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115 篇 会议

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115 篇 电子文献
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112 篇 工学
- 99 篇 电子科学与技术（可...
- 88 篇 材料科学与工程（可...
- 25 篇 光学工程
- 16 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 化学工程与技术
- 1 篇 机械工程
- 1 篇 电气工程
- 1 篇 计算机科学与技术...
- 1 篇 核科学与技术
10 篇 理学
- 8 篇 物理学
- 3 篇 化学

主题

25 篇 氮化镓
9 篇 高电子迁移率晶体...
9 篇 氮化铝镓
6 篇 发光二极管
6 篇 制备工艺
4 篇 光学性能
4 篇 外延生长
3 篇 半导体材料
3 篇 可靠性
3 篇 内量子效率
3 篇 碳化硅
3 篇 场效应晶体管
3 篇 氢化物气相外延
3 篇 氮化铝
3 篇 光电子器件
3 篇 脉冲激光沉积法
2 篇 电流密度
2 篇 质量控制
2 篇 二氧化硅
2 篇 技术开发

机构

21 篇 中国科学院苏州纳...
15 篇 北京大学
11 篇 中国科学院半导体...
6 篇 华中科技大学
6 篇 厦门大学
4 篇 苏州纳维科技有限...
4 篇 中国科学院纳米器...
4 篇 上海大学
4 篇 浙江大学
4 篇 有机化工新材料湖...
3 篇 大连理工大学
3 篇 南京大学
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 清华大学
3 篇 武汉大学
3 篇 中山大学
2 篇 苏州晶湛半导体有...
2 篇 苏州能讯高能半导...
2 篇 中国科学院大学
2 篇 中国科学院苏州纳...

作者

12 篇 杨辉
9 篇 沈波
8 篇 刘建平
7 篇 孙钱
6 篇 张宝顺
6 篇 徐科
6 篇 张书明
6 篇 蔡勇
6 篇 王建峰
5 篇 李向阳
5 篇 周宇
5 篇 张纪才
5 篇 李德尧
5 篇 李水明
4 篇 赵德刚
4 篇 张保平
4 篇 张立群
4 篇 周坤
4 篇 许福军
4 篇 张峰

语言

113 篇 中文
2 篇 英文

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GaN基材料生长与器件技术

GaN基材料生长与器件技术

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：赵德刚朱建军刘宗顺陈平杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

基于氮化镓(GaN)材料的激光器、紫外探测器及HEMT器件都是当今世界的研究热点,而高质量的GaN材料生长技术、优化的器件工艺和器件设计是基础和关键.在GaN材料方面,深入研究了缓冲层原理,提出了独特的MOCVD外延方法,生长出高质量的GaN材... 详细信息

基于氮化镓(GaN)材料的激光器、紫外探测器及HEMT器件都是当今世界的研究热点,而高质量的GaN材料生长技术、优化的器件工艺和器件设计是基础和关键.在GaN材料方面,深入研究了缓冲层原理,提出了独特的MOCVD外延方法,生长出高质量的GaN材料,室温下电子迁移率超过1000cm2/Vs,这是目前国际上公开报道的最好结果;创造了复合缓冲层结构,突破了AlN外延材料技术,采用常规MOCVD设备生长出高质量的AlN材料,其(002)、(102)面XRD半高宽仅为240、360秒,解决了AlN材料对高温生长设备的依赖问题;发现室温下GaN材料的应力状态主要取决于外延层和衬底之间的热失配,还发现GaN材料中的"黄光缺陷"和"蓝光缺陷"与刃位错紧密相关,并初步建立了GaN的光学、电学、结构性质的关系模型;发现了C杂质对p-GaN材料的补偿效应,提出了少量掺氧的p型杂质激活方法,解决了p型掺杂问题;采用C杂质补偿方法生长出低位错密度的半绝缘GaN材料,还生长出高质量的AlGaN/GaN二维电子气材料,室温电子迁移率达到2100cm2/Vs,方块电阻约249Ω.

关键词：氮化镓基材料生长特性碳杂质补偿效应

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基于8英寸化合物半导体器件生产技术开发硅基氮化镓功率器件

基于8英寸化合物半导体器件生产技术开发硅基氮化镓功率器件

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：袁理肖霞李华华姜元琪王云波李君儒郑晨焱刘春华中航(重庆)微电子有限公司重庆401331

基于化合物半导体器件生产技术,中航(重庆)微电子有限公司建立了国内首条8英寸硅基氮化镓器件生产线,并于近日成功开发出国内首例基于8英寸材料的氮化镓功率器件N1BH60010A.该器件实现了600伏特耐压及10安培直流输出电流,可广泛用于PFC... 详细信息

基于化合物半导体器件生产技术,中航(重庆)微电子有限公司建立了国内首条8英寸硅基氮化镓器件生产线,并于近日成功开发出国内首例基于8英寸材料的氮化镓功率器件N1BH60010A.该器件实现了600伏特耐压及10安培直流输出电流,可广泛用于PFC、DC/DC converter、DC/AC inverter等功率电子系统中,针对当下高速电源、不间断电源、汽车电源、航空航天电源、太阳能发电等电源管理应用市场,提出了更紧凑、更高效的解决方案.中航微电子从2013年开始硅基氮化镓功率器件的研究，在国家02科技重大专项的支持下，目前已经建成独具特色的8英寸化合物半导体器件生产线，可以提供包括低电阻欧姆接触、低漏电表面钝化与隔离、低栅漏栅介质层淀积、大电流器件互联、8英寸硅基氮化镓晶片减薄与划片等在内的完整硅基氮化镓器件制造能力。与此同时，针对不同产品应用类型，公司正在开发包括传统TO系列功率器件封装、Flip-chip倒装和陶瓷金属封装等多种器件封装形式，满足市场需求。

关键词：硅基氮化镓功率器件生产工艺封装形式

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ZnO基薄膜生长、发光效率提升机制及薄膜晶体管应用研究

ZnO基薄膜生长、发光效率提升机制及薄膜晶体管应用研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：叶志镇浙江大学材料科学与工程学院硅材料科学国家重点实验室唐仲英传感材料及应用研究中心

ZnO基半导体优越的光电性能使其在高效率短波长光电器件领域有着广阔的应用前景。一方面稳定高质量的p、n型掺杂是制备光电器件的基础;另一方面,ZnMgO/ZnO异质结构,尤其是量子阱结构的制备也是半导体光电器件的核心研究点之一。本文主...

ZnO基半导体优越的光电性能使其在高效率短波长光电器件领域有着广阔的应用前景。一方面稳定高质量的p、n型掺杂是制备光电器件的基础;另一方面,ZnMgO/ZnO异质结构,尤其是量子阱结构的制备也是半导体光电器件的核心研究点之一。本文主要介绍我们课题组近年来采用分子束外延设备制备高质量ZnO、Zn1-xMgxO薄膜、Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱及发光效率提升机制的研究。我们在制备高质量薄膜及量子阱的基础上,探究了Zn1-xMgxO/ZnO异质结带阶移动规律,并从能带角度考虑,探索实现高效p型ZnO的途径,结合能带带阶及掺杂应变调控,为ZnO薄膜的p型掺杂工作作出有利的指导。其次,为解决极性取向对量子阱结构及器件产生的不利影响,我们对非极性取向的Zn1-xMgxO薄膜、Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱也开展了一系列研究,为发展高内量子效率的非极性器件奠定基础。此外,我们将介绍Na掺杂ZnO实现p型导电的新进展。同时,深入研究了Na掺杂ZnO薄膜中Na的掺杂行为及受主能级,并揭示了不同Na掺杂ZnO薄膜中存在两种受主能级的现象。

关键词：

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火山口型纳米图形化蓝宝石衬底制备及光提取效率研究

火山口型纳米图形化蓝宝石衬底制备及光提取效率研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：蒋盛翔陈志忠冯玉龙焦倩倩严通行张立胜李俊泽李诚诚陈怡帆于彤军张国义北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京 100871 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京 100871 东莞市中镓半导体科技有限公司东莞523500

目前,图形化蓝宝石衬底(PSS)广泛应用于GaN基发光二极管(LED)的生产.它能够同时提高GaN基LED的内量子效率(IQE)和光提取效率(LEE).有报道指出,火山口型PSS(VPSS)具有更多的侧面面积和侧向生长面积,相比于圆锥型PSS而言,具有更高的光提... 详细信息

目前,图形化蓝宝石衬底(PSS)广泛应用于GaN基发光二极管(LED)的生产.它能够同时提高GaN基LED的内量子效率(IQE)和光提取效率(LEE).有报道指出,火山口型PSS(VPSS)具有更多的侧面面积和侧向生长面积,相比于圆锥型PSS而言,具有更高的光提取效率.采用纳米压印与湿法腐蚀相结合的方法制备VNPSS，并且探究了VNPSS的形成过程。VNPSS晶面的形成受到热力学过程和表面反应过程的共同作用。所制备的VNPSS，其形成的晶面有利于光的提取。而且，相对于圆锥型和圆台形的NPSS而言，VNPSS在生长GaN的过程中具有更大面积的侧向生长，更容易形成空洞，进一步增加光提取效率。

关键词：图形化蓝宝石衬底制备工艺纳米压印光提取效率

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氮化镓基激光器光学损耗研究

氮化镓基激光器光学损耗研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：程洋刘建平李德尧池田昌夫周坤张峰张书明张立群杨辉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123 中国科学院半导体所北京100083

光学损耗是表征激光器性能的重要参数,对激光器的阈值电流、斜率效率有直接的影响.测量激光器的光学损耗对于激光器的研究具有巨大的推动作用.传统的测量氮化镓基激光器光学损耗的方法主要有Hakki-Paoli法、变腔长法,这两种方法都需要... 详细信息

光学损耗是表征激光器性能的重要参数,对激光器的阈值电流、斜率效率有直接的影响.测量激光器的光学损耗对于激光器的研究具有巨大的推动作用.传统的测量氮化镓基激光器光学损耗的方法主要有Hakki-Paoli法、变腔长法,这两种方法都需要制备完整的激光器样品.2010年,***等人提出了一种直接测量氮化镓基激光器外延片光学损耗的方法,并在实验上证实了p型层同镁相关的能级引起的吸收是氮化镓基激光器光学损耗的主要来源.本研究搭建了一套直接测量氮化镓基激光器外延片光学损耗的系统，如图l所示。实验中，405nm激光聚焦到外延片表面，在有源区激发出荧光。荧光向前传播，在外延片侧壁发射出来，然后通过光收集系统聚焦，被光谱仪收集。移动微动平台，改变光波导的距离，记录不同波导距离下的荧光光谱。

关键词：氮化镓基激光器外延片光学损耗荧光光谱

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Ga2O3宽禁带半导体研究进展

Ga2O3宽禁带半导体研究进展

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：唐为华郭道友吴真平李培刚信息光子学与光通信国家重点实验室北京邮电大学北京100876

Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料，拥有超大的带隙(～4.9 eV)、较大的击穿场强(～8 MV/cm)及较高的巴利加优值，在日盲光电探测、场效应晶体管、电子自旋存储、LED、紫外光透明导电电极、气敏、阻变等领域具有巨大的应用前景，正在... 详细信息

Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料，拥有超大的带隙(～4.9 eV)、较大的击穿场强(～8 MV/cm)及较高的巴利加优值，在日盲光电探测、场效应晶体管、电子自旋存储、LED、紫外光透明导电电极、气敏、阻变等领域具有巨大的应用前景，正在形成研究热点.近两三年，我们在Ga2O3薄膜生长、物性研究及器件方面做了一些工作[1-8]，望借此机会与大家交流.利用激光分子束外延(LMBE)技术在蓝宝石衬底上生长并获得了沿(-201)择优生长的高质量β-Ga2O3外延薄膜，同时开展了其在以下几个方面的应用研究：1)、通过O2气氛原位退火有效地减少了Ga2O3薄膜内的氧空位，使其与Au/Ti电极形成肖特基接触，制备了具有更快响应速度、更高光暗比的Ga2O3基日盲光电探测器;2)、利用高温下交替沉积Ga2O3及过渡金属(Mn或Cr)薄层，分别获得了均匀高掺杂的β相Ga2O3：Mn外延薄膜及具有磁各向异性的Ga2O3：Cr纳米蠕虫薄膜结构，并对其磁性起源做了讨论;3)、研究了稀土掺杂Ga2O3在近红外宽谱激光或光电放大器等多功能光电材料中的潜在应用;4)、在真空低温条件下获得非晶非化学计量比的氧化镓薄膜，报道了氧化镓薄膜的单极型阻变行为，同时发现并研究了氧化镓薄膜的反常双极型阻变特性，探索Ga2O3在阻变存储器方面的应用.

关键词： Ga2O3薄膜外延生长日盲光电探测磁性阻变

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石墨烯/SiO2/Si上氮化镓的生长行为研究

石墨烯/SiO2/Si上氮化镓的生长行为研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：漆林徐俞李宗尧曹冰蔡德敏张育民任国强张纪才王建峰徐科苏州大学苏州215006 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123

石墨烯自发现以来,以其优异的机械及光电特性,在将其与半导体材料结合应用于光电器件领域引起了广泛的研究热潮.氮化镓作为当前研究热门的第三代半导体材料,其直接带隙及宽禁带等特点使得其具备优异的蓝光特性.因此,将石墨烯与氮化镓材... 详细信息

石墨烯自发现以来,以其优异的机械及光电特性,在将其与半导体材料结合应用于光电器件领域引起了广泛的研究热潮.氮化镓作为当前研究热门的第三代半导体材料,其直接带隙及宽禁带等特点使得其具备优异的蓝光特性.因此,将石墨烯与氮化镓材料生长的结合已经受到越来越多的关注.利用石墨烯的二维结构层间易剥离特性,在其上生长的氮化镓发光二极管可以采用机械转移的方法转移至其他衬底,比如:金属、玻璃或塑料等,从而实现氮化镓发光二极管柔性显示.本课题着力点在于以Si02/Si为衬底，在其上直接生长大面积多层石墨烯，将其应用于氮化镓材料的生长与剥离，为氮化镓与石墨烯复合结构的应用进行初步探索。文章主体实验内容分为两部分，第一部分为在Si02/Si上以石墨粉为碳源，镍催化生长石墨烯。具体方案为，以Si02/Si为衬底，通过离子溅射镀100nm镍膜。将石墨粉溶于酒精后以旋涂法均匀涂覆在镍膜上，在氩气氛围中退火后去除多余碳粉，刻蚀镍，最终在Si02/Si上获得了多层完整石墨烯薄膜。

关键词：氮化镓石墨烯二氧化硅硅化物生长行为

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碳杂质对硅衬底上AlGaN/GaN二维电子气高场输运性质的影响

碳杂质对硅衬底上AlGaN/GaN二维电子气高场输运性质的影响

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：郭磊杨学林程建朋唐宁王新强吕元杰冯志红葛惟昆沈波北京大学宽禁带半导体中心北京100871 专用集成电路国家重点实验室石家庄050051 清华大学物理系北京100084

硅衬底上AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)在高压功率开关等器件有着广泛的应用前景.由于功率开关器件工作状态是在高压下,因此在高电场下的电子输运性质对器件的性能至关重要.然而,实际测量GaN基材料中电子的饱和漂移速度比... 详细信息

硅衬底上AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)在高压功率开关等器件有着广泛的应用前景.由于功率开关器件工作状态是在高压下,因此在高电场下的电子输运性质对器件的性能至关重要.然而,实际测量GaN基材料中电子的饱和漂移速度比理论计算值低很多,其中一个很重要的原因就是由于热声子效应导致的较低的电子能量弛豫率.因此,如何减弱热声子效应进而提高电子的漂移速度是关键.在这篇报道中，系统地研究了硅衬底上的AlGaN/GaN的高场输运特性。采用MOCVD在硅衬底上生长AlGaN/GaN异质结构样品，研究缓冲层和沟道层不同的碳掺杂浓度对二维电子气高场输运性质的影响。制备了两个含有不同碳并入浓度沟道层的样品备，一个是高的碳并入浓度，一个是低的碳并入浓度。采用40ns宽度的脉冲电压测量样品的电流电压特性曲线，以避免高电压下的自热效应，测试样品的结构采用够短长宽为20×20μmH型。

关键词：场效应晶体管氮化铝镓氮化镓二维电子气碳杂质高场输运性质

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高输出功率电子束泵浦AlGaN深紫外光源

高输出功率电子束泵浦AlGaN深紫外光源

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：荣新王新强陈广王平 Ivanov 金鹏许福军沈波北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 Ioffe Physical-Technical Institute St.Petersburg 194021Russia 中国科学院半导体所北京100083

GaN基紫外光源是目前替代汞激发光源的唯一固态光源解决方案,近年来UVLED市场份额逐年递增,在紫外固化、杀菌净化、生化检测等领域具有重大应用价值,是目前半导体照明领域新的研究热点和产业化竞争的重点.AlGaN深紫外光源主要受限于p型... 详细信息

GaN基紫外光源是目前替代汞激发光源的唯一固态光源解决方案,近年来UVLED市场份额逐年递增,在紫外固化、杀菌净化、生化检测等领域具有重大应用价值,是目前半导体照明领域新的研究热点和产业化竞争的重点.AlGaN深紫外光源主要受限于p型掺杂的困难导致的极低空穴注入效率，以及p型GaN接触层的吸收导致的极低光提取效率。一种可行的解决方案是采用电子束泵浦紫外光源，其结构无需电子／空穴注入层和电子阻挡层，因而可以有效回避上述难题，实现高效高输出功率的深紫外光源。2015年俄国Ivanov教授采用亚原子层量子阱技术实现了270 nm波段输出功率达60 mW的AIGaN深紫外光源。借鉴了该技术并优化MBE生长条件制备了更高质量的GaN亚原子层量子阱，同时采用表面划痕技术提高光提取效率，实现了285 nm波段输出功率高达160 mW的电子束泵浦紫外光源，外量子效率约0.7％。

关键词：电子束泵浦紫外光源氮化铝镓亚原子层量子阱分子束外延输出功率

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InAlN RTD材料生长及器件研究

InAlN RTD材料生长及器件研究

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：吴渊渊杨文献季莲顾俊李宝吉陆书龙杨辉中科院苏州纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室苏州215125 中科院苏州纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室苏州215125 上海大学上海200444 中科院苏州纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室苏州215125 南通大学南通226019

共振隧穿二极管(RTD)是极具发展潜力的新型纳米器件,在高频振荡器、和高速数字电路等方面有着广阔的应用前景.GaN负阻器件同传统的GaAs负阻器件相比具有更高的工作频率和输出功率,可以达到102～103mW.相对于已报道的AlGaN/GaN材料体系,I... 详细信息

共振隧穿二极管(RTD)是极具发展潜力的新型纳米器件,在高频振荡器、和高速数字电路等方面有着广阔的应用前景.GaN负阻器件同传统的GaAs负阻器件相比具有更高的工作频率和输出功率,可以达到102～103mW.相对于已报道的AlGaN/GaN材料体系,In组分为17％的InAlN与GaN晶格匹配,可减小异质结界面处的晶格失配、界面粗糙度和压电极化,从而降低陷阱中心的激活能和缺陷密度,改善在多次扫描下GaN基RTD的Ⅰ-Ⅴ特性严重衰减现象.本文利用分子束外延(MBE)生长InAIN薄膜材料，研究材料特性与生长条件之间的关系，以得到高质量的InAIN材料，进而制备RTD器件。应用正规溶液模型和价带力(VFF)模型，计算了InAIN体系的混溶隙，得到了生长温度、In组分和InAIN材料（亚）稳定相的关系;同时，通过改变生长条件，得到了原子束流、温度等对生长模式的影响。

关键词：共振隧穿二极管氮化铟铝分子束外延生长材料特性

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