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115 篇 会议

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112 篇 工学
- 99 篇 电子科学与技术（可...
- 88 篇 材料科学与工程（可...
- 25 篇 光学工程
- 16 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 化学工程与技术
- 1 篇 机械工程
- 1 篇 电气工程
- 1 篇 计算机科学与技术...
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- 8 篇 物理学
- 3 篇 化学

主题

25 篇 氮化镓
9 篇 高电子迁移率晶体...
9 篇 氮化铝镓
6 篇 发光二极管
6 篇 制备工艺
4 篇 光学性能
4 篇 外延生长
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3 篇 可靠性
3 篇 内量子效率
3 篇 碳化硅
3 篇 场效应晶体管
3 篇 氢化物气相外延
3 篇 氮化铝
3 篇 光电子器件
3 篇 脉冲激光沉积法
2 篇 电流密度
2 篇 质量控制
2 篇 二氧化硅
2 篇 技术开发

机构

21 篇 中国科学院苏州纳...
15 篇 北京大学
11 篇 中国科学院半导体...
6 篇 华中科技大学
6 篇 厦门大学
4 篇 苏州纳维科技有限...
4 篇 中国科学院纳米器...
4 篇 上海大学
4 篇 浙江大学
4 篇 有机化工新材料湖...
3 篇 大连理工大学
3 篇 南京大学
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 清华大学
3 篇 武汉大学
3 篇 中山大学
2 篇 苏州晶湛半导体有...
2 篇 苏州能讯高能半导...
2 篇 中国科学院大学
2 篇 中国科学院苏州纳...

作者

12 篇 杨辉
9 篇 沈波
8 篇 刘建平
7 篇 孙钱
6 篇 张宝顺
6 篇 徐科
6 篇 张书明
6 篇 蔡勇
6 篇 王建峰
5 篇 李向阳
5 篇 周宇
5 篇 张纪才
5 篇 李德尧
5 篇 李水明
4 篇 赵德刚
4 篇 张保平
4 篇 张立群
4 篇 周坤
4 篇 许福军
4 篇 张峰

语言

113 篇 中文
2 篇 英文

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高温栅槽刻蚀制备高性能硅基GaN增强型MIS-HEMTs

高温栅槽刻蚀制备高性能硅基GaN增强型MIS-HEMTs

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：施宜军黄森王鑫华陈晓娟刘果果魏珂刘新宇陈万军周琦张波李水明孙钱电子科技大学成都610054 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123

宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等优点,使得AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs/MIS-HEMTs)具有低的导通电阻、高的工作频率以及较低的栅极漏电... 详细信息

宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等优点,使得AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs/MIS-HEMTs)具有低的导通电阻、高的工作频率以及较低的栅极漏电,非常适用于下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求.常关型功率器件由于其安全性高和栅极驱动简单,广泛受电路应用的欢迎.对于常规的AlGaN/GaN结构需要把异质结界面的二维电子气(2DEG)耗尽,才能使器件实现常关型(normally-off).目前,常关型器件的制备方法最常用的有栅槽刻蚀,氟离子注入以及P-N结耗尽技术.等离子体感应耦合刻蚀(ICP)以其高效,低成本,高刻蚀选择等优点被广泛的应用于制备常关型器件.

关键词：高电子迁移率晶体管硅基氮化镓栅槽刻蚀电流崩塌

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AlGaN高电子迁移率晶体管Al2O3介质层研究

AlGaN高电子迁移率晶体管Al2O3介质层研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：陈小雪周宇李水明戴淑君高宏伟孙钱中国科学院苏州纳米器件和应用重点实验室苏州215123

GaN基电子器件因其高二维电子气密度、高电子迁移率和高击穿电压等显著优点受到国内外关注。经过十几年的发展,GaN基器件研究取得重大发展但任有许多问题亟待解决。如器件在大漏电压或RF条件下下出现电流崩塌效应,高压或高温条件下栅泄... 详细信息

GaN基电子器件因其高二维电子气密度、高电子迁移率和高击穿电压等显著优点受到国内外关注。经过十几年的发展,GaN基器件研究取得重大发展但任有许多问题亟待解决。如器件在大漏电压或RF条件下下出现电流崩塌效应,高压或高温条件下栅泄露电流增大。减小栅极漏电流的一个有效手段是在金属栅极与半导体之间引入绝缘层或者氧化层形成MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)型HEMT或MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)。为了进一步提高器件饱和输出电流、最大转移跨导,减小栅极漏电流并同时抑制短沟道效应,高-k材料成为栅介质的理想选择(源漏饱和电流IDS=k(VGS-VT)2;器件跨导G=((e)IDS/(e)VGS)|VDS)。目前MOS(MIS)型半导体电子器件HEMT中广泛采用的栅介质包括SiO2、Si3N4、Al2O3等,具有高K栅介质MOS(MIS)结构已经成为HEMT器件的发展趋势。

关键词：高电子迁移率晶体管 AlGaN Al2O3

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石墨烯/金刚石全碳异质结特性的研究

石墨烯/金刚石全碳异质结特性的研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：张景文郑旭颜建平李忠乐孟鹂陈旭东王宏兴西安交通大学电子与信息工程学院电子系西安710049 陕西省信息光子技术重点实验室西安710049 西安交通大学宽禁带半导体研究中心西安710049 西安交通大学-中科院半导体研究所联合实验室西安710049 电子物理与器件教育部重点实验室西安710049

石墨烯具有优良的电学、光学、热学、机械以及化学稳定性能,其在电子领域的应用受到了广泛关注和研究。金刚石良好的导热性及绝缘性能使其成为FET的理想衬底。因此,将石墨烯和金刚石二者有机地结合可以做成碳兼容的异质结,从而实现在金...

石墨烯具有优良的电学、光学、热学、机械以及化学稳定性能,其在电子领域的应用受到了广泛关注和研究。金刚石良好的导热性及绝缘性能使其成为FET的理想衬底。因此,将石墨烯和金刚石二者有机地结合可以做成碳兼容的异质结,从而实现在金刚石上的全碳电子器件。本文主要研究了化学气相法(CVD)生长的石墨烯转移到金刚石衬底上形成石墨烯/金刚石异质结的方法,并对转移后的石墨烯/金刚石进行拉曼光谱的表征及电学性能测试。实验中采用PMMA聚合物辅助转移方法,分别将单层和双层石墨烯转移到绝缘体基片金刚石上。石墨烯迁移率为18000cm2/V·s,激光Raman测试结果表明成功地实现了金刚石衬底上石墨烯的转移,这为新型全碳电子器件的研制提供了新的思路。

关键词：

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脉冲激光沉积法制备SnO和SnO2外延薄膜及其性能研究

脉冲激光沉积法制备SnO和SnO2外延薄膜及其性能研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：郑丽兰张迷李磊梁国进黎明锴何云赋有机化工新材料湖北省协同创新中心功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室湖北大学材料科学与工程学院湖北武汉430062

薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在信息显示、传感器等领域具有广泛的应用价值,而以氧化物半导体材料为基础的TFTs更是由于其高迁移率、高可见光透光性及低生长温度而备受关注.近年来,基于宽禁带氧化物的薄膜晶体管和平板显示技... 详细信息

薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在信息显示、传感器等领域具有广泛的应用价值,而以氧化物半导体材料为基础的TFTs更是由于其高迁移率、高可见光透光性及低生长温度而备受关注.近年来,基于宽禁带氧化物的薄膜晶体管和平板显示技术相结合,使得显示技术日新月异地发展.然而,大部分氧化物半导体呈本征n型导电,而p型和n型半导体材料对于氧化物TFT的发展同等重要.本文采用脉冲激光沉积(PLD)法，以金属锡靶作为烧蚀靶材，02作为反应气体，在r面蓝宝石单晶衬底上生长锡的氧化物外延薄膜。通过Fig.l所示XRD图谱可知，在低氧压时得到含β-Sn金属相和α-Sn0相共存的SnOx薄膜，当氧压为0.1-0.5Pa时得到单相(001)取向的α-Sn0薄膜，当氧压高于1.0pa时则得到单相(101)取向的Sn02薄膜。

关键词：氧化锌外延薄膜二氧化锌外延薄膜脉冲激光沉积法

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化学气相沉积方法生长单晶砷化镓纳米线

化学气相沉积方法生长单晶砷化镓纳米线

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：李侃王晶云邢英杰徐洪起北京大学信息学院物理电子所半导体物理器件与结构实验室100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学理科5号楼541室

GaAs是一种直接禁带半导体材料,有较大的禁带宽度(1.4eV),相比于硅有更高的迁移率(8500cm2/(V·s)at300K),更高的饱和漂移速度(2.1*107cm/s)和更小的电子有效质量(0.068m0),所以经常被用于红外探测器、发光二极管,微波器件、高速器... 详细信息

GaAs是一种直接禁带半导体材料,有较大的禁带宽度(1.4eV),相比于硅有更高的迁移率(8500cm2/(V·s)at300K),更高的饱和漂移速度(2.1*107cm/s)和更小的电子有效质量(0.068m0),所以经常被用于红外探测器、发光二极管,微波器件、高速器件等研究领域.对于GaAs材料的关注历来已久,GaAs半导体纳米线的生长工作也越来越受到重视,进来Trukhin等人利用GaAs纳米线阵列实现了THz发生器,进一步拓展了GaAs纳米线的功用，本文报道了一种使用CVD方法生长单晶GaAs纳米线的方法。在Si02/Si衬底上分散金颗粒，使用GaAs粉末为蒸发源，基于VLS (Vapor-Liquid-Solid)机制生长出了大批量的GaAs纳米线，直径在20nm至lOOnm范围，长度可以达到lOμm以上。通过TEM分析，发现GaAs纳米线具有立方结构，晶体生长方向为[111]，并且并无孪晶。本文结果说明基于CVD方法生长的GaAs纳米线可能具有较好的光学、电学性质。

关键词：砷化镓纳米线单晶生长化学气相沉积法光学性能电学性能

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基于碳纳米管掩膜的GaN纳米异质外延生长研究

基于碳纳米管掩膜的GaN纳米异质外延生长研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：冯晓辉纪骋张立胜康香宁杨志坚魏洋张国义于彤军北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 东莞市中镓半导体科技有限公司东莞523500 清华大学物理系&清华-富士康纳米科技研究中心北京100084

近年来,GaN材料的纳米异质外延(NHE)技术引起了广泛关注.相比于微米级选区生长技术,NHE技术可以通过限制核心尺寸在GaN的初始生长阶段显著湮灭位错、弛豫应力.然而GaN在高缺陷区的过早合拢并不利于最大限度提升薄膜质量,且纳米图形复杂... 详细信息

近年来,GaN材料的纳米异质外延(NHE)技术引起了广泛关注.相比于微米级选区生长技术,NHE技术可以通过限制核心尺寸在GaN的初始生长阶段显著湮灭位错、弛豫应力.然而GaN在高缺陷区的过早合拢并不利于最大限度提升薄膜质量,且纳米图形复杂、昂贵的制备工艺也不利于NHE技术的大规模应用.本文中,运用碳纳米管(CNT)掩膜实现了NHE技术改进,将微米级和纳米级两种选区生长技术的优势进行融合,显著提高了GaN薄膜的质量,并且具有掩膜工艺简单和低成本的特点,大大提高了NHE技术产业化应用的可能性.

关键词：氮化镓异质外延生长薄膜质量碳纳米管掩膜

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基于AlN/GaN超晶格的线性模式紫外雪崩探测器

基于AlN/GaN超晶格的线性模式紫外雪崩探测器

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：郑纪元汪莱郝智彪罗毅孙长征韩彦军熊兵王健李洪涛闫建昌魏同波张韵王军喜清华大学电子工程系北京100084 中国科学院半导体研究所北京100083

GaN紫外探测器可以用于诸多军用和民用领域,比如紫外制导,紫外预警,火灾监测,大气环境监测等.很多应用场合需要紫外探测器能够检测极微弱信号.雪崩效应为GaN探测器检测极微弱信号提供了可能.雪崩探测器(APD)可以工作在线性模式和盖革模... 详细信息

GaN紫外探测器可以用于诸多军用和民用领域,比如紫外制导,紫外预警,火灾监测,大气环境监测等.很多应用场合需要紫外探测器能够检测极微弱信号.雪崩效应为GaN探测器检测极微弱信号提供了可能.雪崩探测器(APD)可以工作在线性模式和盖革模式两种模式下,线性模式的雪崩探测器可以工作在恒定伺服电压下,盖革模式的雪崩探测器需要工作在特定的周期性淬火电路中.目前盖革模式下的GaN基APD增益可以做到104以上,在实验室中探测到了单光子信号.而由于GaN体材料中电子和空穴离化系数较小且较为相近,利用GaN同质结制成的APD在线性模式下增益只有10左右,无法探测单光子级别的极微弱信号.但是线性模式下的APD能够工作在恒定伺服电压下,时间分辨率更高,如果同时能够拥有高增益,将具有更广泛的应用前景.

关键词：氮化镓紫外雪崩探测器周期性堆栈氮化铝氮化镓线性模式

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氢氮等离子体表面预处理改善SiO2/SiC界面特性

氢氮等离子体表面预处理改善SiO2/SiC界面特性

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：刘冰冰秦福文王德君大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院辽宁大连116024 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室辽宁大连116024

SiC半导体具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高、载流子饱和漂移速度高等优异特性,使其在高温、高频、大功率器件领域具有极大的应用潜力.然而在实际制备中,SiO2/SiC界面存在高密度界面态(Dit),严重影响器件的电学性能.SiO2/SiC... 详细信息

SiC半导体具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高、载流子饱和漂移速度高等优异特性,使其在高温、高频、大功率器件领域具有极大的应用潜力.然而在实际制备中,SiO2/SiC界面存在高密度界面态(Dit),严重影响器件的电学性能.SiO2/SiC界面处的Si、C悬挂键,C团簇以及Si-C-O过渡层被认为是引起高界面态密度的主要因素.这部分缺陷不仅来源于氧化过程中产生的缺陷,SiC表面存在的缺陷(O,C的污染物,悬挂键,吸附物)也会在氧化的过程中被引入到SiO2/SiC界面,导致高的Dit.本文利用ECR HNP预处理及氧化后退火对Si02/SiC界面进行钝化。C-V电学测试表现出良好的界面特性，Dit降低大约一个数量级。AFM和SIMS分析显示，HNP预处理具有表面钝化作用，可以有效去除表面C，O污染物，使原子排列更加平整，是改善SiC MOS器件性能的直接原因。

关键词：碳化硅半导体二氧化硅界面特性氢氮等离子体表面预处理

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一种栅极与源漏电极处于不同表面的高电子迁移率晶体管新结构

一种栅极与源漏电极处于不同表面的高电子迁移率晶体管新结构

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：程哲中国科学院半导体研究所北京北京市海淀区清华东路甲35号北京100083

自从半导体材料出现以来,现代科技经历了前所未有的飞速发展.同时,不断进步的现代科技对半导体产品有着越来越高的要求.想要满足这些要求,人们势必要对新型半导体材料与器件结构进行更多创新性研究.本文则将提出一种氮化镓高电子迁移率... 详细信息

自从半导体材料出现以来,现代科技经历了前所未有的飞速发展.同时,不断进步的现代科技对半导体产品有着越来越高的要求.想要满足这些要求,人们势必要对新型半导体材料与器件结构进行更多创新性研究.本文则将提出一种氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的新结构.氮化镓高电子迁移率晶体管一般是由AlGaN/GaN异质结与源、栅、漏三个电极组成.目前,虽然氮化镓高电子迁移率晶体管的结构多种多样,但是作为表面器件,其基本结构都局限于三个电极处在同一表面的结构.本项目则是要提出并证明一种不同的结构,栅极与源漏极处在两个不同的表面,即异面栅极结构.本文将会介绍一个建立常见氮化稼高电子迁移率晶体管结构与异面栅极结构的仿真模型的过程，并通过对比仿真结果所显示的电流密度，证明异面栅结构可以提供更好的导通电流性能。

关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓异面栅极结构导通电流性能

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AlN材料的HVPE侧向外延生长研究

AlN材料的HVPE侧向外延生长研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：孙茂松张纪才黄俊王建峰徐科中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123 上海大学材料科学与工程学院上海200444 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123

纤锌矿结构的AlN(氮化铝)的禁带宽度为6.2eV,具有高热导率、高电阻率等优异性能,是一种研制紫外、深紫外光电器件、高温大功率电子器件和高频微波器件的理想材料.由于自然界缺乏AlN同质衬底,AlN材料的制备必须始于异质衬底,较大的晶格... 详细信息

纤锌矿结构的AlN(氮化铝)的禁带宽度为6.2eV,具有高热导率、高电阻率等优异性能,是一种研制紫外、深紫外光电器件、高温大功率电子器件和高频微波器件的理想材料.由于自然界缺乏AlN同质衬底,AlN材料的制备必须始于异质衬底,较大的晶格失配和热失配,导致普通外延生长的AlN厚膜位错密度较高,晶体质量较差.侧向外延(ELOG)方法可以有效降低ALN中的位错密度.本工作利用自主研发的高温HVPE设备,在条状刻蚀图形(0001)蓝宝石衬底上侧向外延生长了AlN厚膜.图1是扫描电子显微镜(SEM)观察到的截面形貌,很明显外延生长的AlN已经合并.通过优化生长条件，运用侧向外延技术进行A1N厚膜的生长，将成为获得高质量A1N材料的重要方法之一。

关键词：氮化铝厚膜氢化物气相外延生长截面形貌质量控制

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