检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：孙澜韩平叶强朱顺明郑有炓李健史君周坤南京大学物理系(南京)

本文应用拉曼散射方法研究了在不同温度下生长在Si(111)衬底上的3C-SiC外延层中的静力学应力.3C-SiC外延层是采用低压化学气相沉积(LPCVD)生长系统,以SiH和CH为气源,在相同的SiH和CH的流量和超低压(30Pa),在三种不同的反应温度(900□,95... 详细信息

本文应用拉曼散射方法研究了在不同温度下生长在Si(111)衬底上的3C-SiC外延层中的静力学应力.3C-SiC外延层是采用低压化学气相沉积(LPCVD)生长系统,以SiH<,4>和C<,2>H<,4>为气源,在相同的SiH<,4>和C<,2>H<,4>的流量和超低压(30Pa),在三种不同的反应温度(900□,950□,1000□),在Si(111)衬底上外延生长出的.拉曼散射结果揭示了3C-SiC外延层中的静力学应力是张应力,其大小分别为7.1×10<'9>dyn/cm<'2>,4.5×10<'9>dyn/cm<'2>.随着生长温度的提高,张应力明显减小,所获SiC样品的Raman散射谱中出现的TO、LO峰强度不断增大,可以认为生长温度的提高有利于获得高质量的SiC薄膜.

关键词：碳化硅外延生长化学气相淀积拉曼散射半导体材料应力学性质

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磷化铟中掺杂行为对其晶格常数和相邻外延层的影响

磷化铟中掺杂行为对其晶格常数和相邻外延层的影响

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：董宏伟赵有文焦景华曾一平李晋闽林兰英中国科学院半导体研究所材料科学中心(北京)

本文讨论了掺杂元素及其浓度的变化对磷化铟(InP)晶格常数带来的影响,并说明这种变化实际意义.研究结果表明:InP晶格大小变化的主要原因是由于掺杂元素的四面体共价半径不同于被替位的铟或磷原子而引起的.而且受分凝系数的限制,磷化铟... 详细信息

本文讨论了掺杂元素及其浓度的变化对磷化铟(InP)晶格常数带来的影响,并说明这种变化实际意义.研究结果表明:InP晶格大小变化的主要原因是由于掺杂元素的四面体共价半径不同于被替位的铟或磷原子而引起的.而且受分凝系数的限制,磷化铟中主要的掺杂剂仅限于Sn,S,Zn和Fe等几种元素.当掺杂元素的共价半径小于铟(或磷)时,磷化铟晶格倾向于变小.反之,当掺杂元素的半径大于铟(或磷)时,磷化铟晶格变大.为了比较,我们用固源分子束外延技术(SSMBE)在两种铁浓度不同的半绝缘InP衬底上生长了张应力In<,0.49>Al<,0.51>As外延层来作了进一步解释.双晶x射线的结果证实:在张应力条件下,掺有高浓度铁(>10<'16>cm<'-3>)的InP衬底与外延层的匹配度更好.这主要是由于一定浓度铁的替位使得磷化铟的晶格常数变小造成的.

关键词：磷化铟晶格常数双晶衍射 MBE 半导体材料掺杂元素分子束外延

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极低温度下失配外延层的MBE生长

极低温度下失配外延层的MBE生长

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：段瑞飞曾一平王宝强朱占平中科院半导体研究所新材料部(北京)

大失配异质结构的外延往往会导致SK生长模式的自组织量子点,而生长温度往往对量子点的密度产生很大的影响.为此,我们特意用MBE生长了极低温度下大失配的InGaAs/GaAs外延.结果发现,远远超过InGaAs/GaAs临界厚度(11ML)的InGaAs(14ML)在很... 详细信息

大失配异质结构的外延往往会导致SK生长模式的自组织量子点,而生长温度往往对量子点的密度产生很大的影响.为此,我们特意用MBE生长了极低温度下大失配的In<,0.35>Ga<,0.65>As/GaAs外延.结果发现,远远超过In<,0.35>Ga<,0.65>As/GaAs临界厚度(11ML)的In<,0.35>Ga<,0.65>As(14ML)在很低的温度下(460℃)并没有形成量子点.通过原子力显微镜(AFM)的观测,我们发现,沉积的In<,0.35>Ga<,0.65>As形成了单原子层的台阶状生长,每个台阶的高度几乎都接近In<,0.35>Ga<,0.65>As的晶格常数5.8A的一半,即一个原子单层.我们认为单层生长而非SK生长主要是由于极低温度下形成量子点的驱动力不够,即SK生长模式下量子点的形成不仅仅是一个动力学过程也是一个热力学的平衡过程,SK自组织量子点形成需要的驱动力来源于两个方面:晶格失配内应力和生长温度产生的外应力.二者之和最终决定量子点的形成.

关键词： GaAs基材料 AFM 单原子层生长半导体材料外延生长

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直径4″InP单晶生长研究

直径4″InP单晶生长研究

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙聂枫杨光耀陈秉克徐永强曹立新赵彦军安国雨齐志华谢德良刘二海周晓龙杨克武赵正平孙同年信息产业部电子第十三研究所(河北省石家庄市)

InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用.由于InP基的光电器件、微电子器件近些年发展十分迅速,所以各主... 详细信息

InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用.由于InP基的光电器件、微电子器件近些年发展十分迅速,所以各主要发达国家普遍加强了对大直径、高质量InP单晶材料研究的投入,以保证可靠的衬底来源.九十年代末美国、日本率先生长出4英寸InP单晶,而我国还停留在2-3英寸的水平上,为了与国际领先水平看齐我们也开展了4英寸InP单晶生长的研究.为进行更好的晶体生长工作得到优质的大尺寸InP单晶,对关系实验成败最关键因素的热场设计进行了专题实验研究.晶体直径一旦加大极易在晶体生长过程中出现孪晶,而且随着晶体直径的加大,位错密度也呈指数倍增加.所以为提高晶体质量,提高晶体成晶率,主要克服的是孪晶的出现和降低位错密度.通过对原有热场和生长工艺参数的改进,并探讨了避免大直径单晶生长易生成孪晶的机理,提出了避免<100>晶向晶体生长时孪晶出现的模型.通过多次试验,终于成功地在内径为129mm的坩埚中生长出100-104mm(4英寸)<111>、<100>晶向、整锭InP单晶.继而在内径为150mm的坩埚中重复生长出105-114mm大直径、低位错密度、无孪晶(少孪晶)的优质<100>晶向、整锭InP单晶材料.本工作的开展使我们在美、日后不久成为世界上第三个掌握4英寸InP单晶生长技术的国家,使我们单晶生长工艺达到了世界领先水平.我们有信心在不久的将来将4英寸高质量InP单晶成熟化,争取在未来的国际市场占有一席之地.

关键词：半导体材料单晶生长磷化铟单晶

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半导体材料

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电子科技文摘 2001年第5期 5-6页

Y2000-62524-239 0107442Si/Si 及 GexSi1-x/Si 超晶格自组织生长=Self-organizedgrowth of Si/Si and GexSi1-x/Si superlattices[会,英]/Klimovskaya,A.& Ostrovskii,I.//2000 IEEE Pro-ceedings of 22nd International Conferenc... 详细信息

Y2000-62524-239 0107442Si/Si 及 Ge_xSi_1-x/Si 超晶格自组织生长=Self-organizedgrowth of Si/Si and Ge_xSi_1-x/Si superlattices[会,英]/Klimovskaya,A.& Ostrovskii,I.//2000 IEEE Pro-ceedings of 22nd International Conference on Microelec-tronics,Vol.1.—239～241（EC）Z-51419 0107443第十一届全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议论文集[会]/中国电子学会半导体与集成技术、电子材料学分会.—2000.11.—54页（C）本会议录从材料生长与测试。

关键词：化合物半导体光电器件微波器件功能材料自组织生长超晶格集成技术电子材料学术会议高速电子

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全国化合物半导体、微波器和光电器件学术会议成功举行

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电子产品世界 2000年第12期 67-67页

作者：叶钟灵

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化合物半导体近红外光荧光测试中的布里渊散射

化合物半导体近红外光荧光测试中的布里渊散射

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全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：丁国庆武汉电信器件公司(武汉)

报告了InGaAsP/InP异质体材料光荧光测试中的受激布里渊散射，实验表明，该类材料在温度为20～150K，光入射功率为4.5～6.0mW，观测到光荧光谱(PLS)中强度和频移对称的多声子伴线，并讨论了它们的特性。

关键词：布里渊散射声子伴线异质结构体材料

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InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

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全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：李国辉杨茹于民曾一平韩卫北京师范大学低能核物理所中科院半导体所(北京)

InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料。离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题。采用Fe注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果。用Be注入制作了新结构HPT的基区。研制成功了在1.55μm波长工作的InG... 详细信息

InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料。离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题。采用Fe<'+>注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果。用Be<'+>注入制作了新结构HPT的基区。研制成功了在1.55μm波长工作的InGaAs/InP新结构光电晶体管，在0.3μW入射光条件下，光电增益为350。

关键词：半导体材料离子注入新结构HPT

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氮化镓基电子与光电子器件

氮化镓基电子与光电子器件

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全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：李效白专用集成电路国家重点实验室(石家庄)

GaN具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点，是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料。宽禁带Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的性能和研究进展已经使大功率紫外光／蓝光／绿光光发射二极管走... 详细信息

GaN具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点，是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料。宽禁带Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的性能和研究进展已经使大功率紫外光／蓝光／绿光光发射二极管走向商业市场，证明InGaAs/GaN/AlGaAs紫罗兰色异质结激光器能够在室温和脉冲或连续波条件下工作，是性能优越的光电器件的理想材料。该文综述了上述研究成果。

关键词：氮化硅发光管激光管场效应管异质结双极晶体管

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光纤光栅器件的长期稳定性及其寿命预期

光纤光栅器件的长期稳定性及其寿命预期

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全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：陈莉武汉化工学院(武汉)

阐述了紫外写入光纤Bragg光栅的光谱特性退化机制及其对器件应用的影响，并给出了预期器件寿命的理论和实验方法。

关键词：光纤光栅器件性能退化长期稳定性寿命预期

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