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掺锗对直拉硅单晶的红外吸收光谱的影响
掺锗对直拉硅单晶的红外吸收光谱的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 蒋中伟 张维连 牛新环 张书玉 河北工业大学半导体材料研究所(天津)
采用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的常温和低温红外吸收光谱.发现高浓度Ge的掺入在Si中引起了710cm和800cm等新吸收峰的出现,随Ge含量的增加这些峰的吸收强度也逐渐增强.采用X射线单晶衍射技术(SCXRD)对SiGe单晶的晶格... 详细信息
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In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发光(PL)谱与电学性能的关系研究
In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发...
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 崔利杰 曾一平 王保强 朱战平 中国科学院半导体研究所新材料部(北京)
用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了InGaAs/InAlAs异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能.结果发现InGaAs量子阱的导带第一二电子子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰强度比I/I及相应峰... 详细信息
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InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器激射特性研究
InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器激射特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 钱家骏 叶小玲 陈涌海 徐波 韩勤 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 中国科学院半导体研究所光电子工艺中心(北京)
利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器、内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为(15±10)A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基... 详细信息
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1.55微米Ge量子点RCE探测器的传输矩阵模拟
1.55微米Ge量子点RCE探测器的传输矩阵模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 高俊华 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文利用传输矩阵方法计算了1.55微米Ge量子点RCE探测器的量子效率与各种参数的关系.结果表明:合理选择上下反射镜的反射率(R1,R2),Ge量子点RCE探测器的量子效率可以超过40﹪.通过对量子点材料进行长方形近似,发现探测器的响应在很窄的... 详细信息
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氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性
氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张书明 朱建军 李德尧 杨辉 中科院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
本文用直流和脉冲电流的方法研究了氮化镓基紫色和蓝色发光二极管的发光光谱和功率特性,结果表明,紫色发光二极管的发光中心波长在直流情况下随电流的增加发生红移,在脉冲情况下随电流的增加发生蓝移;蓝色发光二极管的发光中心波长在直... 详细信息
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硅基二氧化硅阵列波导光栅相位误差数值分析
硅基二氧化硅阵列波导光栅相位误差数值分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 安俊明 夏君旨 李健 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心(北京) 内蒙古大学物理系 唐山工业职业技术学院 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心(北京)
采用传输函数法对硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的相位系统误差和随机误差进行了详细的分析.系统误差的模拟结果表明阵列波导的有效折射率n和相邻阵列波导长度差△L的偏移将会对使中心波长λ偏离设计值,平板波导有效折射率n、阵列波导... 详细信息
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Al<,0.54>Ga<,0.46>N/GaN超晶格的低压MOCVD生长及其结构特性的研究
Al<,0.54>Ga<,0.46>N/GaN超晶格的低压MOCVD生长及其结构特性的研...
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孙钱 张纪才 王建峰 陈俊 赵德刚 王玉田 杨辉 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 武汉大学物理系(武汉)
本文利用低压MOCVD方法生长得到了无裂纹的2.5nmAlGaN/GaN超晶格,并对其进行了三轴晶X射线衍射(TXRD)、x射线反射(XRR)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、卢瑟福背散射(RBS)等实验测量分析.实验... 详细信息
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粒子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
粒子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 宋书林 李艳丽 陈诺夫 林元华 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 清华大学材料科学与工程系 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 清华大学材料科学与工程系 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京)
利用双粒子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜,离子束能量在100~500eV范围内,较低衬底温度时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向,当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束... 详细信息
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对InPSi亲水性直接键合的研究
对InPSi亲水性直接键合的研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 赵洪泉 于丽娟 黄永箴 中科院半导体所集成光电子国家重点实验室(北京)
为了估计直接键合的力度我们提出了一个既考虑了晶片表面微观形貌和弹性形变,又考虑了在不同温度下表面水分子对亲水性键合能的影响的模型.在该模型下,将键合在一起的晶片看成一个系统,利用界面自由能最小的原理,从能量的角度估算出了... 详细信息
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生长条件及退火处理对磷化铟单晶的结构完整性的影响
生长条件及退火处理对磷化铟单晶的结构完整性的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 赵有文 董宏伟 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 中国科学院物理所(北京)
利用X射线双晶衍射(XRD)技术研究了原生及退火处理后的磷化铟单晶的晶格完整性.原生磷化铟单晶中由于存在着大量的位错和高的残留热应力,导致晶格产生很大的畸变,表现为XRD半峰宽的值较高并且分布不均匀,甚至有些原生的磷化铟单晶片出现... 详细信息
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