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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
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- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
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- 1 篇 软件工程
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- 18 篇 化学
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
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23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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1.3μm InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器

1.3μm InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：张永刚陈建新陈意桥中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料，采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量，测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈... 详细信息

采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料，采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量，测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于10mA，在25℃至90℃温度范围内特征温度大于90K，并表现出较好的单纵模特性。

关键词：量子阱结构半导体激光器化合物半导体

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1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究

1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：钱家俊叶小玲徐波中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)

介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长，器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm，腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm，激射波长为1.08μm，连续波工作最大光功率输出为2.74W（双面），外微分效率为88℅，经5... 详细信息

介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长，器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm，腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm<'2>，激射波长为1.08μm，连续波工作最大光功率输出为2.74W（双面），外微分效率为88℅，经50℃，1000h老化，仍有＞1.2W的光功率输出。

关键词：应变自组装量子点材料量子点激光器电致发光谱

来源：评论

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一种新型的超导磁场单晶炉的研制

一种新型的超导磁场单晶炉的研制

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：吴金良钟兴儒中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室国家微重力实验室(北京)

磁场对于半导体晶体生长过程中的流动模式有着明显的影响，因而可以改善晶体的组分和杂质的分布。在半导体单晶生长过程当中利用超导磁场来抑制熔体的对流，采用这种方式既可以生长出优质的单晶又可以研究熔体的对流与扩散对生长半导体... 详细信息

磁场对于半导体晶体生长过程中的流动模式有着明显的影响，因而可以改善晶体的组分和杂质的分布。在半导体单晶生长过程当中利用超导磁场来抑制熔体的对流，采用这种方式既可以生长出优质的单晶又可以研究熔体的对流与扩散对生长半导体单晶的质量影响。该文报道了新近自行设计、制造的一种新型超导磁场直拉单晶炉。

关键词：磁场单晶炉

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RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究

RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：海潮和靳伟中国科学院微电子中心香港科技大学

从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手，以0.6umnmos为基础，设计并研制了在芯片内部具有高Q值的平面电感的SOI低噪声放大器电路。电路在1.5V电压下，中心频率1.5GHz时峰值增益为24dB，浮体SOI器件结构的LNA电路比体接触结构的... 详细信息

从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手，以0.6umnmos为基础，设计并研制了在芯片内部具有高Q值的平面电感的SOI低噪声放大器电路。电路在1.5V电压下，中心频率1.5GHz时峰值增益为24dB，浮体SOI器件结构的LNA电路比体接触结构的LNA电路有更高的增益和较低的噪声。

关键词： RF 芯片浮体放大器

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0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件操作中的应用

0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件操作中的应用

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：叶甜春谢常青李兵陈朝晖张绵中国科学院微电子中心(北京) 信息产业部电子13所(石家庄)

对同步辐射X射线光刻及在GaAs PHEMT器件制作中的应用进行了研究，并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT晶体管。研究结果表明，X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaA... 详细信息

对同步辐射X射线光刻及在GaAs PHEMT器件制作中的应用进行了研究，并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT晶体管。研究结果表明，X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键。

关键词： X射线光刻 T型栅

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高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器

高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：石家纬张素梅齐丽云吉林大学电子工程系集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区

通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h)，阈值电流随老化时间的延长而下降，下降幅度高达57mA，从1000h多的恒流电老化结果可以看出，器件的输出光功率在老化初期有所上升，... 详细信息

通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h)，阈值电流随老化时间的延长而下降，下降幅度高达57mA，从1000h多的恒流电老化结果可以看出，器件的输出光功率在老化初期有所上升，随后，表现出按指数规律缓慢下降的行为。初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力。

关键词：高功率单量子阱远结半导体激光器

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GaAs的ICP选择刻蚀研究

GaAs的ICP选择刻蚀研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：王惟林刘训春魏珂郭晓旭王润梅中科院微电子中心(北京)

选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步。由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差，且精度难以控制，因此有必要进行干法刻蚀的研究。虽然采用反应离子刻蚀(RIE)、磁增强离子刻蚀(MERIE)可以进行选择刻蚀，但是这两种方法在挖槽时会对器件造成... 详细信息

选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步。由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差，且精度难以控制，因此有必要进行干法刻蚀的研究。虽然采用反应离子刻蚀(RIE)、磁增强离子刻蚀(MERIE)可以进行选择刻蚀，但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤，影响器件性能。感应耦合等离子刻蚀(ICP)是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法，在GaAs器件的制造中有突出的优点.该工作进行了GaAs/AlGaAs的选择刻蚀研究，GaAs/AlGaAs的选择比达到840:1，取得较理想的刻蚀结果。

关键词：半导体材料选择刻蚀半导体器件

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大功率半导体激光光束整形技术及其在泵浦方面的应用

大功率半导体激光光束整形技术及其在泵浦方面的应用

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：薄报学宋晓伟吉林大学电子工程系光电子与集团光学国家重点实验室长春光学精密机械长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室

在分析大功率半导体激光器的光束输出特性的基础上，针对Nd:YVO/KTP腔内倍频激光器的泵浦光源要求，研究了大功率半导体激光器光束输出的多种整形方法，同时比较了不同泵浦光束形状对Nd:YVO/KTP腔内倍频激光器输出效率的影响。

在分析大功率半导体激光器的光束输出特性的基础上，针对Nd:YVO<,4>/KTP腔内倍频激光器的泵浦光源要求，研究了大功率半导体激光器光束输出的多种整形方法，同时比较了不同泵浦光束形状对Nd:YVO<,4>/KTP腔内倍频激光器输出效率的影响。

关键词：光束整形半导体激光器腔内倍频转换效率

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反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究

反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：陆建祖魏红振李玉鉴集成光电子学国家实验室中国科学院半导体所(北京)

以SF/N混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法：在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型，可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比，并且以仿真实验数据训练模... 详细信息

以SF<,6>/N<,2>混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法：在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型，可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比，并且以仿真实验数据训练模型学习，模型具有通用性，与设备无关。

关键词：干法刻蚀工艺仿真人工神经网络

来源：评论

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InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术

InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：李献杰曾庆明徐晓春信息产业部电子第十三研究所(石家庄) 吉林大学光集成国家重点实验室(长信息产业部电子第十三研究所(石家庄)

用HPO:HO系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAs HBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频率F和最大振荡率F分别为11GHz和12GHz。

用H<,3>PO<,4>:H<,2>O<,2>系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAs HBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频率F<,1>和最大振荡率F<,max>分别为11GHz和12GHz。

关键词：选择腐蚀半导体器件湿法化学

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