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AlN缓冲层TMAl流量对Si(111)上GaN晶体质量的影响
AlN缓冲层TMAl流量对Si(111)上GaN晶体质量的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 伍墨 张宝顺 王建峰 朱建军 杨辉 中国科学院半导体研究所 国家集成光电子研发中心(北京)
在Si(111)上生长六方GaN,一般采用AlN缓冲层技术,一方面可以抑制Si衬底上的Si原子扩散到GaN中形成SiN,另一方面,可以缓解GaN与Si衬底之间的张应力,从而可以提高GaN外延层的晶体质量.本文进述了影响AlN缓冲层的一些因数以及AlN缓冲层的... 详细信息
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19Kg投料量LEC法Φ4 SI-GaAs单晶生长技术探讨
19Kg投料量LEC法Φ4 SI-GaAs单晶生长技术探讨
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王文军 惠峰 高永亮 王志宇 中科院半导体所
长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优良的器件应用结果方面.近年来随着其在民用领域应用的不断扩大,基于器件制造工艺一致性的要求,体材料供... 详细信息
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硅基微电子新材料—SGOI薄膜研究进展
硅基微电子新材料—SGOI薄膜研究进展
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘超 高兴国 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 北京师范大学物理系(北京)
绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术(Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,被I... 详细信息
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近红外波段二维环形光子晶体
近红外波段二维环形光子晶体
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 许兴胜 张晓帆 孙增辉 陈弘达 张道中 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京) 中国科学院物理研究所光物理实验室(北京)
我们提出了带隙在近红外波段的环形光子晶体,主要有一系列环形的孔在背景材料为GaAs材料上构成.我们发现带隙不依赖于入射方向,很少的几排即可在透过谱上产生带隙.六角形构成的环形光子晶体的S波和P波的透过谱显示有一个完全带隙存在,带... 详细信息
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SOI光波导和集成波导光开关矩阵
SOI光波导和集成波导光开关矩阵
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈少武 余金中 刘敬伟 王章涛 夏金松 樊中朝 中国科学院半导体研究所 集成光电子联合国家重点实验室(北京)
本文报道了基于SOI(Silicon-on-Insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了基于MMI(Multimode interference)耦合器的2×2Mach-Zehnder干涉型热光光开关,开关转换... 详细信息
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柔性衬底上GaN生长研究
柔性衬底上GaN生长研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王军喜 王晓亮 刘宏新 胡国新 李建平 李晋闽 曾一平 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层.研究了GaN外延层中的应力和光学性质,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应... 详细信息
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太赫兹辐射在半导体异质结的吸收研究
太赫兹辐射在半导体异质结的吸收研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室(上海)
通过考虑多光子过程和导带—价带间碰撞离化效应,研究了强THz场辐照下异质结的自由载流子吸收率.在计算中,我们考虑了电子—声学声子散射、电子—极化光学声子散射和分别来自远程杂质和本底杂质的弹性散射.计算结果表明,越强的或频率越... 详细信息
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6H-SiC MOSFET沟道热载流子对器件栅特性的影响
6H-SiC MOSFET沟道热载流子对器件栅特性的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘莉 杨银堂 西安电子科技大学微电子所(西安)
制约碳化硅MOS器件特性的主要因素是SiO/SiO的界面特性和栅氧化层的质量,本文主要对6H-SiC MOSFET器件沟道热载流子的产生和其对栅氧化层的注入过程作了较为深入的分析.界面陷阱的存在和薄栅氧化层中电子能量分布较宽使得陷落的电子与... 详细信息
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0.3ìm栅长GaN HEMT器件
0.3ìm栅长GaN HEMT器件
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郑英奎 和致经 刘新宇 吴德馨 王晓亮 周均铭 中国科学院微电子研究所(北京) 中国科学院物理研究所(北京) 中国科学院半导体研究所(北京)
在国产的GaN/AlGaN外延材料上,通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,制作出具有T型栅的GaN HEMT(high-electronic-mobility-transistor)器件,主要对GaN/AlGaN外延材料上0.3微米栅长的实现进行了研究.形成了在... 详细信息
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依靠PL谱确定影响RTD性能的势垒临界尺寸
依靠PL谱确定影响RTD性能的势垒临界尺寸
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张晓昕 岳维松 王小光 曾一平 王保强 朱占平 中科院半导体所新材料部(北京) 北京工业大学计算机学院模式识别与图象处理实验室 中科院上海技物所物理室(上海)
在共振隧穿结构(RTS)的PL测试中,随着势垒厚度的减小,阱内发光变化不大,而阱外发光急剧减小,通过比较RTD结构PL谱中阱内外的积分发光强度,我们找到了可以让RTD单管在I-V曲线中出现负阻的势垒临界尺寸.在临界尺寸以下,载流子的输运中隧... 详细信息
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