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1.6mm AlGaN/GaN HEMT功率器件研制
1.6mm AlGaN/GaN HEMT功率器件研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘键 肖冬萍 魏珂 和致经 王润梅 刘新宇 钱鹤 吴德馨 王晓亮 中国科学院微电子所化合物半导体器件及电路实验室(北京) 中国科学院半导体所
本文首次报道总栅宽为1.6mm AlGaN/GaN HEMT功率器件研制.器件最大源漏电流密度接近1A/mm,器件的跨导最大198ms/mm,开态下的击穿电压超过40伏,器件截止频率19GHz.1.6mm的功率管采用多栅指(二十指)结构,最大源漏电流为1.54安培.利用Cripp... 详细信息
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AlN基板上无源器件的制作与建模
AlN基板上无源器件的制作与建模
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈晓娟 刘新宇 和致经 刘键 邵刚 中国科学院微电子研究所(北京)
无源器件是MMIC电路中必不可缺的部分,本文研究了AlN基板上几种关键无源器件的制作工艺.电阻的方阻为16.85Ω/□,在微波测试中表现出良好特性,电容的漏电流在40V下只有pA量级,击穿电压>40V,电容可靠性高,介质层致密.采用HP 8510c网... 详细信息
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用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导
用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 许铭真 谭长华 何燕冬 段小蓉 北京大学微电子研究院
本文研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从Arrhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.
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AlGaN/GaN异质结构器件极化效应的模拟
AlGaN/GaN异质结构器件极化效应的模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李娜 杨辉 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.通过在异质结界面插入a掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结构,模拟结果与文献报道的实验和计算... 详细信息
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1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL研究
1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 沈坤 岳爱文 王任凡 武汉电信器件公司芯片部
本文通过对1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL结构优化,采用直接接触结构研制出了特性得到改善的1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL.激光器室温下的阈值电流为2mA,斜效率为0.12mW/mA,激光波长为1285.5nm,边模抑制比为34dB,峰值单模光功率为0.65mW,激光... 详细信息
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螺旋线径向挤压变形对其慢波结构冷测特性的影响
螺旋线径向挤压变形对其慢波结构冷测特性的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李实 刘韦 苏小保 阴和俊 中科院电子所微波器件中心(北京)
本文介绍了用MAFIA软件的准周期边界条件计算螺旋线行波管慢波结构的色散和耦合阻抗的方法和用ANSYS软件对螺旋线径向挤压变形建模的方法,并对螺旋线受挤压径向变形对其冷测特性的影响进行了详细的分析.分析结果表明,螺旋线螺旋线径向... 详细信息
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快速热退火对MBE生长的InGaNAs材料结构的影响
快速热退火对MBE生长的InGaNAs材料结构的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张石勇 徐应强 任正伟 牛智川 吴荣汉 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京)
本文从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移.
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火焰水解法制备的GeO<,2>-SiO<,2>薄膜中的光敏特性研究
火焰水解法制备的GeO<,2>-SiO<,2>薄膜中的光敏特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 吴远大 夏君磊 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 张玉书 中国科学院半导体研究所光电研发中心(北京)
采用FHD法在Si片上淀积GeO-SiO薄膜,经过高压掺氢处理以后,用KrF准分子激光脉冲进行辐照,研究其光敏特性.利用可变角椭偏仪(VASE)分析了光照前后薄膜的折射率和吸收损耗变化情况.
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SOI波导弯曲损耗影响因素的分析
SOI波导弯曲损耗影响因素的分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈媛媛 余金中 严清峰 陈少武 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)
采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析.通过模拟发现弯曲损耗随弯曲半径的增大、波导宽度的增加及内外脊高比的减小而减小.同时,... 详细信息
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GaAs材料对器件性能影响的实验研究
GaAs材料对器件性能影响的实验研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张绵 中国电子科技集团公司第十三研究所(河北省石家庄)
随着GaAs器件、集成电路水平的不断提高,对材料的质量提出了越来越高的要求.在我们多年从事器件研究的过程中深感用来标称单晶质量的三大参数;电阻率、迁移率、位错密度已不足以全面评价材料性能,因其优劣与器件应用结果并不总能有明确... 详细信息
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