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InGaAs/InP平面型雪崩光电探测器
InGaAs/InP平面型雪崩光电探测器
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Bin Li 李彬 Qin Han 韩勤 Xiaohong Yang 杨晓红 Shaoqing Liu 刘少卿 Weihong Yin 尹伟红 Chenglei Nie 聂诚磊 China State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Acade 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室北京 100083
本文报道了一种可用于长距离光纤通信的平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。对于30微米直径的器件,其暗电流在穿通电压处可低至0.032nA,在90％击穿电压下暗电流仅0.16nA.未生长抗反膜的器件对1.5... 详细信息
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Yb离子注入掺杂GaN薄膜的结构和磁性研究
Yb离子注入掺杂GaN薄膜的结构和磁性研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Chunhai Yin 尹春海 Chao Liu 刘超 Dongyan Tao 陶东言 Yiping Zeng 曾一平 Semiconductor Materials Science Center Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Be 中国科学院半导体研究所 材料科学中心 北京 100083
采用双能态离子注入法向MOCVD生长的n-型。p-型和非有意掺杂的GaN薄膜中注入了稀土元素Yb,并对样品进行了900℃的快速热退火处理。研究了样品的结构和磁学性质,在X射线衍射的检测极限范围内未发现样品中有第二相出现,拉曼散射结果表明... 详细信息
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改善晶片“塌边”现象的研究
改善晶片“塌边”现象的研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Lijie Liu 刘丽杰 Xuefeng Li 李雪峰 Bo Zhao 赵波 Wensen Liu 刘文森 Beijing Tongmei Xtal Technology Co.Ltd Beijing 101113 China 北京通美晶体技术有限公司 北京 101113
本文主要改善晶片边缘的“塌边”，提高晶片的平整度，提高衬底晶片的利用率。本文主要针对单面的旋转式化学机械抛光，系统研究了单面旋转式化学式抛光不同转速比ω1(抛光盘转速)和ω2(抛光头转速)对单面抛光晶片平整度的影响。结果表... 详细信息
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AlN/GaN HEMT毫米波特性研究
AlN/GaN HEMT毫米波特性研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Peng Xu 徐鹏 Shaobo Dun 敦少博 Yuanjie Lu 吕元杰 Guodong Gu 顾国栋 Yulong Fang 房玉龙 Zhihong Feng 冯志红 Science and Technology on ASIC Laboratory Hebei Semiconductor Research Institute Shijiazhuang 050 专用集成电路国家级重点实验室 石家庄 050051
本文测试了SiC衬底,0.2μm栅长的AlN/GaN HEMT器件的小信号S参数。对比不同栅宽器件的频率特性,发现fmax随器件栅宽的增加而下降,且下降趋势与栅宽的-0.5次幂相关。提取不同栅宽器件的本征参数,发现栅宽增加,本征电容上升,输出电阻Rds下... 详细信息
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C:Si共掺杂AlN的电子结构分析
C:Si共掺杂AlN的电子结构分析
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Zheng Yan 闫征 Ruisheng Zheng 郑瑞生 Honglei Wu 武红磊 College of Optoelectronic engineering Shenzhen University Shenzhen 518060 China 深圳大学光电子学研究所 深圳 518060
采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,研究了C：Si共掺杂纤锌矿AlN的32原子超胞体系的能带结构、电子态密度等性质,分析了C：Si共掺实现p型掺杂的机理。在AlN的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,C-Si复合物形成,施主... 详细信息
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3000V 4H-SiC基结势垒肖特基二极管的研制
3000V 4H-SiC基结势垒肖特基二极管的研制
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 刘胜北 孙国胜 张峰 郑柳 曾一平 中国科学院半导体研究所 北京市海淀区 100083
在外延层掺杂浓度为1.6×1014cm-3,厚度为24μm的4H-SiC上制作了结势垒肖特基二极管,器件的P型注入区和外围的JTE保护层,采用Al多重能量注入,离子注入的激活温度为1250℃。室温下,器件的反向击穿电压达到了3000V以上,达到实验4H-Si... 详细信息
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InAs/GaSb超晶格界面的光学各向异性研究
InAs/GaSb超晶格界面的光学各向异性研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Shujie Wu 武树杰 Jinling Yu 俞金玲 Hansong Gao 高寒松 Chongyun Jiang 蒋崇云 Yonghai Chen 陈涌海 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of S 中国科学院半导体研究所材料重点实验室 北京 100083
在室温下采用偏振反射差分光谱测量了InAs/GaSb超晶格平面内光学各向异性,在GaAs界面厚度保持不变的情况下研究了不同厚度InSb界面对超晶格平面内光学各向异性的影响。并利用高分辨XRD测量了不同的InSb界面厚度对超晶格晶格失配的影响... 详细信息
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四波长DFB激光器阵列合波输出集成芯片
四波长DFB激光器阵列合波输出集成芯片
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Hongliang Zhu 朱洪亮 Li Ma 马丽 Song Liang 梁松 Can Zhang 张灿 Baojun Wang 王宝军 Lingjuan Zhao 赵玲娟 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of S 半导体材料科学重点实验室 中国科学院半导体研究所 北京 100083 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of S 半导体材料科学重点实验室 中国科学院半导体研究所 北京 100083 清华大学 电子工程系 北京 100084 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of S
采用对接耦合外延、变脊宽加全息曝光技术,设计制作了四波长分布反馈激光器阵列与多模干涉耦合器(MMI)合波输出集成芯片。阵列器件的出射波长处于1550nm波段,阈值电流小于35mA,边模抑制比大于33dB,出光功率大于1.4mW。这是作者研制光子... 详细信息
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高质量半绝缘GaN生长研究
高质量半绝缘GaN生长研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 许正昱 许福军 黄呈橙 王嘉铭 张霞 沈波 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京100871
AlGaN/GaN异质结构和AlInN/GaN异质结构是发展GaN基高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构。而半绝缘GaN层的电阻和结晶质量对AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质界面二维电子气的浓度和迁移率都有很大的影响，从而影响到HEMT器件... 详细信息
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Si衬底上MOCVD外延生长GaN的导电特性研究
Si衬底上MOCVD外延生长GaN的导电特性研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Yiqiang Ni 倪毅强 贺致远 Zhiyuan He Jian Zhong 钟健 Fan Yang 杨帆 Yao Yao 姚尧 Peng Xiang 向鹏 张佰君 Baijun Zhang Yang Liu 刘扬 Sun Yat-sen University Guangzhou 510006 China 中山大学物理科学与工程技术学院 广州 510006
本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现象,对比具有不同结构的样品进行研究。通过SIMS和变温Hall测试分析,P型现象主要是由于外延生长时高温AlN中的A... 详细信息
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