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- 1 篇 教育学
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43 篇 西安电子科技大学
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30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

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35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
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27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
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21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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混合应变量子阱材料的x-射线双晶衍射研究

混合应变量子阱材料的x-射线双晶衍射研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：张哲民金锦炎邮电科学研究院电信器件公司理工大学光电子工程系(武汉)

研究人员研究了混合应变量子阱结构的MOCVD生长，并通过X射线双晶衍射曲线理论模拟，对混合应变量子阱结构进行了分析。归纳出了混合应变量子阱结构的X射线双晶衍射曲线满足的规律。

关键词：混合应变量子阱材料 x-射线双晶衍射

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短周期AlGaAs／GaAs超晶格的MOCVD生长及调射线衍射研究

短周期AlGaAs／GaAs超晶格的MOCVD生长及调射线衍射研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：王向武程祺祥电子器件研究所

生长了短周期AlGBAs/GaAs超晶格，并通过双晶X射线衍射谱，对MOCVD）超薄层AlGaAS、的生长进行了研究。从衍射谱卫星峰的级数及pendellosong干涉条纹的出现，定性地对晶格结构及界面作出评价。X光衍射测量结果与HEMT结构电学性能结果有... 详细信息

生长了短周期AlGBAs/GaAs超晶格，并通过双晶X射线衍射谱，对MOCVD）超薄层AlGaAS、的生长进行了研究。从衍射谱卫星峰的级数及pendellosong干涉条纹的出现，定性地对晶格结构及界面作出评价。X光衍射测量结果与HEMT结构电学性能结果有较好的对应关系。

关键词：短周期AlGaAs／GaAs超晶格 MOCVD生长调射线衍射

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波导器件的曲线连接器的设计

波导器件的曲线连接器的设计

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：戴恩光吴德明大学电子学系

当前光学、电声学和电子学中低损耗波导连接元件的曲线设计是当前器件设计的一个重要方面，特别是当波导层与声、光约束层之间的折射率差不大时，这种设计尤为必要。该文提出了声、光、电波导器件中都存在一个波导连接器的曲线设计问题... 详细信息

当前光学、电声学和电子学中低损耗波导连接元件的曲线设计是当前器件设计的一个重要方面，特别是当波导层与声、光约束层之间的折射率差不大时，这种设计尤为必要。该文提出了声、光、电波导器件中都存在一个波导连接器的曲线设计问题，然后通过耦合模方法得出的结论，给出了连接器的设计方法。

关键词：波导器件曲线连接器

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具有脊波导结构的长波长部分增益耦合型分布反馈半导体激光器

具有脊波导结构的长波长部分增益耦合型分布反馈半导体激光器

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：孙长征文国鹏光电子学国家重点联合实验室清华大学电子工程系电信器件公司

该文从理论上分析了1.55um脊波导结构增益耦合型分布反馈半导体激光器的优化设计并进行了实际器件的制作。实验中采用增益与折射率混合光栅引入部分增益耦合，并采用倒台形状的脊波导结构以实现横模限制。制作的器件实现了单模工作，阈... 详细信息

该文从理论上分析了1.55um脊波导结构增益耦合型分布反馈半导体激光器的优化设计并进行了实际器件的制作。实验中采用增益与折射率混合光栅引入部分增益耦合，并采用倒台形状的脊波导结构以实现横模限制。制作的器件实现了单模工作，阈值电流20~30mA边模抑制比大于30 dB。

关键词：脊波导结构半导体激光器

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GaAs VCSEL/MISS混合集成光子“或”门

GaAs VCSEL/MISS混合集成光子“或”门

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：林世鸣康学军院半导体所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)

该文报道了GaAs VCSEL/MISS混合集成光子“或”门的制备及其特性。制备GaAsMISS光电开关工艺中，将MBE生长的超薄AlAS层氧化为AxOy层，并将AxOy用作MISS器件的超薄半绝缘层，这一方法解决了制备MISS器件的关键工艺即制备重复性、均匀... 详细信息

该文报道了GaAs VCSEL/MISS混合集成光子“或”门的制备及其特性。制备GaAsMISS光电开关工艺中，将MBE生长的超薄AlAS层氧化为AxOy层，并将AxOy用作MISS器件的超薄半绝缘层，这一方法解决了制备MISS器件的关键工艺即制备重复性、均匀性、稳定性好的超薄半绝缘层。在成功地研制出VCSEL和GaAsMISS的基础上制备出了VCSEL/MISS的混合光子“或”门。此集成器件可用于自由空间光互连或光计算。

关键词：半导体激光器集成光子开关氧化

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立方相GaN外延材料的研究

立方相GaN外延材料的研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：杨辉郑联喜科学院半导体研究所国家光电子工艺中心(北京)

研究人员用MoCVD和MBE的方法生长了国际一流水平的立方相GaN，用X-光双晶衍射，PL谱，腊曼散射谱等方法对材料的相纯度，光学质量和结构性质进行了检测。X-光双晶衍射（002）衍射峰的0/20扫描FWHM为3arcmin，w扫描FWHM为20arcmin。室温P... 详细信息

研究人员用MoCVD和MBE的方法生长了国际一流水平的立方相GaN，用X-光双晶衍射，PL谱，腊曼散射谱等方法对材料的相纯度，光学质量和结构性质进行了检测。X-光双晶衍射（002）衍射峰的0/20扫描FWHM为3arcmin，w扫描FWHM为20arcmin。室温PL光谱有很强的立方相GaN带边峰，其FWHM为53meV。

关键词：立方相GaN 外延材料

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8mm功率PHEMT研制

8mm功率PHEMT研制

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：郑雪帆陈效建电子器件研究所

报道了8mm功率PHBMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs／InGaAs PHEMT材料，采用0.2um的T型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率PHEMT的初步测试结果为：Idss:365 mA/mm:gmO:320 mS／mm;Vp：-1.0~-2.0V。总栅宽为750um的功率器... 详细信息

报道了8mm功率PHBMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs／InGaAs PHEMT材料，采用0.2um的T型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率PHEMT的初步测试结果为：Idss:365 mA/mm:gmO:320 mS／mm;Vp：-1.0~-2.0V。总栅宽为750um的功率器件在频率为33CHz时，饱和输出功率大于280mW，功率密度达到380 mW/mm，增益大于6 dB。

关键词： 8mm功率 PHEMT

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GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究

GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：徐大鹏杨辉光电子工艺中心北京中科院半导体所

该文首次报道在高温生长条件下用低压MoCVD在GaAs（100）面的生长立方相GaN的外延膜生长速率随时间衰减的特性，给出GaN外延膜的厚度同生长时间的非线性关系，同时建立了同实验相符合的理论模型。研究人员着重分析讨论生长温度及源的流... 详细信息

该文首次报道在高温生长条件下用低压MoCVD在GaAs（100）面的生长立方相GaN的外延膜生长速率随时间衰减的特性，给出GaN外延膜的厚度同生长时间的非线性关系，同时建立了同实验相符合的理论模型。研究人员着重分析讨论生长温度及源的流量对这种非线性关系影响。

关键词： GaAs衬底 MOCVD 生长立方相GaN材料生长速率

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带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PIN探测器的研究

带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PIN探测器的研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：涂之韬王任凡邮电科学研究院电信器件公司

该文提出了高速GaInAs／InP平面PIN探测器基本设计原理;并基于这一原理设计研制了带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PTN探测器，该器件具有高速响应（15GH2带宽），高响应度（R．为0.98A/W），低暗电（ID=0.01nA），低电容（0.2Pf)和高... 详细信息

该文提出了高速GaInAs／InP平面PIN探测器基本设计原理;并基于这一原理设计研制了带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PTN探测器，该器件具有高速响应（15GH2带宽），高响应度（R．为0.98A/W），低暗电（ID=0.01nA），低电容（0.2Pf)和高可靠性。

关键词： GaInAs/InP平面PIN探测器

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界面态对HEMT直流输出特性的影响

界面态对HEMT直流输出特性的影响

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：张兴宏胡雨生科学院上海冶金研究所(上海) 科学院半导体研究所(北京)

该文利用高电子迁移率晶体管（HEMT）的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对AlGaAs／GaAsHEMT直流输出特性的影响。考虑界面态的作用，详细分析了不同界面态密度对HEMT的1—V特性和器件跨导的影响，研究人员的研究结果表明随着... 详细信息

该文利用高电子迁移率晶体管（HEMT）的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对AlGaAs／GaAsHEMT直流输出特性的影响。考虑界面态的作用，详细分析了不同界面态密度对HEMT的1—V特性和器件跨导的影响，研究人员的研究结果表明随着界面态密度的增加。栅极电压对电流的控制能力减小，从而使器件的跨导减小。

关键词：界面态 HEMT 直流输出特性

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