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超深亚微米CMOS场效应晶体管剂量率效应数值模拟
超深亚微米CMOS场效应晶体管剂量率效应数值模拟
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 郑齐文 崔江维 魏莹 于钢 余学峰 陆妩 何承发 郭旗 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011
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基于太赫兹时域光谱学技术的生物分子的研究
基于太赫兹时域光谱学技术的生物分子的研究
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 刘燕 周涛 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院太赫兹固态技术重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100080 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院太赫兹固态技术重点实验室 上海200050
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电离损伤效应时间并行算法模拟
电离损伤效应时间并行算法模拟
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 刘勇翔 中国工程物理研究院
电离损伤效应模型的数值模拟是前沿的研究方向。本文采用时间并行算法框架，给出了具体的数值模拟计算格式。数值测试得到了并行加速比结果，发现应用该算法后计算效率显著提高，计算耗时大幅减少。
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超快脉冲与太赫兹量子级联激光器的相互作用
超快脉冲与太赫兹量子级联激光器的相互作用
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 侯秋实 王丰 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学 北京100080 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院太赫兹固态技术重点实验室上海200050
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太赫兹微系统研究进展-从材料到器件
太赫兹微系统研究进展-从材料到器件
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 谭为 苏娟 曾建平 童小东 王大承 冯正 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心
太赫兹微系统技术是太赫兹技术和集成微系统技术的深度融合，基于不同材料体系半导体技术的多样性和独特性，深入到器件(二极管、晶体管等)层级追求极限性能表现，采用深度定制"材料一器件一集成微系统"的技术路线，实现优异... 详细信息
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太赫兹集成微系统综述
太赫兹集成微系统综述
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 岳海昆 唐杨 朱华兵 陈柏燊 谭为 唐旻 邓贤进 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 成都610200 中国工程物理研究院电子工程研究所 绵阳621999 上海交通大学电子工程系 上海200240
近年来，由于固态半导体器件逐渐应用在太赫兹通信、太赫兹成像等领域，太赫兹集成微系统朝着小型化、多功能化、集成化的方向发展。本文对太赫兹集成微系统的国内现状与发展趋势进了系统全面的综述与分析。
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基于TSV转接板的硅基惯性微系统集成应力仿真及结构优化
基于TSV转接板的硅基惯性微系统集成应力仿真及结构优化
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 胡启方 李男男 邢朝洋 梅崴 孙鹏 王国栋 北京航天控制仪器研究所 北京100093
为适应微小型制导弹药、无人机、微纳卫星等系统对高精度惯性导航、姿态控制的需求,MEMS惯性测量单元未来的发展方向是通过基于TSV转接板的SIP技术,形成更高集成度的、更小体积的硅基惯性微系统。
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多量子阱结构影响Al(Ga)N/GaN共振隧穿二极管负阻特性的仿真研究
多量子阱结构影响Al(Ga)N/GaN共振隧穿二极管负阻特性的仿真研究
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 苏娟 谭为 中国工程物理研究院电子工程研究所&微系统与太赫兹研究中心 四川成都610299
利用Silvaco软件对Al(Ga)N/GaN共振隧穿二极管(RTD)进行仿真，重点研究了InGaN子量子阱的单阱和多阱复合结构设计对其负阻(NDR)特性的影响规律及机制。
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半导体器件四面体网格生成与可视化
半导体器件四面体网格生成与可视化
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 桂升 王芹 马召灿 卢本卓 中国科学院数学与系统科学研究院 计算数学与科学工程计算研究所 国家数学与交叉科学中心
基于三维有限元的电离损伤数值模拟计算，本文开展了半导体器件模拟的前处理与后处理工作，通过调研获取MIS、PN结、NMOS、LPNP等器件的尺寸信息与结构信息。
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集成微系统协同设计方法研究与实践
集成微系统协同设计方法研究与实践
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 汪志强 刘军 吴林晟 李嵬 中国电子科技集团公司信息科学研究院
分析了集成微系统在设计与制造等方面的挑战，围绕跨尺度多物理场耦合效应机理、IP参数化特性表征和建模方法和多层次系统协同设计理论等方面描述了面临的关键基础科学问题及解决思路。结合具体实践，提出瞄准共性关键基础技术，开展协... 详细信息
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