰苦攻关.文章分析了军民两种应用对器件要求的差异,指出高压工作时的长寿命是当前的难点.同时指出SiC MESFET已解决了高压... 详细信息
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光子晶体的发展及应用
光子晶体的发展及应用
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 阮望 王勇 丁耀根 阮存军 中国科学院电子学研究所 北京100080 中国科学院研究生院 北京100039 中国科学院电子学研究所 北京100080
光子晶体是一种具有光子带隙结构的新材料,独特的性质使它具有广泛的应用前景.本文介绍了光子晶体的概念和性质,发展现状,理论分析方法,制作方法,最后举例说明了光子带隙结构的应用。
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GaN基金属-半导体-金属探测器
GaN基金属-半导体-金属探测器
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 刘文宝 赵德刚 刘宗顺 杨辉 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心北京100083
在非故意掺杂的GaN外延层上制作了MSM结构的探测器.对暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流发生变化.光谱响应测量中发现带隙内的异常峰值响应现象.根据陷阱模型对它们做出了解释.
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InN的光学性质研究
InN的光学性质研究
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 孙苋 王辉 王莉莉 江德生 杨辉 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室北京100083
本文对用MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)技术生长在GaN/Saphire衬底上的InN薄膜进行Hall、吸收谱以及光致发光(PL:Photoluminescence)谱的测量,并对PL线型进行分析,得到InN的带隙大致在0.7eV左右.发现吸收边以及PL谱的... 详细信息
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硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案
硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 陈少武 屠晓光 余和军 樊中朝 徐学俊 余金中 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家联合重点实验室北京100083
本文讨论硅基微钠光子器件制备过程中涉及的几个导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密问题.这些问题影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出... 详细信息
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AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取
AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 刘丹 陈晓娟 罗卫军 李诚瞻 刘新宇 和致经 中国科学院微电子研究所 北京100029
本文利用国际通用的coldFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,并用仿真软件ADS(Advanced Design System)建立HEMT小信号等效电路模型,对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈... 详细信息
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