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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
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- 204 篇 光学工程
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- 6 篇 化学工程与技术
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- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
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- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
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23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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长波（8—14um）红外焦平面器件用MoCVDHgCdTe薄膜材料的制备

长波（8—14um）红外焦平面器件用MoCVDHgCdTe薄膜材料的制备

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：俞振中马可军院上海技术物理研究所

该文在细致分析研制HgcdTe红外焦平面器件如何对晶体材料参数进行选取与控制的基础上，对MoCVD技术生长HgCdTe薄膜材料的技术路线、工艺参数控制、热处理过程等有关内容进行了阐述。文章最后对作者所生长的MoCVD-HgCDTe薄膜材料的性能... 详细信息

该文在细致分析研制HgcdTe红外焦平面器件如何对晶体材料参数进行选取与控制的基础上，对MoCVD技术生长HgCdTe薄膜材料的技术路线、工艺参数控制、热处理过程等有关内容进行了阐述。文章最后对作者所生长的MoCVD-HgCDTe薄膜材料的性能与器件研制情况进行了介绍。

关键词：长波红外焦平面器件 MoCVDHgCdTe薄膜材料

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用于微波功率测量的新型薄膜／半导体热偶

用于微波功率测量的新型薄膜／半导体热偶

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：郭方敏丁玲科学院上海冶金研究所一室传感技术国家重点实验室

新型薄膜／半导体热偶是用于微波测量的功率计探头的关键元件，它具有灵敏度高、动态范围大、零点漂移小、噪声低等特点。它是采用半导体薄膜技术制成的以半导体薄片为基片，并作为热偶臂的薄膜／半导体热偶。它集成了半导体外延、重掺... 详细信息

新型薄膜／半导体热偶是用于微波测量的功率计探头的关键元件，它具有灵敏度高、动态范围大、零点漂移小、噪声低等特点。它是采用半导体薄膜技术制成的以半导体薄片为基片，并作为热偶臂的薄膜／半导体热偶。它集成了半导体外延、重掺杂、超薄硅杯（5um）。薄膜热偶、梁式引线等多项高难度先进技术。薄膜／半导体的热偶研制成功，将使中国微波测试技术进入国际先进水平。

关键词：微波功率薄膜／半导体热偶

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AlGaInP／GaAs HBT器件的高温特性及失效机理的研究

AlGaInP／GaAs HBT器件的高温特性及失效机理的研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：束伟民吴杰科学院上海冶金研究所(上海)

该文研究了Al、Gan、In、P/GaAs异质结双极型晶体管（HBT）器件从室温到673K的输出特性，发现器件的直流电流增益从室温到623K下降不到l0，并且有很好的线性。在673K时，器件发生失效。通过对失效器件的E-B结和B-C结的二极管特性及对基... 详细信息

该文研究了Al、Gan、In、P/GaAs异质结双极型晶体管（HBT）器件从室温到673K的输出特性，发现器件的直流电流增益从室温到623K下降不到l0，并且有很好的线性。在673K时，器件发生失效。通过对失效器件的E-B结和B-C结的二极管特性及对基区欧姆电极的二次离子质谱的分析，表明器件的失效原因是由于基极金属穿透基区使B-C结短路造成。

关键词： AlGaInP／GaAs HBT器件高温特性失效机理

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GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件弛豫振荡模式的研究

GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件弛豫振荡模式的研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：薛舫时体超晶格国家重点实验室(北京)

该文运用多能谷电子隧穿理论和MonteCarlo模拟建立了异质谷间转移电子器件的动态工作模拟模型。在此基础上编制成模拟设计软件，对各类结构器件进行了模拟计算。发现了两种谷间转移电子效应间的强相互作用和新的豫振荡核式。运用该模式... 详细信息

该文运用多能谷电子隧穿理论和MonteCarlo模拟建立了异质谷间转移电子器件的动态工作模拟模型。在此基础上编制成模拟设计软件，对各类结构器件进行了模拟计算。发现了两种谷间转移电子效应间的强相互作用和新的豫振荡核式。运用该模式解释了器件的各类振荡和放大性能和量于阱控制极的重要控制功能。

关键词： GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件弛豫振荡模式

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光纤用户接入网用低成本高可靠155Mb／s光收发合一模块的研究

光纤用户接入网用低成本高可靠155Mb／s光收发合一模块的研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：夏火元张明杰邮电科学研究院电信器件司

该文简单阐述了研制光纤用户接入网用低成本高可靠光收发合一模块的目的和意义，介绍了国内外概况及发展趋势，详细论述了研究人员研制光收发合一模块的设计思想、设计原理、特点和制作方法，以及他们所达到的技术水平。

关键词：光纤用户接入网低成本 155Mb／s光收发合一模块

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线路监控用的1625／1550nm波分复用耦合器研制

线路监控用的1625／1550nm波分复用耦合器研制

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：邓桂华工青林邮电科学研究院固体器件研究所

该文介绍了利用熔融拉锥工艺来制作线路监控用的1625／1550nm的波分复用耦合器的原理和方法，并对研制样品进行了光谱分析：研制的1625／1550nm的波分复用耦合器样品其隔离度为大于等于15dB，损耗小于0.2dB，工作带宽为±5nm。

关键词：线路监控 1625／1550nm波分复用耦合器

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对高Al组分AlGaAs表面GaAs薄膜的选择性腐蚀

对高Al组分AlGaAs表面GaAs薄膜的选择性腐蚀

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：公延宁汪乐科学院上海冶金研究所半导体材料与器件研究室(上海)

由GaAs和高Al组分Al、Ga1-xAS（x=0.8~0.9）构成的异质薄膜体系是许多光电器件中的常规结构。对该异质结构的GaAs和AlGaAs的选择性腐蚀工艺是器件制备过程中的一道关键工序。该文针对传统腐蚀工艺中出现的腐蚀后裸露的AlGaAs表面彩色化... 详细信息

由GaAs和高Al组分Al、Ga1-xAS（x=0.8~0.9）构成的异质薄膜体系是许多光电器件中的常规结构。对该异质结构的GaAs和AlGaAs的选择性腐蚀工艺是器件制备过程中的一道关键工序。该文针对传统腐蚀工艺中出现的腐蚀后裸露的AlGaAs表面彩色化的问题，进行了深入系统的研究，得到了较为满意的氨水-双氧水-磷酸（NH、OH-H2O2-H3PO4）新配方属蚀液体系。这种腐蚀液体系不仅可在较宽的溶液浓度范围内实现对高Al组分GaAs/alGaAS异质结构的选择性腐蚀，而且也不会对裸露的AiGaAs外观产生明显影响。最后，该文还对腐蚀机理作了初步探索。

关键词：高Al组分选择性腐蚀

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高性能1.55um InGaAsP/InP应变量于阱DFB激光器的研制

高性能1.55um InGaAsP/InP应变量于阱DFB激光器的研制

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：沈坤周宁邮电科学研究院电信器件公司

该文报道了利用低压MOCVD研制的1.55um应变量子阱DFB激光器。DFB激光器在25℃下的阈值电流为8-15mA，单面效率可达0.28mW/mA．边模抑制比为40dB-20dB的谱宽小于0.3nm。单模成品率为90℅。在25-45℃范围内，DFB激光器的特征温度为117k这... 详细信息

该文报道了利用低压MOCVD研制的1.55um应变量子阱DFB激光器。DFB激光器在25℃下的阈值电流为8-15mA，单面效率可达0.28mW/mA．边模抑制比为40dB-20dB的谱宽小于0.3nm。单模成品率为90℅。在25-45℃范围内，DFB激光器的特征温度为117k这是目前文献报道的最好结果。

关键词：高性能 1.55um InGaAsP/InP应变量子阱DFB激光器

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1.55um In GaAsP／InP部分增益耦合分布反馈式激光器与电吸收调制器的单片集成——制作与静态特性（1）

1.55um In GaAsP／InP部分增益耦合分布反馈式激光器与电吸收调制...

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：文国鹏孙长征电信器件公司光电子学国家重点联合实验室清华大学电子工程系(北京)

该文首次报道一种结构简单的1.55um InGaAsP／InP部分增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件。该器件采用脊波导结构进行横模限制，阈值电流大约为30～50mA，边模抑制比大于40 dB，调制电压为3V时消光比11 dB。

关键词：反馈式激光器电吸收调制器单片集成静态特性

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GaP：N LPE半导体材料位错密度和位错坑形态分析

GaP：N LPE半导体材料位错密度和位错坑形态分析

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：李永良郝京海师范大学分析测试中心(北京)

该文利用扫描电子显微镜，详细地研究了GaP:NLPE材料中位错密度和发光的关系及位错坑形态。结果发现，样品经外延后，外延层的位错密度比衬度的位错密度有不同程度的下降，因样品各异，下降幅度由37到83：外延层的位错密度越低，样品的... 详细信息

该文利用扫描电子显微镜，详细地研究了GaP:NLPE材料中位错密度和发光的关系及位错坑形态。结果发现，样品经外延后，外延层的位错密度比衬度的位错密度有不同程度的下降，因样品各异，下降幅度由37到83：外延层的位错密度越低，样品的发光越好。位错坑的形态有正六棱锥形、不等边六棱锥形和正三棱锥形三种形状，随着腐蚀过程进行。正六棱锥形坑渐渐演变为正三棱锥形坑。

关键词： GaP N LPE半导体材料位错密度位错坑形态分析

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