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基于Suzulki分布MIMO信道模型的研究
基于Suzulki分布MIMO信道模型的研究
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者： 陆安现 申东娅 崔燕妮 袁东 惠明 于敏 陈杰 云南大学信息学院 昆明 650091
以信息理论的观点为基础,本文对MIMO信道容量进行推导,得到了MIMO系统在输入信号向量为循环对称高斯信号向量且平均分配功率条件下,可以达到比传统SISO通信系统高的多的信道容量的结论.通过分析和研究,提出基于Suzuki分布MIMO信道模型,... 详细信息
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高速低功耗直接数字频率合成器的FPGA实现
高速低功耗直接数字频率合成器的FPGA实现
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者： 钱考华 李晓鹏 张有涛 钱峰 中电集团第55研究所 集成电路设计部 南京 210016 中电集团第55研究所 集成电路设计部 南京 210016 中电集团第55研究所 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京 210016
介绍了DDS的基本原理和结构以及CORDIC算法,用CORDIC算法实现了DDS的相位一幅度转换电路,并设计引入了逆sinc函数数字校正滤波器对系统输出幅频特性加以修正,弥补了DAC的幅频衰减特性,最后给出了FPGA的运行结果.
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用于手机的新型宽带双天线系统
用于手机的新型宽带双天线系统
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者： 郑煊 杜正伟 清华大学 电子工程系 微波与数字通信技术国家重点实验室 北京 100084
在个人移动通信宽带化需求的推动下,multiple-input multiple-output(MIMO)技术应运而生,并得到了广泛关注.MIMO技术充分利用信道的多径特性,可以大大提高信道容量,而天线的实现是MIMO技术中的关键技术之一.本文提出了一种新型的双天线... 详细信息
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PIN二极管的微波非线性模型
PIN二极管的微波非线性模型
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者： 吴茹菲 尹军舰 张海英 中国科学院微电子研究所 北京市100029
文章介绍了基于物理的PIN二极管微波非线性模型.通过理论分析和定量计算,该模型描述了Ⅰ区的电荷贮存效应及其导致的PIN二极管阻抗随频率的变化关系,从而实现包含PIN二极管Ⅰ区贮存电荷效应的仿真.在理想模型的基础上,该模型还考虑了重... 详细信息
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8～18GHz 限幅开关放大器组件
8～18GHz 限幅开关放大器组件
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者： 张小红 钱志宇 江浚清 中国电子科技集团公司第五十五研究所 南京 210016
介绍了一种在接收大信号时通过控制信号来控制射频开关,使信号直通通过;接收小信号时通过控制信号来控制射频开关,使信号通过放大器放大输出,从而使输入信号功率在大范围变化时,输出信号保持在一定范围内,起到扩展动态范围作用的限幅开... 详细信息
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微波频率对硅双极型晶体管微波烧毁效应的影响
微波频率对硅双极型晶体管微波烧毁效应的影响
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者： 陈曦 杜正伟 龚克 清华大学 电子工程系 微波与数字通信技术国家重点实验室 北京 100084
基极注入晶体管的微波脉冲有可能导致晶体管烧毁.频率是微波脉冲的重要参数之一.本文仿真研究了该参数对硅双极型晶体管管芯烧毁过程的影响,得到以下结论,对目前常见的微波脉冲骚扰源和小功率硅双极型晶体管管芯而言,存在一个拐点频率,... 详细信息
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平坦衰落下MIMO信道容量和相关性对容量影响的研究
平坦衰落下MIMO信道容量和相关性对容量影响的研究
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者： 赵翠芹 申东娅 崔燕妮 张雪梅 陆安现 于敏 袁东 黄碧祥 云南大学信息学院 昆明 650091
多输入多输出(MIMO)技术在不增加发射功率和带宽消耗的情况下具有大幅提高无线通信速率的潜力.本文详细的分析了多输入多输出基本理论,并结合SISO、MISO、和SIMO对MIMO的信道容量进行了分析,深入研究收发多天线、角度扩展对MIMO信道空... 详细信息
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大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究
大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者： 陈刚 蒋幼泉 李哲洋 张涛 吴鹏 冯忠 汪浩 陈征 陈雪兰 柏松 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家级重点实验室210016
本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,制作出单胞总栅宽1mm、3.6mm、9mm、20mm的芯片,经过装架、压丝,通过自... 详细信息
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磁控溅射AlN介质的AlGaN/GaN MIS-HEMT
磁控溅射AlN介质的AlGaN/GaN MIS-HEMT
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者： 任春江 陈堂胜 焦刚 钟世昌 薛舫时 陈辰 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016
本文报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能... 详细信息
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ADF4108的原理及应用
ADF4108的原理及应用
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者： 李兵 李剑平 朱文亚 航天科工集团8511研究所 南京市 210007
在无线通信领域中，高性能频率源是通信设备、雷达、电子侦察和对抗设备、精密测量仪器的核心部件。现代通信系统对频率源的精度、分辨率、转换时间及频谱纯度等提出了越来越高的要求，性能卓越的频率源均通过频率合成技术来实现。频率... 详细信息
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