检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议"

共 964 条记录，以下是541-550 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱研究

InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杨新荣徐波王占国任云云焦玉恒梁玲燕汤晨光中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

制备了InP基近红外波段量子线激光器,在变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现.随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.经分析认为,所制备的激光器随注... 详细信息

制备了InP基近红外波段量子线激光器,在变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现.随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.经分析认为,所制备的激光器随注入电流的增加表现出的这种特殊的激射谱,是由于自组织纳米结构尺寸的不均匀分布引起的.

关键词： InAs量子线 InP基量子线激光器激射谱红外波段电致发光谱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点光磁性质研究

离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点光磁性质研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：胡良均陈涌海叶小玲王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京市海淀区100083

用离子注入法对InAs/GaAs量子点掺杂Mn离子,量子点样品经过快速退火处理后同时具有低温铁磁性和发光性能.注Mn量子点发光峰在退火后蓝移,在较高注入剂量的样品中这种由于互扩散带来的蓝移受到抑制,我们认为这与样品中的缺陷以及Mn聚集... 详细信息

用离子注入法对InAs/GaAs量子点掺杂Mn离子,量子点样品经过快速退火处理后同时具有低温铁磁性和发光性能.注Mn量子点发光峰在退火后蓝移,在较高注入剂量的样品中这种由于互扩散带来的蓝移受到抑制,我们认为这与样品中的缺陷以及Mn聚集在量子点周围减小量子点所受的应力,同时形成的团簇阻碍了界面上原子的互扩散作用有关.Mn在盖层中形成了GaMnAs,表现出较好低温的铁磁性。

关键词： InAs GaAs量子点光磁性质团簇铁磁性离子注入法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响

生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王莉莉王辉孙苋王海朱建军杨辉梁骏吾中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分,结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(... 详细信息

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分,结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而升高.

关键词： InGaN薄膜 MOCVD 有机化学气相沉积在位监测 x射线衍射光致发光生长温度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

凸点对倒扣AlGaN/GaN功率器件的影响

凸点对倒扣AlGaN/GaN功率器件的影响

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈晓娟罗卫军魏珂和致经刘新宇中国科学院微电子研究所 100029

本文报道了基于倒扣技术的AlGaN/GaN HEMT功率器件,并详细分析了热凸点和电凸点对倒扣寄生参数以及热阻的影响,优化AlN基板设计,获得了基于倒扣技术的单指型管芯150×0.8 um,器件的直流输出特性为0.7 A/mm,比倒扣前提高了40％,在Vgs... 详细信息

本文报道了基于倒扣技术的AlGaN/GaN HEMT功率器件,并详细分析了热凸点和电凸点对倒扣寄生参数以及热阻的影响,优化AlN基板设计,获得了基于倒扣技术的单指型管芯150×0.8 um,器件的直流输出特性为0.7 A/mm,比倒扣前提高了40％,在Vgs=-2V,Vds=25V,4GHz下测出线性增益10 dB,26 dBm输出功率,功率密度2.7 W/mm,比倒扣前的功率输出能力提高了一倍.倒扣方法的使用大大增强了管芯的功率容限,提高了器件的功率输出,加快了蓝宝石衬底GaN功率器件的实用化进程。

关键词：倒扣技术热凸点电凸点直流输出功率 AlGaN GaN功率器件蓝宝石衬底

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

二维光子晶体耦合腔阵列的慢波效应研究

二维光子晶体耦合腔阵列的慢波效应研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杜晓宇郑婉华任刚王科邢名欣马小涛陈良惠中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京100083

本文设计了一种六角晶格二维光子晶体耦合腔阵列,其能带结构表现出新奇的特性.处于禁带中的耦合缺陷腔模的色散曲线在光子晶体平面内所有方向更加平坦.模拟了横电波沿ΓK方向的透射谱.与光子晶体单缺陷腔相比,耦合腔阵列结构的缺陷腔模... 详细信息

本文设计了一种六角晶格二维光子晶体耦合腔阵列,其能带结构表现出新奇的特性.处于禁带中的耦合缺陷腔模的色散曲线在光子晶体平面内所有方向更加平坦.模拟了横电波沿ΓK方向的透射谱.与光子晶体单缺陷腔相比,耦合腔阵列结构的缺陷腔模透射率提高三个量级以上,而群速度降低为原来的1/10,得到0.007C的结果.该慢波效应对于构造微型可调谐光延迟器和低阈值光子晶体激光器都是非常重要的.

关键词：光子晶体耦合腔阵列透射率慢波效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：蔡道民李献杰赵永林刘跳林涛江李马晓宇中国电子科技集团公司第13研究所石家庄050051 中国科学院半导体研究所工程中心北京100083

本文介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面研究工作.采用发射极基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT DHBT器件,发射极尺寸为1.5 μm×10 μ... 详细信息

本文介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面研究工作.采用发射极基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT DHBT器件,发射极尺寸为1.5 μm×10 μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVcso≥10V,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为50GHz和55GHz。

关键词： InP材料双异质结晶体管自对准工艺材料生长

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长

蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：肖红领王晓亮杨翠柏胡国新冉军学王翠梅张小宾李建平李晋闽中国科学院半导体研究所材料中心北京100083

采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.InN (0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18 arcmin;原子力显微镜测得的... 详细信息

采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.InN (0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18 arcmin;原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为18.618 nm;Hall测量得到的InN薄膜的室温背景电子浓度为1.08×1019cm-3,相应的迁移率为696cm2/V-s.

关键词：氮化铟薄膜 MOCVD生长半峰宽气相沉积晶体质量单晶InN薄膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

采用楔形连接波导和自对准反射镜的8×8阻塞型热光开关

采用楔形连接波导和自对准反射镜的8×8阻塞型热光开关

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李智勇李运涛陈少武余金中中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京市912信箱100083

本文通过改进热光开关单元和全内反射镜,设计和制作了基于SOI材料的8×8阻塞型热光开关矩阵.开关设计中,在单模波导和多模干涉耦合器之间引入楔形连接波导并进行优化,增大单模波导与多模波导之间的藕合效率,减小开关单元的损耗.此外... 详细信息

本文通过改进热光开关单元和全内反射镜,设计和制作了基于SOI材料的8×8阻塞型热光开关矩阵.开关设计中,在单模波导和多模干涉耦合器之间引入楔形连接波导并进行优化,增大单模波导与多模波导之间的藕合效率,减小开关单元的损耗.此外,采用自对准方法提高全内反射镜的光刻容差.开关矩阵各端口的平均插入损耗约为21 dB,单个反射镜引起的附加损耗约为1.4 dB,串扰少于-21 dB.实验结果说明新设计改善了开关器件的整体特性,且与理论分析一致.

关键词：热光开关楔形波导全内反射镜藕合效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

In离子选择性注入GaAs(001)衬底的有序量子点形成和扩散

In离子选择性注入GaAs(001)衬底的有序量子点形成和扩散

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：周慧英曲胜春程抱昌刘俊朋王占国中国科学院半导体所材料科学重点实验室

离子注入技术是一种重要的制备低微量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序量子点.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及退火,获得了均匀有序的量子点,采... 详细信息

离子注入技术是一种重要的制备低微量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序量子点.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及退火,获得了均匀有序的量子点,采用原子力显微镜观察了量子点随温度变化的形貌变化特征.观察到注入In离子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达630℃,沿[1-10]方向的扩散要比[110]方向扩散要快,而且呈现各向异性.

关键词：离子注入 GaAs衬底铟离子各向异性有序量子点

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氮化镓基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化

氮化镓基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：魏启元胡晓东李倜王彦杰陈伟华李睿潘尧波徐科章蓓杨志坚北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院100871

本文研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量,以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对于... 详细信息

本文研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量,以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对于优化的量子阱结构激光器,我们还对其漏电流和增益饱和带来的影响进行了研究.

关键词：氮化镓基激光器激光二极管量子阱结构多元合金性能表征

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共97页 << < 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：