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石墨烯复合透明电极对GaN基LED热、电性能的影响
石墨烯复合透明电极对GaN基LED热、电性能的影响
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者: 闫泉喜 方亮 龙兴明 罗海军 张淑芳 吴芳 重庆大学物理学院应用物理系 重庆 401331 重庆电子工程职业学院 软件学院重庆401331
石墨烯(Gr)因具有超高的电导率和透光率被广泛应用在光电子器件做窗口电极.但研究表明:Gr和P-GaN功函数不匹配,导致产生较高的肖特基势垒,使得Gr作为透明电极应用于GaN基LED仍有系列问题,如启动电压偏大等.为降低Gr与p-GaN之间的功函... 详细信息
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AlGaN/GaN HEMT场板下SiNx厚度对电流崩塌的影响
AlGaN/GaN HEMT场板下SiNx厚度对电流崩塌的影响
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者: 宋亮 付凯 张志利 孙世闯 于国浩 蔡勇 张宝顺 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州215123 华中科技大学武汉光电国家实验室 武汉430002
以AlGaN/GaN HEMT为代表的GaN基功率晶体管由于具有带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,成为当前功率器件研究的热点.然而随着AlGaN/GaN HEMT器件所处理电压电流值的增加,电流崩塌现象,即AlGaN/GaN HEMT器件在动态下... 详细信息
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具有雪崩特性的Si基AlGaN/GaN MISHEMT
具有雪崩特性的Si基AlGaN/GaN MISHEMT
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者: 贾利芳 何志 梁亚楠 李迪 张韵 樊中朝 王军喜 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 北京 100083 中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心 北京 100083
第一代和第二代半导体材料相比,氮化镓(GaN)具有更禁带度、更高的临界击穿电场强度以更高的电子迁移率.由于Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的极化效应,在AlGaN/GaN异质结界面处可形成高浓度、高迁移率的二维电子气.总之基于AlGaN/GaN的电... 详细信息
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AlN的HVPE生长特性研究
AlN的HVPE生长特性研究
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者: 张纪才 黄俊 孙茂松 王建峰 徐科 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州纳维科技有限公司 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
AlN其合金是深紫光电子器件和高频大功率微波器件的理想制备材料.然而由于AlN本身的材料特性,导致其生长制备比较困难.般而言,其生长温度通常比较高,如国内外报道MOCVD和HVPE的生长温度般在1400℃以上.本工作利用自主研制的高温H... 详细信息
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面向3-5μm大气窗口的GaN基红外探测器研究
面向3-5μm大气窗口的GaN基红外探测器研究
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者: 荣新 王新强 陈广 郑显通 王平 许福军 陈涌海 沈波 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京100871 中国科学院半导体所 北京100083
作为第三代半导体材料的典型代表,氮化物材料在击穿电场、电子饱和迁移速度、热导率、抗辐射以能量弛豫时间等方面具有更大的优势.基于子带间跃迁的GaN基量子阱红外探测器可实现从1微米到亚毫米波段的全红外光谱探测.同时,氮化物具有... 详细信息
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Mg掺杂非平面AlGaN量子结构设计与能带调控
Mg掺杂非平面AlGaN量子结构设计与能带调控
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者: 林伟 郑同场 李德鹏 李金钗 李书平 康俊勇 厦门大学物理与机电工程学院 福建省半导体材料及应用重点实验室厦门361005
禁带AlGaN具有热导率高、击穿电压高、电子饱和速率高、介电常数低、物理化学性质稳定等诸多优异性能,作为第三代半导体创新的下个前沿,是制造紫外光电子器件理想且不可取代的材料,有着广阔的应用前景和巨大的市场需求.尽管AlGaN的... 详细信息
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AlGaN基深紫外发光器件的研究进展
AlGaN基深紫外发光器件的研究进展
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者: 张韵 闫建昌 田迎冬 郭亚楠 陈翔 孙莉莉 魏同波 王军喜 李晋闽 中国科学院半导体研究所 北京100083
AlGaN基深紫外(Deep Ultraviolet,DUV)发光器件主要包括深紫外发光二极管(light emitting diodes,LEDs)和激光二极管(laser diodes,LDs),在杀菌消毒、生化探测、超高密度光存储、非视距通信等领域有广阔的应用前景,近年来在科研和产业... 详细信息
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氮化镓体单晶生长进展
氮化镓体单晶生长进展
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者: 任国强 王建峰 苏旭军 刘宗亮 徐科 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州215123 苏州纳维科技有限公司 苏州215123
当前,GaN基器件在高温、高频率、高功率密度的微电子器件和可见区短波段紫外波段的光电子器件应用领域展现了巨大的优势.然而目前GaN器件主要采用蓝宝石衬底,通过异质外延方法制作,存在较大的晶格适配和热适配,得到的GaN外延层位错密... 详细信息
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低温、带隙、高迁移率的氧化物半导体材料其在薄膜晶体管中的应用
低温、宽带隙、高迁移率的氧化物半导体材料及其在薄膜晶体管中的...
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者: 兰林锋 发光材料与器件国家重点实验室 华南理工大学广州 510640
基于氧化物半导体的薄膜晶体管(Oxide TFTs)以其优异的性能被认为是在OLED显示中具有很大的应用潜力种TFT[1,2].与传统的硅基TFT相比,氧化物TFT具有载流子迁移率较高、电学性能均性好、成本低以可大面积制备等优点.随着研究的不... 详细信息
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Ⅲ-Ⅴ半导体材料研究与器件开发的新技术路线-Nano-X
Ⅲ-Ⅴ半导体材料研究与器件开发的新技术路线-Nano-X
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者: 丁孙安 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
随着纳米器件尺度的进步缩小,材料的表面、界面特性对器件性能的影响越来越大,而目前的制造技术却很难解决大气环境(特别是氧、碳、水气)在工艺过程中对材料表面的不利影响.另方面,纳米新材料的不断涌现,应用基础研究和器件工艺开... 详细信息
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