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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
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23 篇 高电子迁移率晶体...
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19 篇 半导体激光器
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18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
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机构

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30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

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61 篇 王占国
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53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
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27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
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24 篇 郝跃
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21 篇 李建平
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语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所(北京)

用MOCVD生长了120周期GaN/AlGaN超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子衍射也表明我们生长出了质量较好的超晶格样品.在透射电镜... 详细信息

用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子衍射也表明我们生长出了质量较好的超晶格样品.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.我们观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.

关键词： GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析线缺陷

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射频等离子体增强化学气相高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜

射频等离子体增强化学气相高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：周炳卿刘丰珍朱美芳刘金龙谷锦华张群芳李国华丁琨中国科学院研究生院物理系(北京) 内蒙古师范大学物理与电子信息学院(呼和浩特) 中国科学院研究生院物理系(北京) 中国科学院半导体研究所(北京)

本文利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.通过选择适当的沉积参数,在过渡区得... 详细信息

本文利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.通过选择适当的沉积参数,在过渡区得到了沉积速率为3-4A/s的μc-Si:H薄膜材料.相应地,薄膜的暗电导在10<'-7>S/cm量级,光暗电导比近2个量级,电导激活能在0.52eV左右,稳定性好,达到了器件级质量.

关键词：微晶硅薄膜离子体增强化学气相沉积沉积压力电学性质沉积参数

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同步辐射x射线研究氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触的形成机制

同步辐射x射线研究氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触的形成机制

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：胡成余秦志新陈志忠杨华王琦杨志坚陈伟华张国义人工微结构和介观物理国家重点实验室宽禁带半导体研究中心物理学院北京大学(北京)

利用同步辐射X射线衍射(XRD),同时运用2è扫描,ù扫描和ù-2è扫描这三种扫描方式研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,阐释了相应的欧姆接触形成的机制.结合不同温度下比接触电阻(Pc)的变化... 详细信息

利用同步辐射X射线衍射(XRD),同时运用2è扫描,ù扫描和ù-2è扫描这三种扫描方式研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,阐释了相应的欧姆接触形成的机制.结合不同温度下比接触电阻(Pc)的变化,研究发现从450℃开始N iO和Au在p-GaN上形成外延结构对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,NiO和Au的外延结构进一步改善,ρc也达到了最低值.当合金温度升高到600℃时,NiO的外延结构被破坏,而Au的外延结构进一步改善.对比600℃下ρc的显著升高,可以说明在较高温度下欧姆接触电学特性退化与NiO的外延结构被破坏有关.

关键词： p-GaN Ni/Au 欧姆接触比接触电阻同步辐射形成机制 X射线衍射

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化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究

化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：高欣孙国胜李晋闽赵万顺王雷张永兴曾一平中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 兰州大学物理学院(兰州)

采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2é=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单... 详细信息

采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向<11-20>晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2é=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单晶.PL测试发现在2.8—3.1eV范围内,有很强的4H-SiC的施主-受主对(DAP)跃迁发光峰,以及自由电子向束缚在受主杂质上的空穴跃迁的发光峰.对于在较低温度下外延的4H-SiC样品,在其PL谱中也观察到在1.8-2.4eV范围内出现很宽的谱峰.利用室温Raman散射谱分析了SiC的多型体情况.发现在低温下生长的样品的Raman谱中,出现了典型的3H-SiC的Raman普,表明该样品含有立方相SiC,这与PL谱获得的结果相吻合.

关键词： 4H-SiC 化学气相沉积外延生长外延膜生长特征

来源：评论

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氮化镓微波器件的进展

氮化镓微波器件的进展

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：袁明文信息产业部电子13所专用集成电路国家重点实验室(石家庄)

GaN是一种很稳定的化合物半导体材料,其化学的和热的稳定性材料性质尤其有利于制造高温器件.本文综述了优良的宽度半导体GaN微电子器件的优点性能及其新进展.