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长波及窄带双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器
长波及窄带双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Yanhua Zhang 张艳华 Wenquan Ma 马文全 Yang Wei 卫炀 Jianliang Huang 黄建亮 Yulian Cao 曹玉莲 Kai Cui 崔凯 Xiaolu Guo 郭晓璐 Institute of Semiconductors Chinese Academy of SciencesBeijing100083 China 中国科学院半导体研究所 北京 100083
笔者已经生长出质量极高的长波二类超晶格红外探测材料,并研制成功具有不同界面类型的长波红外探测器及窄带双色红外探测器器件。X射线双晶衍射表明具有InSb界面类型的p-i-n型器件结构的卫星峰半宽为24弧秒,而混合界面的仅为17弧秒。InS... 详细信息
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ZnO dO铁磁性的可能来源
ZnO dO铁磁性的可能来源
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Chengxiao Peng 彭成晓 Yang Zhang 张杨 School of Physics and electronics Henan UniversityKaifeng475004China 河南大学物理与电子学院 开封 475004
通过第一性原理研究了ZnO本征半导体中本征缺陷和H杂质对ZnO dO铁磁性的影响。结果表明：单个锌空位(VZn)可以产生1.73μB磁矩,而氧空位(Vo)不能产生磁性,但是锌空位缺陷形成能比氧空位缺陷形成能要高出很多。当H杂质存在时,VZn+-II复... 详细信息
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SiC基稀磁半导体材料的微结构和磁性研究
SiC基稀磁半导体材料的微结构和磁性研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Zhicong Lv 吕志聪 Yu Tian 田宇 Haiwu Zheng 郑海务 Weifeng Zhang 张伟风 School of Physics and electronics Henan University Kaifeng 475004 China 河南大学物理与电子学院 开封 475004
稀磁半导体同时利用电子的电荷与自旋属性，一般是通过过渡金属掺杂半导体而得到。SiC在高能、高频、高温电子器件上有相对成熟的发展以及应用工艺，使其在稀磁半导体材料中具有潜在的应用前景。在本文中，采用溶胶。凝胶碳热还原法、气... 详细信息
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提高AlGaN/GaN HEMT关态击穿电压的纳米沟道阵列结构
提高AlGaN/GaN HEMT关态击穿电压的纳米沟道阵列结构
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Guodong Gu 顾国栋 蔡勇 Yong Cai Zhihong Feng 冯志红 Yue Wang 王越 Guohao yu 于国浩 Zhihua Dong 董志华 曾春红 Chunhong Zeng Baoshun Zhang 张宝顺 Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics CAS Suzhou 215123 China Science and Technology on 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州 215123 专用集成电路重点实验室 河北半导体所 石家庄 050051 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州 215123 Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics CAS Suzhou 215123 China Science and Technology on ASIC Lab Hebei Semiconductor Research Institute Shijiazhuang 050051 Chi 专用集成电路重点实验室 河北半导体所 石家庄 050051
本文提出了一种提高AlGaN/GaN HEMT的击穿电压的结构,即纳米沟道阵列。在栅漏间距为lm的情况下,含有纳米沟道阵列结构的器件的关态击穿电压达到105V,而无此结构的常规器件的击穿电压为54.5V。通过计算,纳米沟道阵列器件的栅漏之间的平... 详细信息
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氧气流量对Mg1-xZnxO薄膜择优取向的影响
氧气流量对Mg1-xZnxO薄膜择优取向的影响
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Yukun Shao 邵玉坤 韩舜 Shun Han Youming Lu 吕有明 Peijiang Cao 曹培江 Wenjun Liu 柳文军 Yuxiang Zeng 曾玉祥 Fang Jia 贾芳 朱德亮 Deliang Zhu Xiaocui Ma 马晓翠 Materials Science and Engineering Shenzhen University Shenzhen 518060 China 深圳大学 材料学院 深圳市特种功能材料重点实验室 深圳 518060
利用脉冲激光沉积技术，选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材，在非晶石英衬底上研究氧气流量对Mg1-xZnxO合金薄膜生长取向的影响。研究结果表明：在低压、低氧气流量条件下薄膜的成核生长主要受控于晶面的表面能，薄膜为(200)晶向;在沉积压... 详细信息
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p-NiO/n-GaN发光二极管光电特性的研究
p-NiO/n-GaN发光二极管光电特性的研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Hui Wang 王辉 武超 Chao Wu Jinxiang Zhang 张金香 Zhifeng Shi 史志锋 Baolin Zhang 张宝林 Yan Ma 马艳 董鑫 Xin Dong Guotong Du 杜国同 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics College of Electronic Science and Engineering J 集成光电子国家重点联合实验室 吉林大学电子科学与工程学院长春130012 河南科技大学物理科学与工程学院 洛阳 471003 集成光电子国家重点联合实验室 吉林大学电子科学与工程学院长春130012 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics College of Electronic Science and Engineering J
本文采用磁控溅射法在n-GaN衬底上成功制备了NiO薄膜，从而制备了p-NiO/n-GaN异质结发光二极管。测试并分析了NiO薄膜材料的结构、光学、电学特性。研究结果显示了NiO材料具有良好的结晶质量并呈现p型导电特性。电流-电压(I-V)特性测试... 详细信息
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低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善
低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Dongguo Zhaang 张东国 Zhonghui Li 李忠辉 Daqing Peng 彭大青 Xun Dong 董逊 Liang Li 李亮 Jinyu Ni 倪金玉 Science and Technology of Monolithic Integrated and Modules Circuits Key Laboratory Nanjing Electronic Devices Institute Nanfing 210016 China 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发... 详细信息
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喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响
喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Yunjie Ke 柯昀洁 梁红伟 Hongwei Liang Rensheng Shen 申人升 Shiwei Song 宋世巍 Xiaochuan Xia 夏晓川 Yang Liu 柳阳 张克雄 Kexiong Zhang Guotong Du 杜国同 School of Physics and Optoelectronic Technology Dalian University of Technology Dalian 116024 Ch 大连理工大学物理与光电工程学院 大连 116024 School of Physics and Optoelectronic Technology Dalian University of Technology Dalian 116024 Ch 大连理工大学物理与光电工程学院 大连 116024 集成光电子学国家重点实验室 电子科学与工程学院吉林大学长春 130012
在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表... 详细信息
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Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件制备及电学特性研究
Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件制备及电学特性研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Zhen Shen 沈震 Jincheng Zhang 张金城 Guilin Zhou 周桂林 Zhiyuan He 贺致远 姚尧 Yao Yao 倪毅强 Yiqiang Ni Fan Yang 杨帆 刘扬 Yang Liu School of Physics and electronics Sun Yat-sen University Guangzhou 510006 China 中山大学物理科学与工程技术学院 广州 510006
本文采用原子层沉积技术(ALD),在AlGaN/GaN异质结构上制备了10nm Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件。该器件阈值电压为-12V、最大沟道电流为880mA/mm、最大跨导为110meS/mm.通过将其同AlGaN/GaN HFET器件电学特性进行对比,发现Al2O... 详细信息
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高质量、实用化InP、GaSb和InAs单晶衬底批量生产
高质量、实用化InP、GaSb和InAs单晶衬底批量生产
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 赵有文 Youwen Zhao Manlong Duan 段满龙 Zhiyuan Dong 董志远 Jun Yang 杨俊 Jun Wang 王俊 Liu Gang 刘刚 Fengyun Yang 杨凤云 Fenghua Wang 王凤华 王应利 Yingli Wang Wei Lu 卢伟 中国科学院半导体研究所 北京 100083 Institute of Semiconductors Chinese Academy of SciencesBeijing 100083China
随着新型光电子、红外探测器、毫米波器件等制造技术的快速发展,对标准尺寸的高质量InP,GaSb和InAs单晶衬底的市场需求不断增加。本文介绍了采用液封直拉法批量生长直径2-4英寸的InP、GaSb和InAs单晶以及单晶衬底制备技术的一些最新进... 详细信息
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