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空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响
空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 赵有文 董志远 吕小红 段满龙 孙文荣 中国科学院半导体研究所 北京100083
利用电学测试、正电子寿命谱和X-射线衍射研究了原生和退火处理后半绝缘InP单晶的空位、填隙缺陷.原生掺铁半绝缘InP单晶含有空位缺陷,这些空位产生深能级补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材... 详细信息
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液滴外延自组织GaAs纳米结构
液滴外延自组织GaAs纳米结构
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 詹锋 黄社松 倪海桥 赵欢 熊永华 周宏余 牛智川 北京师范大学材料科学与工程系射线束技术与材料改性教育部重点实验室 中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家重点实验室
实验证实在GaAs(100)衬底上利用液滴外延法形成的Ga液滴的形貌随晶化温度和As束流的不同而发生变化,形成一些有趣的GaAs纳米结构,包括量子点、量子单环、量子双环、耦合量子双环、中国古币形状等.本文对这些纳米结构的生长机制进行了讨论.
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气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制
气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 魏学成 赵有文 董志远 李晋闽 中国科学院半导体研究所 北京市912信箱北京100083
本文对化学气相传输法(CVT)生长ZnO单晶的传输过程、动力学和生长机理进行了研究.分析了CVT法的传输机理、效率以及温场对传输速率和晶体生长的影响.利用气相-固相单晶成核和生长动力学理论研究了制约单晶生长速度和晶体质量的因素.我... 详细信息
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利用两步生长法制备均匀高密度InAs/GaAs量子点
利用两步生长法制备均匀高密度InAs/GaAs量子点
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 黄社松 詹峰 赵欢 吴东海 方志丹 倪海桥 牛智川 中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室北京100083
本文利用分子束外延系统,应用两步生长方法制备出高密度且尺寸分布比较均匀的InAs/GaAs量子点(QDs).原子力显微镜图像表明制备出密度约6.0×1010cm-2且尺寸分布比较均匀的QDs.很强的光致荧光和窄的半高宽表明两步生长方法生长的InAs... 详细信息
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电子束光刻及深紫外光刻制作硅基光子晶体的对比研究
电子束光刻及深紫外光刻制作硅基光子晶体的对比研究
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 王春霞 许兴胜 韩伟华 杜伟 宋倩 胡海洋 陈弘达 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室北京100083
随着电子束光刻及深紫外光刻的方法更多的应用到纳米光子器件制作中,使得光器件的体积大大缩小,越来越多的功能可以集成到同一个光子集成回路中.本文深入的研究了电子束光刻工艺方法及深紫外光刻工艺方法的基本原理及工艺过程,并同时将... 详细信息
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物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征
物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 董志远 赵有文 魏学成 李晋闽 中国科学院半导体研究所 北京市912信箱北京100083
利用物理气相传输法(PVT)生长了直径40-50 mm、厚约8-10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5毫米.用拉曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下AlN晶体的导电特性,并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为... 详细信息
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导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET
导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 柏松 陈刚 李哲洋 张涛 汪浩 蒋幼泉 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率... 详细信息
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半导体发光二极管(LED)光学建模方法的改进
半导体发光二极管(LED)光学建模方法的改进
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 吴娟 易新 陈建新 北京工业大学光电子技术实验室 北京100022
本文介绍了在将半导体发光二极管(LED)作为新型照明光源的过程中,创建一种基于计算机科学中渲染手段进行LED模型建立的全新方法;由辐射度算法(Radiosity method)与光线追踪(Ray tracing)相结合,利用有限元方法(FEM)计算模型空间内各点... 详细信息
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非极性a-面GaN的拉曼散射研究
非极性a-面GaN的拉曼散射研究
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 高海永 闫发旺 闫建昌 王军喜 李晋闽 中国科学院半导体研究所新材料部 北京100083中国 中国科学院半导体研究所集成技术中心 北京100083中国
利用金属有机气相外延(MOCVD)方法在R-面(1(1)02)蓝宝石衬底上生长了非极性的a-面(11(2)0)GaN薄膜.通过常温拉曼散射光谱的研究发现非极性GaN表面应力呈各向异性.从100K到550K温度范围内每隔50K对非极性GaN薄膜进行变温拉曼散射光谱测试... 详细信息
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Co搀杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性
Co搀杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 刘国磊 曹强 邓江峡 邢鹏飞 田玉峰 陈延学 颜世申 梅良模 山东大学物理与微电子学院和山东大学晶体材料国家重点实验室 山东济南250100
我们系统地研究了Co搀杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.本文利用分子束外延(MBE)的技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co搀杂的Zn(1-x)CoxO(0 ≤ x ≤ 0.12)单晶薄膜.光透射谐和原位的X光电子能谱(XPS)显示Co离子代... 详细信息
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