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23 篇 中国科学院半导体...
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12 篇 中国科学院半导体...
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11 篇 中国科学院半导体...
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作者

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33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
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27 篇 谢自力
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24 篇 郝跃
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21 篇 王启明
21 篇 李建平
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20 篇 王军喜
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962 篇 中文
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GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响

GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：于广辉千叶大学电子光情报基础技术研究中心(日本) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

本文通过对于生长过程的在位监测,以及生长后的外延片的结晶和表面测量,研究了在MOCVD生长中,研究了低温缓冲层生长速率对于外延层质量的影响.

关键词：低温缓冲层半导体材料氮化镓化学气相淀积外延生长

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宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量

宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张永刚南矿军何友军李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

本文介绍了基于宽范围脉冲测量条件下的半导体激光器热阻测量方案以及具有宽范围和大电流驱动能力、能覆盖从可见光至中红外波段的半导体激光器测量表征系统,并给出了具体测量实例.

关键词：半导体激光器脉冲测量热阻测量

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应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件的发光特性研究

应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件的发光特性研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：钱家骏徐波陈涌海叶小玲王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)

本文采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,并用量子点材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光与器件的电致发光特性.条宽100μm腔长为1.6mm,腔面未镀膜激光二极管室温下最大光功率输出2.74W.

关键词： InAs/GaAs量子点材料量子点激光器半导体异质结材料激光二极管发光特性

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SI GaAs阈值电压均匀性与PL mapping均匀性的关系研究

SI GaAs阈值电压均匀性与PL mapping均匀性的关系研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：朱朝嵩张有涛夏冠群惠峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海) 中国科学院半导体所(北京)

本文探讨了SI GaAs单晶片的PL mapping均匀性与阈值电压均匀性的关系.初步认为,单晶片的PL mapping均匀性可以综合反映材料参数的均匀性,可以反映整个圆片的阈值电压均匀性.PL mapping测试技术是GaAs数字电路研究、生产的有效测试手段.

关键词： PL mapping 阈值电压均匀性半导体材料砷化镓参数测试

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谐振腔增强型GaInNAs探测器与入射角度相关特性的实验研究

谐振腔增强型GaInNAs探测器与入射角度相关特性的实验研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杨晓红张瑞康梁琨杜云吴荣汉中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室北京邮电大学

本文对1.3μmGaInNAs量子阱谐振腔增强型(RCE)探测器的角度相关的响应特性进行了实验研究.并用传输矩阵法对影响该RCE探测器的量子效率、峰值波长及模式半宽会随入射角度的变化进行了详细模拟分析.

关键词：光电探测器响应特性量子效率峰值波长入射角度

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平顶陡边光谱响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的实验研究

平顶陡边光谱响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的实验研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杜云钟源中科院半导体所光电子工艺中心(北京)

本文报道了国内首次研制的具有平顶陡边光谱响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的实验结果,其响应光谱所具有的明显的耦合腔效应证明了我们独立提出的器件结构的正确性和可行性.我们通过高精度可控腐蚀的方法精确控制腐蚀的厚度从而对... 详细信息

本文报道了国内首次研制的具有平顶陡边光谱响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的实验结果,其响应光谱所具有的明显的耦合腔效应证明了我们独立提出的器件结构的正确性和可行性.我们通过高精度可控腐蚀的方法精确控制腐蚀的厚度从而对第一个腔的模式波长进行调整.腐蚀后测量的结果与模拟得到的结果非常吻合,最后探测器得到了初步具有平顶陡边的光谱响应.

关键词：波分复用光电探测器谐振腔增强型平顶陡边响应

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移动通信用GaAs MMIC压控衰减器

移动通信用GaAs MMIC压控衰减器

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈新宇陈辰陈继义李拂晓蒋幼泉邵凯杨乃彬南京电子器件研究所

采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs集成压控衰减器电路,衰减器电路采用T型结构,在0.9GHz,插入损耗小于2.8dB,最大衰减量35dB,产品性能指标达到国外同类产品.GaAs压控衰减器采用3英寸GaAs圆片标准工艺加工,具有批量生产能力.

关键词：砷化镓压控衰减器集成电路移动通信

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立方相GaN/GaAs(001)外延层的光辅助湿法腐蚀

立方相GaN/GaAs(001)外延层的光辅助湿法腐蚀

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张秀兰沈晓明冯淦张宝顺冯志宏杨辉中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室(北京) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

本文研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝宝石(0001)衬底上的六方相GaN(h-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀进行了比较.实验发现c-GaN膜的暗态电流和光... 详细信息

本文研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝宝石(0001)衬底上的六方相GaN(h-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀进行了比较.实验发现c-GaN膜的暗态电流和光电流的变化不同于h-GaN膜的腐蚀电流的变化规律.对腐蚀特性上的差异进行了简单的讨论.

关键词：立方相GaN 光辅助湿法腐蚀半导体器件腐蚀特性气相外延

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半绝缘砷化镓中位错与微缺陷的相互作用

半绝缘砷化镓中位错与微缺陷的相互作用

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：徐岳生张春玲刘彩池唐蕾郎益谦郝景臣河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津) 信息产业部1413所(石家庄)

半绝缘砷化镓(SI-GaAs)衬底的质量对离子注入器件的性能有重要影响,其中位错和微缺陷是主要因素.本文采用超声AB腐蚀法,熔融KOH腐蚀法、TEM和PL Mapping技术,系统的研究了位错和微缺陷,查明微缺陷的物理实质,并找出位错和微缺陷的相互作用.

关键词：砷化镓位错微缺陷半导体材料 LEC法晶体生长

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一种新型SOI MMI-MZI光开关结构

一种新型SOI MMI-MZI光开关结构

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：夏金松余金中集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所(北京)

提出了一种与传统SOI(silicon on insulator)MMI-MZI光开关结构完全不同的新型结构——完全基于封闭多模波导的MMI-MZI光开关.这种新型结构放弃了传统MZI开关器件中单模传输的要求,采用多模传输,解决了传统脊形单模波导带来的很多设计... 详细信息

提出了一种与传统SOI(silicon on insulator)MMI-MZI光开关结构完全不同的新型结构——完全基于封闭多模波导的MMI-MZI光开关.这种新型结构放弃了传统MZI开关器件中单模传输的要求,采用多模传输,解决了传统脊形单模波导带来的很多设计和制作工艺困难,比如脊形波导比较难以分析,波导刻蚀深度难以控制,器件长度过大,不利于集成等.结构的简化使光开关制作过程大大简化,工艺要求得到有效的降低.

关键词：光开关多模波导干涉器脊形波导条形波导

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