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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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芯片倒装技术

芯片倒装技术

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王静辉卜瑞艳张务永李绍武信息产业部电子十三研究所香港兴华半导体工业有限公司

电子产品的小型、轻量、多功能、智能化的要求,同时也对集成电路的封装提出了更高的要求.本文主要叙述了芯片的倒装技术的工艺流程,工艺难点,倒装技术的最新发展,芯片倒装中粘合剂添加工艺的影响因素.

电子产品的小型、轻量、多功能、智能化的要求,同时也对集成电路的封装提出了更高的要求.本文主要叙述了芯片的倒装技术的工艺流程,工艺难点,倒装技术的最新发展,芯片倒装中粘合剂添加工艺的影响因素.

关键词：倒装技术芯片粘合剂集成电路工艺流程

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InP基上InAs纳米结构构型的研究

InP基上InAs纳米结构构型的研究

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵凤瑷徐波金鹏王占国中国科学院半导体所材料科学重点实验室(北京)

本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开发它们在实际工作中的应用.

本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开发它们在实际工作中的应用.

关键词： InP基纳米结构量子点量子线

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φ2″掺硅VB—GaAs体单晶材料制备

φ2″掺硅VB—GaAs体单晶材料制备

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：牛沈军兰天平丰梅霞李文江信息产业部电子第四十六研究所

本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平.

本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平.

关键词： GaAs单晶 VB工艺引晶技术单晶生长半导体材料晶体生长生长工艺

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量子级联激光器的材料生长与器件制作

量子级联激光器的材料生长与器件制作

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：常秀兰李成明刘峰奇王占国中国科学院半导体研究所材料开放实验室(北京市)

本文详细讨论了量子级联激光器的器件制作过程,包括材料生长,金属电极的制作等,对工艺过程进行了探索.对于10×800μm的激光器件,阈值电流密度是3kA/cm,峰值输出功率是~7.2mW.

本文详细讨论了量子级联激光器的器件制作过程,包括材料生长,金属电极的制作等,对工艺过程进行了探索.对于10×800μm<'2>的激光器件,阈值电流密度是3kA/cm<'2>,峰值输出功率是~7.2mW.

关键词：量子级联激光器材料生长器件制作

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多模干涉耦合器光开关的设计考虑

多模干涉耦合器光开关的设计考虑

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈少武余金中中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

以多模干涉(MMI)耦合器为核心器件的硅基光开关是一种新颖的光开关结构,具有制作容差大,偏振不敏感,与标准CMOS工艺兼容等优点.为了使器件性能得到优化,必需充分考虑开关的结构设计,改善器件插入损耗,消光比,功耗和可集成性,同时应保证... 详细信息

以多模干涉(MMI)耦合器为核心器件的硅基光开关是一种新颖的光开关结构,具有制作容差大,偏振不敏感,与标准CMOS工艺兼容等优点.为了使器件性能得到优化,必需充分考虑开关的结构设计,改善器件插入损耗,消光比,功耗和可集成性,同时应保证器件的制作成品率.

关键词：多模干涉耦合器光开关消光比

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难熔金属与n-GaAs的欧姆接触

难熔金属与n-GaAs的欧姆接触

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘文超夏冠群周健李冰寒中国科学院上海微系统与信息技术研究所

本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化后呈现欧姆特性可能和合金化后在接触界面处生成的TiAs相有关.

本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化后呈现欧姆特性可能和合金化后在接触界面处生成的TiAs相有关.

关键词：难熔金属砷化镓欧姆接触半导体器件

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电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用

电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：罗四维王维军江泽流刘玉贵河北半导体研究所(河北石家庄)

介绍用光学设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,而用高分辨率的电子束设备制作线宽不大于0.5um、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术.

介绍用光学设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,而用高分辨率的电子束设备制作线宽不大于0.5um、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术.

关键词：混合制版技术电荷积累电子束 GaAs器件干法刻蚀

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Ku波段功率放大器的研制

Ku波段功率放大器的研制

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：钱峰蒋幼泉叶育红徐波南京电子器件研究所

Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通信、点对点通信、点对多点通信等多个军事、民用领域.本文针对实际需要,介绍了Ku波段功率放大器的电路拓朴结构及制作工艺和器件选择.

Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通信、点对点通信、点对多点通信等多个军事、民用领域.本文针对实际需要,介绍了Ku波段功率放大器的电路拓朴结构及制作工艺和器件选择.

关键词：功率放大器制作工艺电路拓扑

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提高光刻分辨率的光刻技术

提高光刻分辨率的光刻技术

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：冯伯儒张锦四川大学物理系(中国成都) 宗德蓉蒋世磊苏平中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室(中国成都) 四川大学物理系(中国成都)

本文简要论述提高光刻分辨率的几种所谓增强光刻技术,如相移掩模技术,离轴照明和光学邻近效应校正的基本原理和相关技术.

本文简要论述提高光刻分辨率的几种所谓增强光刻技术,如相移掩模技术,离轴照明和光学邻近效应校正的基本原理和相关技术.

关键词：光刻技术增强光刻半导体器件光刻分辨率

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自对准InGaP/GaAs HBT器件

自对准InGaP/GaAs HBT器件

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙海锋和致经王延锋刘新宇郑丽萍吴德馨中科院微电子中心

利用GaAs湿法腐蚀各向异性的特点来形成BE结金属的自对准,对InGaP/GaAs HBT器件进行了研究.器件特征频率为40GHz(发射极面积为4μm×14μm),电流增益为50,阈值电压为1.1V.

利用GaAs湿法腐蚀各向异性的特点来形成BE结金属的自对准,对InGaP/GaAs HBT器件进行了研究.器件特征频率为40GHz(发射极面积为4μm×14μm),电流增益为50,阈值电压为1.1V.

关键词：自对准结构异质结双极晶体管砷化镓材料结构器件特征

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