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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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125 篇 会议

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125 篇 电子文献
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学科分类号

111 篇 工学
- 58 篇 材料科学与工程（可...
- 35 篇 核科学与技术
- 17 篇 机械工程
- 14 篇 电子科学与技术（可...
- 5 篇 光学工程
- 3 篇 仪器科学与技术
- 2 篇 化学工程与技术
- 1 篇 力学（可授工学、理...
- 1 篇 动力工程及工程热...
- 1 篇 电气工程
- 1 篇 生物医学工程（可授...
- 1 篇 软件工程
- 1 篇 生物工程
39 篇 理学
- 35 篇 物理学
- 3 篇 化学
- 2 篇 大气科学
1 篇 医学
- 1 篇 临床医学

主题

12 篇 离子源
10 篇 离子注入
8 篇 等离子体
6 篇 电子枪
5 篇 微波离子源
5 篇 特性研究
5 篇 离子束
5 篇 强流脉冲电子束
4 篇 平面光波导
4 篇 多弧离子镀
4 篇 电子束焊接
4 篇 表面形貌
3 篇 ecr
3 篇 化学气相沉积
3 篇 类金刚石膜
3 篇 磁控溅射
3 篇 摩擦学性能
3 篇 离子镀
3 篇 表面改性
3 篇 显微组织

机构

22 篇 北京大学
10 篇 北京印刷学院
10 篇 中国科学院近代物...
8 篇 山东大学
6 篇 大连理工大学
6 篇 哈尔滨工业大学
5 篇 装甲兵工程学院
5 篇 武汉大学
4 篇 中国工程物理研究...
4 篇 西北核技术研究所
4 篇 西安交通大学
4 篇 北京机械工业自动...
4 篇 中国科学院电子学...
4 篇 北京航空航天大学
3 篇 江苏大学
3 篇 四川大学
3 篇 北京师范大学
3 篇 中国工程物理研究...
3 篇 中国科学院上海应...
2 篇 中科院空间中心

作者

10 篇 陈强
6 篇 任海涛
6 篇 吕鹏南
6 篇 宋执中
6 篇 徐蓉
6 篇 郭之虞
6 篇 张萌
6 篇 袁忠喜
6 篇 彭士香
6 篇 赵捷
6 篇 赵红卫
6 篇 董闯
6 篇 于金祥
5 篇 郝胜智
5 篇 蔡志海
5 篇 王雪林
5 篇 张雪珍
5 篇 王辉
5 篇 吴先映
5 篇 孙良亭

语言

124 篇 中文
1 篇 英文

检索条件"任意字段=全国第十二届电子束离子束学术年会、第九届电子束焊接学术交流会、第十一届离子源学术交流会、高能束加工技术研讨会、第十届粒子加速器学术交流会暨荷电粒子源、粒子束会议"

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PECVD法沉积类金刚石膜的研究

PECVD法沉积类金刚石膜的研究

引用

全国第十二届电子束离子束学术年会、第九届电子束焊接学术交流会、第十一届离子源学术交流会、高能束加工技术研讨会、第十届粒子加速器学术交流会暨荷电粒子源、粒子束会议

作者：杨莉陈强北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室北京02600

以C2H2 为碳源，Ar 气为辅助气体，利用射频等离子体化学气相沉积的方法在载玻片和PET 膜上制备了类金刚石(diamond-like carbon，DLC)薄膜。利用红外光谱(FTIR)和视频光学接触角测量仪(DSA100)对类金刚石薄膜的结构、成分进行了细致的... 详细信息

以C2H2 为碳源，Ar 气为辅助气体，利用射频等离子体化学气相沉积的方法在载玻片和PET 膜上制备了类金刚石(diamond-like carbon，DLC)薄膜。利用红外光谱(FTIR)和视频光学接触角测量仪(DSA100)对类金刚石薄膜的结构、成分进行了细致的分析;利用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌;同时，透氧测试来研究薄膜的阻隔性能与薄膜的结构之间的关系。另外，还利用摩擦磨损仪对薄膜的机械性能进行了研究。实验结果表明，PECVD 制备的DLC 薄膜比较致密、均匀，有较好的耐磨性能。

关键词：类金刚石膜结构分析等离子体化学气相沉积薄膜结构表面形貌

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微波离子源放电室材料对离子比的影响

微波离子源放电室材料对离子比的影响

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作者：徐蓉郭之虞赵捷宋执中彭士香张萌吕鹏南任海涛于金祥袁忠喜中国科学院电工研究所北京100190 北京大学重离子物理研究所核物理与核技术国家重点实验室北京100871 北京大学重离子物理研究所核物理与核技术国家重点实验室北京100871

高的离子比可以降低对总束流强度的要求，亦可以减小无用离子引起的额外负载。为了提高离子比，实验研究了不同放电室材料和源室尺寸对离子比的影响，分别采用铜、不锈钢、铝、陶瓷和石英材料作为放电室的内衬，对北京大学ECR 质子源产... 详细信息

高的离子比可以降低对总束流强度的要求，亦可以减小无用离子引起的额外负载。为了提高离子比，实验研究了不同放电室材料和源室尺寸对离子比的影响，分别采用铜、不锈钢、铝、陶瓷和石英材料作为放电室的内衬，对北京大学ECR 质子源产生的脉冲束质子比进行了测量，同时发现材料表面清洁度对质子比有很大的影响。在脉冲重复频率为166Hz、脉宽1ms、引出电压 45kV、放电真空2.0*10－3Pa、微波功率2.31kW时，陶瓷材料的平顶质子比达96.1％，净质子平均流强可达12.8mA，总流强76.5mA。

关键词：质子比放电室材料脉冲束离子源总束流强度表面清洁度

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强流脉冲粒子束技术研究新进展

强流脉冲粒子束技术研究新进展

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作者：杨海亮曾江涛黄建军任书庆张永民邱爱慈孙剑锋高屹苏兆锋孙凤举李静雅梁天学尹佳辉西北核技术研究所陕西西安69信箱10分箱710024

主要介绍了国内外近几年强流脉冲粒子束技术研究的新动向，重点介绍了目前国际上强流脉冲粒子束技术研究的热点问题—强箍缩聚焦二极管的理论和数值模拟结果，简要描述了强流电子束在预充等离子体二极管中的动力学行为，分析了目前国际... 详细信息

主要介绍了国内外近几年强流脉冲粒子束技术研究的新动向，重点介绍了目前国际上强流脉冲粒子束技术研究的热点问题—强箍缩聚焦二极管的理论和数值模拟结果，简要描述了强流电子束在预充等离子体二极管中的动力学行为，分析了目前国际上正在进行热门研究的自箍缩二极管、傍轴二极管、浸磁二极管等几种强箍缩聚焦二极管的基本特性以及研究情况和取得的结果，并对不同类型的二极管性能进行了分析比较。最后介绍了采用自箍缩离子束二极管产生高功率离子束的研究情况以及开展的应用基础研究工作。

关键词：阳极杆箍缩二极管离子束二极管等离子体粒子束数值模拟

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等离子焊接电弧双弧现象的模拟分析

等离子焊接电弧双弧现象的模拟分析

引用

作者：雷玉成韩明娟王健江苏大学材料科学与工程学院江苏镇江212013

依据磁流体动力学理论，运用有限元分析软件ANSYS 构建了三维稳态下轴对称条件下的直流正极性等离子焊接电弧的数学模型。针对造成双弧现象的原因，模拟分析了由于电流过大、喷嘴压缩孔径过小和钨极偏心三种因素所导致的双弧现象。得到... 详细信息

依据磁流体动力学理论，运用有限元分析软件ANSYS 构建了三维稳态下轴对称条件下的直流正极性等离子焊接电弧的数学模型。针对造成双弧现象的原因，模拟分析了由于电流过大、喷嘴压缩孔径过小和钨极偏心三种因素所导致的双弧现象。得到了三种情况下双弧现象的温度场以及电流密度的分布情况，并进行了对比分析。分析结果表明，三种情况下产生的双弧的外形并不完全相同但都由主弧和副弧组成;三种情况所产生的双弧都使得喷嘴温度升高，特别是在阴极斑点附近的温度尤其高，最高甚至达到5000K 以上，足以烧毁喷嘴。

关键词：等离子焊接焊接电弧磁流体动力学有限元分析双弧现象

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近物所全永磁ECR离子源

近物所全永磁ECR离子源

引用

作者：孙良亭沙杉谢祖祺赵红卫张雪珍李锦钰王辉马宝华郭晓虹尚勇李锡霞中国科学院近代物理研究所兰州730000 Berkeley Ion Equipment Inc. Santa Clara California USA

ECR(电子回旋共振)离子源是产生稳定的强流多电荷态离子束流最有效装置。全永磁ECR 离子源因其独特的特点为很多中小型多电荷态离子束流实验平台与离子注入机等系统所采用，为后者产生重复性好、稳定性强的多电荷态离子束流。本文着重... 详细信息

ECR(电子回旋共振)离子源是产生稳定的强流多电荷态离子束流最有效装置。全永磁ECR 离子源因其独特的特点为很多中小型多电荷态离子束流实验平台与离子注入机等系统所采用，为后者产生重复性好、稳定性强的多电荷态离子束流。本文着重论述了中国科学院近代物理研究所研制的几台全永磁多电荷态ECR 离子源及其特性与典型性能，如能产生强流高电荷态离子束流的高性能全永磁离子源LAPECR2，能产生强流中低电荷态离子束流的LAPECR1，能产生多电荷态重金属离子束流的LAPECR1-M 以及正在研制中主要用于产生强流C5+束流的LAPECR3等。这些性能稳定的离子源为提高近代物理研究所相关试验平台的性能提供了关键的束流品质保障。

关键词：全永磁多电荷态电子回旋共振离子源束流品质

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等离子复合处理技术制备光催化性能TiO2薄膜

等离子复合处理技术制备光催化性能TiO2薄膜

引用

作者：王鹤峰李秀燕杨成全唐宾太原理工大学表面工程研究所山西太原030024 山西大同大学物理与电子科学学院山西大同037009

利用离子渗镀和真空热氧化复合处理技术，在不锈钢表面制备成分结构可控的TiO2薄膜。借助图像分析仪、辉光放电光谱分析仪(GDOES)和X射线衍射仪对薄膜进行表征与分析。以苯酚废水为对象进行了光催化降解试验，对比研究了不锈钢基材TiO2... 详细信息

利用离子渗镀和真空热氧化复合处理技术，在不锈钢表面制备成分结构可控的TiO2薄膜。借助图像分析仪、辉光放电光谱分析仪(GDOES)和X射线衍射仪对薄膜进行表征与分析。以苯酚废水为对象进行了光催化降解试验，对比研究了不锈钢基材TiO2薄膜与商品TiO2粉末的光催化活性。结果表明：在400-600℃工艺温度范围，不锈钢表面均形成了致密、均匀的锐钛矿型TiO2薄膜，且Ti、O元素呈梯度分布;TiO2薄膜具有较高的光催化活性，3h内降解率达74.5％。

关键词：光催化性能离子渗镀真空热氧化复合处理法二氧化钛薄膜

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离子注入制备Si基稀磁半导体研究

离子注入制备Si基稀磁半导体研究

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作者：欧阳中亮陈海英 C. X.Liu 郭立平黎明叶舟施训艾志伟彭挺付德君杜红林武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室武汉430072 北京大学物理学院北京100871 Department of Mathematics Alabama A&M University4900 Meridian StreetNormal AL 35762USA

用200Kv Mn离子注入p型Si(001)单晶，在1×1015~５×101６ Mn+/cm2注入剂量范围内都观测到磁滞回线，表明样品有铁磁性存在。随着注入剂量的增加，饱和磁化强度有增强的趋势，退火后磁化强度较退火前有较大幅度的减小,增加退火... 详细信息

用200Kv Mn离子注入p型Si(001)单晶，在1×1015~５×101６ Mn+/cm2注入剂量范围内都观测到磁滞回线，表明样品有铁磁性存在。随着注入剂量的增加，饱和磁化强度有增强的趋势，退火后磁化强度较退火前有较大幅度的减小,增加退火温度又逐渐增加。Mn原子的平均磁矩随着注入剂量的增加逐渐减小。对于高注入剂量样品，退火后Mn原子磁矩值较退火前显著减小,增加退火温度，磁矩值逐渐增加。对于低注入剂量样品，Mn原子磁矩值则呈现出随退火温度增加而略有增加，而后又大幅度减小。

关键词：稀磁半导体离子注入磁化强度退火处理退火温度磁矩值

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等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究

等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究

引用

作者：张军峰陈强张跃飞刘福平刘忠伟北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理及材料研究室北京102600

以六甲基二硅氧烷[(CH3)3-Si-O-Si-(CH3)3，HMDSO]为单体，在等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜过程中，研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分子。通过四极杆质谱仪对气相中的中间产物及活性粒子进行原位诊断，进行... 详细信息

以六甲基二硅氧烷[(CH3)3-Si-O-Si-(CH3)3，HMDSO]为单体，在等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜过程中，研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分子。通过四极杆质谱仪对气相中的中间产物及活性粒子进行原位诊断，进行了不同功率、气压及O2与HMDSO比例等的影响研究。实验发现：高功率，低气压，及O2含量的增加有利于有机硅化合物的裂解，氧化硅沉积过程中质荷比为147的离子是气相反应形成含硅粒子的主要前驱体，对薄膜的形成起主要作用。

关键词：化学气相沉积氧化硅薄膜质谱诊断薄膜生长

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磁控溅射与离子镀技术在高分子核孔膜中的沉积形貌研究

磁控溅射与离子镀技术在高分子核孔膜中的沉积形貌研究

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作者：梁爱凤杨化伟王宇钢北京机械工业自动化研究所山东省农业机械科学研究所北京大学重离子物理研究所

本文中针对磁控溅射镀膜和离子镀两种物理气相沉积方法的不同，开展了高分子纳米核孔膜基的金膜沉积研究，分析了纳米级金粒子在纳米孔中的结晶成核过程及其形貌。结果表明，在同样的高分子纳米核孔膜中，离子镀比磁控溅射镀膜方法得到... 详细信息

本文中针对磁控溅射镀膜和离子镀两种物理气相沉积方法的不同，开展了高分子纳米核孔膜基的金膜沉积研究，分析了纳米级金粒子在纳米孔中的结晶成核过程及其形貌。结果表明，在同样的高分子纳米核孔膜中，离子镀比磁控溅射镀膜方法得到的膜层表面更为平整，后者在纳米孔内形成高度为1～2 μm，大端直径为纳米孔的直径，小端为针状的晶体结构，而同样的沉积时间离子镀得到的结晶体较为圆滑，没有锥状物的出现。同时针对磁控溅射镀膜方法而言，随着镀膜沉积时间的延长，结晶体在纳米孔中的形状保持不变，但纳米孔边缘有明显的收缩趋势。

关键词：金薄膜聚酯膜纳米孔磁控溅射离子镀沉积形貌

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强流RFQ加速器注入器的研究进展

强流RFQ加速器注入器的研究进展

引用

作者：彭士香郭之虞张萌赵捷徐蓉任海涛吕鹏南宋执中于金祥袁忠喜北京大学物理学院重离子物理研究所核物理与核技术国家重点实验室100871

用于中子照相的2MeV RFQ加速器要求注入器提供50mA@50keV的脉冲D+离子束，束流占空比为1/10，发射度0.2π.***，α=1.93，β=5.16cm/rad。为实现注入器的优化设计，我们建设了用于研究2.45GHz的永磁微波离子源特性的离子源实验台(短台)... 详细信息

用于中子照相的2MeV RFQ加速器要求注入器提供50mA@50keV的脉冲D+离子束，束流占空比为1/10，发射度0.2π.***，α=1.93，β=5.16cm/rad。为实现注入器的优化设计，我们建设了用于研究2.45GHz的永磁微波离子源特性的离子源实验台(短台)和用于研究束流输运的低能束流输运线(LEBT)实验台(长台)。两个实验台均具备束流测量、发射度研究和离子比分析等功能。除此之外，LEBT还可以研究束流输运效率。当微波功率小于450W时，微波源引出氢离子流的总流强大于80mA，质子比好于90％。束流的归一化均方根发射度约为0.2～0.3π.***。利用该台还研究了源室的尺度和放电室内衬材料对放电的影响，为源体的优化提供了依据。LEBT实验台使用了一个半包围结构螺线管磁透镜，束流传输效率大于80％。

关键词：注入器发射度传输效率微波离子源中子照相加速器

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