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115 篇 会议

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115 篇 电子文献
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112 篇 工学
- 99 篇 电子科学与技术（可...
- 88 篇 材料科学与工程（可...
- 25 篇 光学工程
- 16 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 化学工程与技术
- 1 篇 机械工程
- 1 篇 电气工程
- 1 篇 计算机科学与技术...
- 1 篇 核科学与技术
10 篇 理学
- 8 篇 物理学
- 3 篇 化学

主题

25 篇 氮化镓
9 篇 高电子迁移率晶体...
9 篇 氮化铝镓
6 篇 发光二极管
6 篇 制备工艺
4 篇 光学性能
4 篇 外延生长
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3 篇 可靠性
3 篇 内量子效率
3 篇 碳化硅
3 篇 场效应晶体管
3 篇 氢化物气相外延
3 篇 氮化铝
3 篇 光电子器件
3 篇 脉冲激光沉积法
2 篇 电流密度
2 篇 质量控制
2 篇 二氧化硅
2 篇 技术开发

机构

21 篇 中国科学院苏州纳...
15 篇 北京大学
11 篇 中国科学院半导体...
6 篇 华中科技大学
6 篇 厦门大学
4 篇 苏州纳维科技有限...
4 篇 中国科学院纳米器...
4 篇 上海大学
4 篇 浙江大学
4 篇 有机化工新材料湖...
3 篇 大连理工大学
3 篇 南京大学
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 清华大学
3 篇 武汉大学
3 篇 中山大学
2 篇 苏州晶湛半导体有...
2 篇 苏州能讯高能半导...
2 篇 中国科学院大学
2 篇 中国科学院苏州纳...

作者

12 篇 杨辉
9 篇 沈波
8 篇 刘建平
7 篇 孙钱
6 篇 张宝顺
6 篇 徐科
6 篇 张书明
6 篇 蔡勇
6 篇 王建峰
5 篇 李向阳
5 篇 周宇
5 篇 张纪才
5 篇 李德尧
5 篇 李水明
4 篇 赵德刚
4 篇 张保平
4 篇 张立群
4 篇 周坤
4 篇 许福军
4 篇 张峰

语言

113 篇 中文
2 篇 英文

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AlIn(Ga)N基高电子迁移率晶体管AlN插入层生长研究

AlIn(Ga)N基高电子迁移率晶体管AlN插入层生长研究

引用

第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：戴淑君周宇高宏伟陈小雪李水明孙钱中国科学院苏州纳米器件和应用重点实验室苏州215123

随着高频微波技术的发展和器件小型化的需求,与GaN近晶格匹配的宽禁带半导体AlInN由于存在超强的自发极化,可以作为高电子迁移率晶体管的超薄势垒层而被宽禁带半导体学者广泛研究。但是由于AlN和InN生长条件差异较大,要获得高质量的AlIn... 详细信息

随着高频微波技术的发展和器件小型化的需求,与GaN近晶格匹配的宽禁带半导体AlInN由于存在超强的自发极化,可以作为高电子迁移率晶体管的超薄势垒层而被宽禁带半导体学者广泛研究。但是由于AlN和InN生长条件差异较大,要获得高质量的AlInN势垒层实属不易,本文故意在AlInN中加入GaN作为媒介,中和AlN和InN的生长差异。在外延生长中,AlIn(Ga)N中In组分较高,势垒层生长温度低于沟道层,因此存在一个生长停顿降温的过程。通常情况下,作为防止合金散射的AlN插入层在高温下生长,与沟道层之间不存在生长停顿,以此来获得较高质量的2DEG界面,减少散射,提高迁移率。但是,经过降温生长势垒层之后,外延层表面存在10nm左右的深坑,因此大多数AlInN研究课题组都将AlN插入层与AlInN势垒层一起生长来获得光滑的表面[1]。

关键词： AlIn(Ga)N 高电子迁移率晶体管 AlN插入层

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氧化物半导体沟道层和高介电常数绝缘层材料的研究

氧化物半导体沟道层和高介电常数绝缘层材料的研究

引用

第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：张群李洪磊浦海峰崔璨严海复旦大学材料科学系TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室上海 200433

氧化物薄膜晶体管(TFT)因具有载流子迁移率高、关态电流小、宽禁带和工艺温度低等特点,在高分辨率、大面积、柔性、3D、透明和OLED等新型显示技术领域显示出良好的应用前景.氧化物半导体沟道层材料和栅介质层材料及其界面特性对氧化物T... 详细信息

氧化物薄膜晶体管(TFT)因具有载流子迁移率高、关态电流小、宽禁带和工艺温度低等特点,在高分辨率、大面积、柔性、3D、透明和OLED等新型显示技术领域显示出良好的应用前景.氧化物半导体沟道层材料和栅介质层材料及其界面特性对氧化物TFTs器件的电学性能和稳定性具有重要的作用.虽然a-IGZO-TFTs已经走向产业化,为了进一步提升氧化物TFTs的器件性能,拓展其应用领域,新型氧化物半导体沟道层材料和高介电常数栅绝缘层材料的研究依然受到广泛关注.近年来，课题组开展了非晶掺钨氧化铟锌TFTs（a-IZO:W-TFTs）和掺氮氧化铟锌TFTs(a-IZO:N-TFTs)的研究，评价了相应器件的电学性能和稳定性。研究表明，掺钨和掺氮均对TFTs器件性能及其稳定性具有较大的影响，钨和氮在沟道层中起到了氧空位抑制剂的作用。在掺钨含量为6.2at.％研制

关键词：氧化物薄膜晶体管沟道层绝缘层材料电学性能稳定性

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GaN基异质结构的外延生长和物性研究

GaN基异质结构的外延生长和物性研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：沈波北京大学宽禁带半导体研究中心人工微结构和介观物理国家重点实验室

GaN基异质结构在微波功率放大器和功率开关等电子器件领域有重大应用价值,同时作为一种典型的高导带阶跃、强极化半导体二维电子气(2DEG)体系,表现出一系列不同于传统半导体异质结构的物理性质.近几年来,运用金属有机化学气相沉积(MOCVD... 详细信息

GaN基异质结构在微波功率放大器和功率开关等电子器件领域有重大应用价值,同时作为一种典型的高导带阶跃、强极化半导体二维电子气(2DEG)体系,表现出一系列不同于传统半导体异质结构的物理性质.近几年来,运用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,系统研究了多种类型GaN基异质结构的外延生长,在蓝宝石和Si衬底上分别获得了高质量的AlGaN/GaN、晶格匹配InAlN/GaN异质结构,Si衬底上异质结构2DEG室温迁移率最高达到2240cm2/Vs.在此基础上,系统开展了InAlN/GaN异质结构漏电机理及其抑制方法、AlGaN/GaN异质结构高场输运性质、AlGaN/GaN异质结构界面陷阱态特性等电学性质工作.同时,在器件和器件物理研究方面,深入研究了Si衬底上GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)动态电阻增加的物理机制,并实现了Si衬底上高性能GaN基增强型功开关器件.

关键词：电子器件氮化镓基异质结构外延生长物理性质

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氮化镓二维电子气等离激元太赫兹器件

氮化镓二维电子气等离激元太赫兹器件

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：秦华孙建东张志鹏黄永丹余耀李想关东岷蔡勇张宝顺中国科学院纳米器件与应用重点实验室苏州215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123

固体电子器件的运行速度正向太赫兹频段发展.光子学和电子学在太赫兹波段的融合不断产生出新概念的器件.高效固态太赫兹光源、高速高灵敏度探测器和高速调制器是太赫兹技术应用最重要的有源器件.在1-3THz波段,常规的电子学器件和光子学... 详细信息

固体电子器件的运行速度正向太赫兹频段发展.光子学和电子学在太赫兹波段的融合不断产生出新概念的器件.高效固态太赫兹光源、高速高灵敏度探测器和高速调制器是太赫兹技术应用最重要的有源器件.在1-3THz波段,常规的电子学器件和光子学器件都变得相对低效.而半导体等离激元作为本征的相干电荷密度振荡,其频率恰好在0.1-3THz范围,因此长期以来一直被认为有望成为太赫兹器件,特别是光源器件的有效工作媒介.但是,由于固体中等离激元损耗高和电学激发效率低的问题,等离激元太赫兹光源和调制器的效率还较低,并且需要在较低的温度下工作.等离激元太赫兹器件与实用还有很大的距离.

关键词：太赫兹器件氮化镓异质结构二维电子气等离激元

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HVPE外延AlN膜的表面形貌研究

HVPE外延AlN膜的表面形貌研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：黄俊张纪才孙茂松王建峰徐科中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123 苏州纳维科技有限公司苏州215123

由于AlN具有禁带宽度大,热导率高,击穿电压高,与AlxGa1-xN合金材料晶格常数及热膨胀系数接近等特点,使得AlN成为AlxGa1-N基紫外光电子器件及高功率、高频电子器件最理想的衬底材料.AlN体材料的主要生长方法是物理气相沉积(PVT)和氢化物... 详细信息

由于AlN具有禁带宽度大,热导率高,击穿电压高,与AlxGa1-xN合金材料晶格常数及热膨胀系数接近等特点,使得AlN成为AlxGa1-N基紫外光电子器件及高功率、高频电子器件最理想的衬底材料.AlN体材料的主要生长方法是物理气相沉积(PVT)和氢化物气相外延(HVPE).相比于PVT技术,HVPE生长AlN的单晶具有杂质浓度低、光学性质好的特点,适合用于做为AlxGa1-xN基紫外发光及光电子器件的衬底材料.HVPE生长AlN虽然取得了一定进展,但是仍面临一系列问题,其中之一就是形貌控制.本论文系统的分析了影响AlN形貌的主要因素,以及这些因素的竞争关系,并给出了获得有原子台阶平滑表面的AlN的生长条件.

关键词：氮化铝膜氢化物气相外延表面形貌原子台阶平滑表面

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基于p型GaN盖帽层的增强型HEMT制备及基本电学特性研究

基于p型GaN盖帽层的增强型HEMT制备及基本电学特性研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：周宇李水明高宏伟陈小雪孙钱杨辉中国科学院纳米器件与应用重点实验室苏州215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123 中国科学院纳米器件与应用重点实验室苏州215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123 华中科技大学光学与电子信息学院武汉430074

相比于传统的硅基MOSFET,基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有低导通电阻、高击穿电压、高开关频率等独特优势,从而能够在各类电力转换系统中作为核心器件使用,在节能减耗方面有重要的应用前景,因此受到学术界、工业界... 详细信息

相比于传统的硅基MOSFET,基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有低导通电阻、高击穿电压、高开关频率等独特优势,从而能够在各类电力转换系统中作为核心器件使用,在节能减耗方面有重要的应用前景,因此受到学术界、工业界的极大重视.然而,由于Ⅲ族氮化物材料体系的极化效应,一般而言,基于AlGaN/GaN异质结的HEMT均是耗尽型(常开),该类型的器件应用于电路级系统中时,需要设计专门的负极性电源供给电路,以实现对器件的开关控制,这极大增加了电路的复杂性与成本.

关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓盖帽层制备工艺电学特性

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基于栅刻蚀的高性能增强型GaN MOSHEMT

基于栅刻蚀的高性能增强型GaN MOSHEMT

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：王茂傻林书勋桑飞陶明文正郝一龙沈波程凯北京大学微纳电子学研究院北京100871 北京大学物理学院北京100871 苏州晶湛半导体有限公司苏州215000

增强型工作的实现仍然是氮化镓电力电子器件制备的难点,常规栅刻蚀工艺在沟道区域引入的损伤使得载流子的迁移率急剧降低,严重影响器件的导通电阻1,2.通过材料结构设计和器件工艺的配合,在硅基GaN异质结结构上实现了一种自停止、无损伤... 详细信息

增强型工作的实现仍然是氮化镓电力电子器件制备的难点,常规栅刻蚀工艺在沟道区域引入的损伤使得载流子的迁移率急剧降低,严重影响器件的导通电阻1,2.通过材料结构设计和器件工艺的配合,在硅基GaN异质结结构上实现了一种自停止、无损伤栅极刻蚀技术,极大的提高了增强型器件的导通特性,实现了可与耗尽型器件相比拟的导通电阻.制备的基于氧化铝栅介质的混合GaN MOSHEMT,最大输出电流达到630mA/mm,增强型沟道的峰值迁移率达到1400cm2/Vs,器件耐压达1400V,最大功率品质因数达756MW/cm2,是目前业界增强型硅基GaN场效应晶体管所能达到的新高度.

关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓栅刻蚀异质结结构

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新型ZnO基四元合金设计、外延薄膜制备及其性能研究

新型ZnO基四元合金设计、外延薄膜制备及其性能研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：何云斌有机化工新材料湖北省协同创新中心功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室湖北大学材料科学与工程学院湖北武汉430062

实现ZnO带隙的自由调控是实现其在光电器件领域应用的前提条件之一,因此ZnO的能带工程近年来成为宽禁带半导体领域的研究热点.阳离子取代的合金材料(如MgZnO、CdZnO)的研究一直是ZnO能带工程的研究重点,而近年来对阴离子取代的ZnOS合金... 详细信息

实现ZnO带隙的自由调控是实现其在光电器件领域应用的前提条件之一,因此ZnO的能带工程近年来成为宽禁带半导体领域的研究热点.阳离子取代的合金材料(如MgZnO、CdZnO)的研究一直是ZnO能带工程的研究重点,而近年来对阴离子取代的ZnOS合金开展了系统研究.系统优化了PLD法在蓝宝石单晶衬底上外延生长ZnOS薄膜工艺,研究并揭示了S含量与ZnOS薄膜的晶体结构、能隙宽度及光学性能间的依赖关系.研究阴阳离子复合取代的MgZnOS 及CdZnOS四元合金。四元合金相对于三元合金，增加了一个调节自由度，可望通过阴阳取代离子的协同作用增加取代原子在Zn0晶格中的溶解度，同时由阴阳取代离子分开调节带隙和晶格常数，从而实现对Zn0晶体结构和电子能带结构的更自由和更宽范围的调控。

关键词：脉冲激光沉积氧化锌基四元合金外延薄膜制备工艺

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基于叠层掩膜图形衬底的GaN及LED选区侧向外延

基于叠层掩膜图形衬底的GaN及LED选区侧向外延

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：季清赋李磊张威严通行谢亚宏陈伟华胡晓东宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院北京中国材料科学与工程学院加州大学洛杉矶分校洛杉矶美国

GaN基器件近些年来发展快速.基于性价比的考虑,蓝宝石和硅衬底仍然是用来外延GaN的首要选择.但是不可避免的异质衬底会带来的晶格和热失配,进而造成GaN外延层的高位错密度.位错往往会充当非辐射复合中心,漏电通道,影响器件的光电效率和... 详细信息

GaN基器件近些年来发展快速.基于性价比的考虑,蓝宝石和硅衬底仍然是用来外延GaN的首要选择.但是不可避免的异质衬底会带来的晶格和热失配,进而造成GaN外延层的高位错密度.位错往往会充当非辐射复合中心,漏电通道,影响器件的光电效率和寿命.对激光器,以及对位错敏感的UV和HEMT器件,降低位错就成了一个首要解决的问题，发展了一种基于叠层掩膜衬底的一次外延技术，可以将位错密度降低到一个非常有竞争力的水平。并且叠层掩膜衬底外延的GaN薄膜，低位错密度区从传统的只有翼区，扩展到现在的翼区和窗口区都是低位错密度区。薄膜质量，可利用面积和生产效率这三个掣肘因素都得到了一部分的提升。并且为其他大晶格失陪和热失配的异质外延提供可一个可选的有效途径。

关键词：氮化镓发光二极管外延生长叠层掩膜图形衬底

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氢气对GaN基HEMT器件性能的影响

氢气对GaN基HEMT器件性能的影响

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：廖雪阳曾畅喻业宏李汝冠王远声工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州510610

目前,密闭封装的GaAs微波器件中存在着与氢效应(也称"氢中毒")相关的可靠性问题,这些可靠性问题会通过影响器件势垒层的有效失主浓度、改变肖特基内建势、减少沟道载流子浓度,从而使得微波器件的直流与微波性能发生退化.本文... 详细信息

目前,密闭封装的GaAs微波器件中存在着与氢效应(也称"氢中毒")相关的可靠性问题,这些可靠性问题会通过影响器件势垒层的有效失主浓度、改变肖特基内建势、减少沟道载流子浓度,从而使得微波器件的直流与微波性能发生退化.本文针对国产GaN基HEMT器件开展了氢气试验，研究了试验前后氢气对GaN基HEMT器件直流电参数的影响。氢气会对GaN基HEMT器件的栅漏二极管特性和栅延迟特性产生影响，主要原因是由于氢气分解成氢原子扩散至器件表面和势垒层中，钝化了表面态和部分势垒层缺陷。且氢气并不会如其他文献中所说，改变势垒层高度。在后续工作中，还需要进一步研究不同氢气浓度对器件性能、材料特性的影响。

关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓氢气直流电参数

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