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含有J聚体分子的Krestchmann结构中的出射角随入射波长的关系的研究
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 宋钢 邹云飞 北京邮电大学理学院 北京100876
表面等离激元(Surface plasmon polaritons,简称SPPs)是一种在金属与介质表面传播的电子波.Krestchmann结构是用来产生SPPs最经典的结构之一.如果以SPPs作为入射源从电介质中入射,则光会从棱镜中以特定角度辐射出来.当电解质换成了掺杂... 详细信息
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氮化镓基垂直腔面发射激光器的仿真
氮化镓基垂直腔面发射激光器的仿真
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 张建 李俊泽 王文杰 杨浩军 张保平 李沫 张健 微系统与太赫兹研究中心 中国工程物理研究院四川成都610200 电子工程研究所 中国工程物理研究院四川绵阳621999 厦门大学电子科学与技术学院 厦门市思明南路422号361005
氮化镓基垂直腔面发射激光器(VCSEL)因其功耗低、易集成、圆形光束、波长稳定等优势非常适合于激光显示、激光存储、原子传感等应用。与成熟的砷化镓VCSEL相比，氮化物VCSEL面临缺少分布布拉格反射镜(DBR)、缺少理想的电流和光限制以及... 详细信息
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典型器件界面多物理性质关联
典型器件界面多物理性质关联
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 孟德超 梁传辉 刘江 詹浩然 刘宇 陈泽志 彭金兰 张光辉 安永涛 孟敏 宋宇 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 中国科学技术大学微尺度物质科学国家研究中心 中国工程物理研究院材料研究所 成都绿色能源与绿色制造技术研发中心 中国科学技术大学微尺度物质科学国家研究中心 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心
器件界面是辐射损伤效应中的关键部分，而对于界面的物理本质认识还存在很大的研究空间，这也是抗辐射器件设计和制备的关键。本工作围绕电子器件典型界面SiO2/Si[1]，综合利用能谱、X射线反射、衍射、偏振光谱、离子质谱、表面探针等... 详细信息
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面向无线监测的能量采集与储存一体化集成自主电源技术
面向无线监测的能量采集与储存一体化集成自主电源技术
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 靳龙 张彬彬 邓维礼 张磊 杨维清 材料先进技术教育部重点实验室 材料科学与工程学院西南交通大学成都610031
目前，阻碍高速列车轮对和航空发电机叶片等高速旋转部件无线监测系统的技术瓶颈：持续稳定的微型能源供给问题。这也是一个世界级技术难题。随着新能源技术的发展，一种新型能量采集器件-纳米发电机有望解决这一难题，但是由于纳米发... 详细信息
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深紫外平板微腔的光损耗分析
深紫外平板微腔的光损耗分析
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 郑重明 李颖倩 龙浩 应磊莹 郑志威 张保平 厦门大学电子工程系 福建厦门361005
近年来,AlGaN基深紫外(DUV)边发射激光器已经实现了 214～368.4nm波段的激射,然而DUV垂直腔面发射激光器(VCSEL)鲜有被报道.这是由于谐振腔内存在这很强的光学损耗,使得DUV-VCSEL的激射行为很难实现.我们利用了 AlGaN量子点(QDs)作为有... 详细信息
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JEMS-CDS多物理仿真软件分析集成互联中的电磁场热效应
JEMS-CDS多物理仿真软件分析集成互联中的电磁场热效应
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 郑宇腾 赵振国 张浩轩 李光荣 周海京 中物院高性能数值模拟软件中心 北京100088 北京应用物理与计算数学研究所 北京100094 上海交通大学电子信息与电器工程学院 上海200240
互联传输线是微电子系统中的重要无源器件，用于连接微系统中的器件及模块.互联传输线导体和介质基板中的欧姆损耗均会导致电磁场热效应的产生，改变互联传输线的参数，影响其传输特性.本文通过JEMS-CDS多物理仿真软件分析了电磁场热效... 详细信息
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基于金属-介电光子晶体提升自旋太赫兹脉冲源的性能
基于金属-介电光子晶体提升自旋太赫兹脉冲源的性能
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 冯正 余睿 周宇 路海 谭为 邓琥 刘泉澄 翟召辉 朱礼国 蔡建旺 缪冰锋 丁海峰 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 中国 南京大学 中国 中国科学院物理研究所 中国 河南师范大学 中国 西南科技大学 中国 中国工程物理研究院流体物理研究所 中国
有别于传统的太赫兹脉冲发射器，自旋太赫兹脉冲发射器除了利用电子电荷，还利用了电子自旋，它最早在2013年被***研究组提出[1].自旋太赫兹脉冲发射器主要依赖于铁磁/非磁异质结中的两个自旋相关效应：超快激光激发自旋流和反自旋霍尔... 详细信息
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基于Spice模型的SiGe HBT瞬态中子辐照损伤模拟
基于Spice模型的SiGe HBT瞬态中子辐照损伤模拟
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 李卓奇 刘书焕 黄泰燚 杨江坤 Olarewaju Mubashiru Lawal 西安交通大学 核科学与技术研究所
为了评估三极管在瞬态中子辐照下,带来的位移损伤及电离损伤效应影响,使用Advanced Design System(ADS)模拟工具,基于Gummel-Poon的0.18微米SiGe HBT Spice模型设计了瞬态光电流效应的仿真方案.首先对仿真物理模型进行分析了解瞬态光电... 详细信息
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基于第一性原理的单层SnSe2二维薄膜的气敏效应研究
基于第一性原理的单层SnSe2二维薄膜的气敏效应研究
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 官德斌 杨芳 余堃 刘建 肖丹 中国工程物理研究院化工材料研究所 绵阳621900 四川大学化学学院 成都610041 中国工程物理研究院化工材料研究所 绵阳621900 四川大学化学学院 成都610041
采用分子力场方法系统地研究了 SnSe2二维单层材料对H2、CO、NH3及NO2等四种典型气体分子的最优吸附位置和吸附能力，并基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法计算了吸附前后的键长键角变化率、能带结构、态密度及电荷差分密度等参数... 详细信息
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基于氮化物的单光子源及探测技术
基于氮化物的单光子源及探测技术
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 陈飞良 李沫 李倩 王旺平 张晖 黄锋 李舒啸 康健彬 王新强 汪莱 赵德刚 孙萧萧 吴星瞾 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 中国工程物理研究院电子工程研究所 北京大学物理学院 清华大学电子系 中国科学院半导体所
氮化物半导体具有从紫外到近红外宽波段可调的禁带宽度和较大的激子束缚能，非常适合于室温乃至高温工作的高灵敏度紫外光电探测器以及单光子源.我们基于pin掺杂结构AlGaN/GaN单量子阱，采用top-down方法制备出直径80nm的GaN量子盘嵌埋A... 详细信息
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