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GaN基蓝光激光器退化机制的研究
GaN基蓝光激光器退化机制的研究
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者： 温鹏雁 张书明 李德尧 刘建平 张立群 周坤 田爱琴 张峰 杨辉 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州 215123 中科院纳米材料与器件重点实验室 苏州 215123
本文研究了GaN基蓝光激光器的退化机制.通过对激光器老化前后光电特性测试分析,发现GaN基蓝光激光器老化过程中光输出功率随时间增加下降、阈值增加、斜率效率下降;通过微区光致发光谱(PL)测量,发现老化后激光器有源区发光减弱;利用变... 详细信息
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宽带隙半导体SiC器件表面界面基础问题研究进展
宽带隙半导体SiC器件表面界面基础问题研究进展
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者： 王德君 大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院 辽宁大连116024
宽带隙半导体碳化硅(SiC)材料具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在高耐压、高温高频和抗辐射器件方面能够实现硅材料无法实现的高功率和低损耗等优异性能,在电力系统、电动汽车、通讯、航天和军事等领域中具... 详细信息
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薄膜厚度与生长温度对C面蓝宝石衬底上外延生长的SnO2薄膜结构及光学性能的影响
薄膜厚度与生长温度对C面蓝宝石衬底上外延生长的SnO2薄膜结构及...
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者： 张迷 郑丽兰 黎明锴 何云赋 有机化工新材料湖北省协同创新中心 功能材料绿色制备与应用省部共建教育部重点实验室湖北大学材料科学与工程学院湖北武汉430062
SnO2是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,与目前应用较多的宽禁带半导体GaN、ZnO相比具有更好的化学稳定性、更宽的带隙(3.6eV)等特性.近年来这些特性使得SnO2作为制备短波长发光器件的理想材料而倍受关注.然而目前SnO2的应用与研究... 详细信息
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基于AlGaN/GaN缓变异质结的极化掺杂场效应晶体管
基于AlGaN/GaN缓变异质结的极化掺杂场效应晶体管
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者： 冯志红 专用集成电路国家级重点实验室 河北半导体研究所石家庄050051
作为Ⅲ族氮化物材料最鲜明的特点之一,极化效应在Ⅲ族氮化物微电子和光电子器件中扮演了十分重要的角色.在AlGaN/GaN突变结界面处由于极化效应产生的二维电子气是GaN HFET的工作基础.基于AlGaN/GaN缓变异质结的极化掺杂场效应晶体管器... 详细信息
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AlGaN基紫外LED器件及高密封装技术研究进展
AlGaN基紫外LED器件及高密封装技术研究进展
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者： 戴江南 张建宝 张骏 吴峰 王帅 梁仁瓅 李乐 陈长清 华中科技大学/武汉光电国家实验室 武汉430074 武汉优炜星科技有限公司 武汉430075
当前,AlGaN基紫外LED正成为世界各大公司(飞利浦、韩国LG等)和研究机构新的研究焦点之一.国内目前关于紫外LED的研究工作属于起步发展阶段,仍存在紫外发光功率低、可靠性差、寿命较低等许多问题亟需解决.本文中，主要通过MOCVD技术，研... 详细信息
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大尺寸氮化铝晶体制备技术研究
大尺寸氮化铝晶体制备技术研究
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者： 武红磊 孙振华 郑瑞生 深圳大学光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室 深圳518060
氮化铝(AlN)晶体是新型宽禁带半导体材料的典型代表,具有6.2eV的直接带隙、高热导率、高击穿场强、高电子饱和速率、高抗辐射能力等优良特性,且无毒性,对人体无害,对环境无污染,以及原料来源丰富.因此,氮化铝晶体是制作紫外光电器件以... 详细信息
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生长温度对非极性m面ZnOS外延薄膜结构和光学性能的影响
生长温度对非极性m面ZnOS外延薄膜结构和光学性能的影响
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者： 丁雅丽 林银银 梁国进 黎明锴 何云赋 有机化工新材料湖北省协同创新中心 功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室湖北大学材料科学与工程学院
高质量非极性面取向ZnOS薄膜的生长制备及其结构和性能探究具有重要的学术意义和潜在应用价值.由于极性面量子阱受到斯塔克效应的影响,近年来人们对ZnO的研究已经扩展到了非极性面.对于阴离子改性的ZnOS合金,虽然对其极性面的生长和性... 详细信息
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GaN场效应晶体管的器件隔离技术
GaN场效应晶体管的器件隔离技术
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者： 江滢 敖金平 王德君 大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院 辽宁大连116024 德岛大学先端技术科学教育部 日本德岛770-8506
氮化镓(GaN)半导体具有宽带隙、高饱和电子漂移速率、高临界击穿电场及通过异质结结构形成高电子密度的二维电子气等材料特性,使其在高温、高频电力电子器件领域具有独特的优势.AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)和GaN金属-氧化物-半... 详细信息
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单晶金刚石及电子器件的研究
单晶金刚石及电子器件的研究
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者： 王宏兴 王玮 张景文 樊叔维 卜忍安 侯洵 宽禁带半导体材料与器件研究中心 西安交通大学西安710049
金刚石薄膜集宽禁带(5.45eV)、低介电常数(5.5)、高击穿场强(＞10MV/cm)、高载流子迁移率(4500cm2·V-1·s-1(电子)、3800cm2·V-1·s-1(空穴))和高热导率(22W/cm/K)等优秀特性于一体,这使得金刚石半导体成为高温、高... 详细信息
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一种具有低漏电低导通电阻的600V Si基AlGaN/GaN MISFET
一种具有低漏电低导通电阻的600V Si基AlGaN/GaN MISFET
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
作者： 赵树峰 邓光敏 陈洪维 宋晰 冯雷 程凯 张乃千 裴轶 苏州捷芯威半导体有限公司 苏州能讯高能半导体有限公司 苏州晶湛半导体有限公司
随着功率器件技术的快速发展,基于传统的Si材料以及第二代半导体材料的功率器件已经无法满足实际应用中快速、低损耗等的迫切需求.GaN作为第三代半导体代表,具有宽禁带、高临界击穿电场强度,高的电子迁移率,高电子浓度和高热导率等特性... 详细信息
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