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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
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- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

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57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
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23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
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19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
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18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

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43 篇 西安电子科技大学
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32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
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横向外延GaN的结构特征

横向外延GaN的结构特征

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：冯淦朱建军赵德刚杨辉梁骏吾吴巨中科院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室(北京) 中科院半导体研究所材料开放实验室(北京)

运用金属有机物化学气相外延设备(MOCVD),在氮化镓/蓝宝石复合衬底上,采用横向外延生长技术制备出高质量的GaN外延薄膜,并对其进行了TEM、X射线双晶衍射测量和分析.发现在横向生长区的GaN中穿透位错密度大幅度降低,位错排列的方向由窗... 详细信息

运用金属有机物化学气相外延设备(MOCVD),在氮化镓/蓝宝石复合衬底上,采用横向外延生长技术制备出高质量的GaN外延薄膜,并对其进行了TEM、X射线双晶衍射测量和分析.发现在横向生长区的GaN中穿透位错密度大幅度降低,位错排列的方向由窗口区的<0001>方向,转为水平方向(<11-20>方向).X射线双晶ω扫描发现横向生长区GaN的(0001)晶面发生晶面倾斜,即与窗口区GaN的(0001)晶面之间存在有取向差.

关键词：横向外延结构特征半导体材料氮化镓外延生长

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侧向外延法降低立方相GaN中的层错密度

侧向外延法降低立方相GaN中的层错密度

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：沈晓明付羿冯淦张宝顺冯志宏杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

本文尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.TEM平面像的观察表明经过ELOG方法生长后,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的5×10cm降低至生长后的6×10cm.双晶X射线衍射(DCXRD)测量给出侧向外延前后... 详细信息

本文尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.TEM平面像的观察表明经过ELOG方法生长后,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的5×10<'9>cm<'-2>降低至生长后的6×10<'8>cm<'-2>.双晶X射线衍射(DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描(002)衍射rocking curve的半高宽(FWHM)分别为33arcmin和17.8arcmin,表明晶体质量有了很大改善.文中对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论.

关键词：侧向外延半导体材料氮化镓外延生长位错密度

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InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响

InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张子旸金鹏曲胜春李成明孟宪权徐波叶晓玲王占国中国科学院半导体所材料科学重点实验室(北京)

我们系统地研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响.我们发现InAs量子点的基态发光峰位,半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组份.最终,我们得到了室温发光波长在1.35μm,基... 详细信息

我们系统地研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响.我们发现InAs量子点的基态发光峰位,半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组份.最终,我们得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能级间距高达103meV的InAs量子点的发光特性.第一结果对实现高T<,0>的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义.

关键词：量子点光致发光能级间距发光特性

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MBE InGaAs/GaAs量子点结构及其光吸收调制

MBE InGaAs/GaAs量子点结构及其光吸收调制

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孔梅影曾一平李晋闽中国科学院半导体研究所(北京)

利用分子束外延技术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,可用于研制8-12μm大气窗口的红外探测器.实验上观测到随着量子点超... 详细信息

利用分子束外延技术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,可用于研制8-12μm大气窗口的红外探测器.实验上观测到随着量子点超晶格结构的InGaAs层厚度增加,其红外吸收峯蓝移,而PL峯红移和半峯宽变窄.用量子点间的耦合作用随InGaAs层的厚度的增加而增强的观点对其机理给予了解释.

关键词：分子束外延光吸收 InGaAs/GaAs量子点超晶格结构

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GaAs基共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计

GaAs基共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：郭维廉天津工业大学信息与通信工程学院(天津) 梁惠来牛萍娟张世林赵振波天津大学电子信息工程学院(天津) 天津工业大学信息与通信工程学院(天津)

本文在深入细致地分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,对以SI-GaAs为衬底的共振隧穿二极管(RTD)分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计.结果表明,用此材料研制成的RTD器件,室温电流峰谷比PVCR达到7.6:1,最高振荡频率为54G... 详细信息

本文在深入细致地分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,对以SI-GaAs为衬底的共振隧穿二极管(RTD)分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计.结果表明,用此材料研制成的RTD器件,室温电流峰谷比PVCR达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz,开关时间为10<'-11>s数量级,这些参数值表明,材料设计是成功的.

关键词： GaAs材料分子束外延半导体材料共振隧穿二极管结构设计

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新的GaAs多晶料合成工艺

新的GaAs多晶料合成工艺

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：高瑞良齐德格周春锋天津电子材料研究所(天津市)

在本篇文章中报导了一种新的GaAs合成技术.该技术是在惰性气体压力下,在准密封条件下,不使用BO,用高压合成法简便快捷地制备GaAs多晶.本篇文章还对高压原位合成LEC工艺和先合成GaAs多晶粒,再用低压或中压单晶炉进行拉晶的二步拉晶工艺... 详细信息

在本篇文章中报导了一种新的GaAs合成技术.该技术是在惰性气体压力下,在准密封条件下,不使用B<,2>O<,3>,用高压合成法简便快捷地制备GaAs多晶.本篇文章还对高压原位合成LEC工艺和先合成GaAs多晶粒,再用低压或中压单晶炉进行拉晶的二步拉晶工艺进行了对比.对有砷端布耳兹曼拉晶工艺或梯度冷凝工艺与无砷端布耳兹曼拉晶工艺或梯度冷凝工艺进行了对比,说明了预先合成GaAs多晶料的必要性.

关键词：热解氮化硼半导体材料砷化镓单晶生长合成工艺

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NH<,3>-MBE GaN极性研究

NH<,3>-MBE GaN极性研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王军喜王晓亮孙殿照刘宏新胡国新李晋闽曾一平林兰英中国科学院半导体研究所材料中心(北京)

氮化镓(GaN)材料在光电子和微电子领域具有重要的应用潜力,而材料极性对氮化镓材料及器件都有着重要的影响.我们用NH作氮源,采用气源分子束外延(GSMBE)方法,通过使用RF-MBE(射频等离子体源分子束外延)GaN作为模板,在(0001)蓝宝石衬底(A... 详细信息

氮化镓(GaN)材料在光电子和微电子领域具有重要的应用潜力,而材料极性对氮化镓材料及器件都有着重要的影响.我们用NH<,3>作氮源,采用气源分子束外延(GSMBE)方法,通过使用RF-MBE(射频等离子体源分子束外延)GaN作为模板,在(0001)蓝宝石衬底(Al<,2>O<,3>)上生长出了高质量的镓面极性氮化镓单晶外延膜.用反射高能电子衍射仪(RHEED)、化学腐蚀和原子力显微镜等方法对所生长的氮化镓材料的极性进行了研究.室温霍耳测量显示氮化镓外延膜的电子迁移率高达290cm<'2>/V.s.

关键词：氮化镓电子迁移率分子束外延半导体材料材料极性

来源：评论

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用不同金属化系统制备n-GaN欧姆接触的研究

用不同金属化系统制备n-GaN欧姆接触的研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张小玲吕长志谢雪松李志国肖葳韩迎曹春海北京工业大学电子信息与控制工程学院南京固体器件研究所

在n-GaN上制备Ti/Al/Ni/Au、Ti/Au/Pd/Au&Cr/Au/Ni/Au三种不同金属化系统,并对其不同温度下的欧姆接触的接触电阻率进行了比较和分析.室温下Ti/Al/Ni/Au & Ti/Au/Pd/Au的接触电阻率都在,但在高温下(300℃),其接触电阻率增加到以... 详细信息

在n-GaN上制备Ti/Al/Ni/Au、Ti/Au/Pd/Au&Cr/Au/Ni/Au三种不同金属化系统,并对其不同温度下的欧姆接触的接触电阻率进行了比较和分析.室温下Ti/Al/Ni/Au & Ti/Au/Pd/Au的接触电阻率都在,但在高温下(300℃),其接触电阻率增加到以上.随着温度的升高,Cr/Au/Ni/Au的接触电阻率略有增加,室温下的电阻率有待进一步的改进.

关键词：欧姆接触接触电阻率氮化镓薄膜

来源：评论

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砷化镓微波单片电路技术在五十五所

砷化镓微波单片电路技术在五十五所

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杨乃彬李拂晓张斌陈堂胜蒋幼泉沈亚高建峰彭龙新中国电子科技集团公司第五十五研究所(南京)

本文简要地介绍了中国电子科技集团公司第五十五研究所在砷化镓微波单片集成电路研究与开发方面的进展与突破.采用砷化镓0.5微米MESFET、HFET、PHEMT技术研制成功各类宽带及窄带单片电路,金属陶瓷及塑料封装的多种产品已应用于各类军用... 详细信息

本文简要地介绍了中国电子科技集团公司第五十五研究所在砷化镓微波单片集成电路研究与开发方面的进展与突破.采用砷化镓0.5微米MESFET、HFET、PHEMT技术研制成功各类宽带及窄带单片电路,金属陶瓷及塑料封装的多种产品已应用于各类军用及民用系统中;工艺线采用统计工艺控制(SPC)技术对关键工艺节点实时监控,提高了工艺的稳定性和成品率;在稳定的工艺基础上,初步建立了各类器件的模型库,为单片电路的精确设计打下了基础.

关键词：砷化镓单片电路微波单片集成电路工艺控制

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在蓝宝石上MBE GaN外延膜的高温电导分析

在蓝宝石上MBE GaN外延膜的高温电导分析

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙殿照胡国新王万年王军喜王晓亮曾一平李晋闽林兰英中科院半导体所材料中心(北京)

用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了高阻GaN膜并用霍耳测试系统做了外延膜的高温变温电阻率测试和高温单个温度的霍耳测试.分析了自由电子浓度及其迁移率在高温随温度的变化,在此分析的基础上对高温变温电阻率实验... 详细信息

用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了高阻GaN膜并用霍耳测试系统做了外延膜的高温变温电阻率测试和高温单个温度的霍耳测试.分析了自由电子浓度及其迁移率在高温随温度的变化,在此分析的基础上对高温变温电阻率实验数据做了曲线拟合,得到有关外延膜重要参数,由此估计的穿透位错密度、深能级的激活能和浓度分别为(6-16)×10<'9>cm<'-2>、0.58eV和(2-7)×10<'18>cm<'-3>.

关键词：分子束外延氮化镓电导率深能级穿透位错半导体材料电导分析

来源：评论

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