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作者

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种基于SOI工艺的10bit 200MHz ADC设计
一种基于SOI工艺的10bit 200MHz ADC设计
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 钟乐 彭勇 刘鸿 解磊 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 北京新兆民科技有限公司
本文介绍了款基于SOI工艺的10bit 200MHz的ADC芯片.芯片基于GSMC 130nm SOI工艺,采用3.3V电源电压,采用Pipeline架构,本ADC的系统框图如图1所示.核心部分由采样保持电路、各级子ADC电路、数字校正电路构成.
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GaN基太赫兹器件的超短沟道自对准技术制备研究
GaN基太赫兹器件的超短沟道自对准技术制备研究
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 徐建星 张世勇 童小东 中国工程物理研究院微系统与太赫兹中心 成都610200 中国工程物理研究院电子工程研究所 绵阳621999
高频HEMT器件在高频通信、航空航天、雷达通讯等方面具有重大应用前景。基于自对准技术来实现超短沟道是提高器件截止频率和振荡频率的最有效手段之
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InN基材料的表面光电压行为
InN基材料的表面光电压行为
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 孙萧萧 王平 王新 魏建东 盛博文 郑显通 李铎 李顺峰 李沫 张健 葛惟昆 M.Sumiya 沈波 北京大学 物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京100871 德国布伦瑞克工业大学 布伦瑞克38106 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 成都610200 日本国立材料研究所 光敏材料中心筑波305-0044
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高压脉冲功率模块多场仿真设计
高压脉冲功率模块多场仿真设计
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 高磊 龚廷睿 周坤 杨英坤 张龙 李俊焘 中物院微系统与太赫兹研究中心 中物院电子工程研究所
高压功率模块正朝着更高耐压,更高功率密度,更小体积的方向发展,这导致功率模块工作温度的增加,由高温引起模块的热应力也会大大增加,进而引发失效率增加。
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利用Ag-Si杂化叠层纳米天线全方位增荧光发射性能
利用Ag-Si杂化叠层纳米天线全方位增强荧光发射性能
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 孙松 李儒 马莉 张泰平 李沫 微系统与太赫兹研究中心 中国工程物理研究院四川成都610200 电子工程研究所 中国工程物理研究院四川绵阳621999
利用纳米天线增荧光发射在许多新兴应用上都具有很好的前景。然而,根据量子发射器本征斯托克斯位移的性质,其激发波长和发射波长可以间隔的很远,甚至可达数百纳米。
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硅基惯性微系统集成技术
硅基惯性微系统集成技术
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 邢朝洋 北京航天控制仪器研究所
惯性导航、制导与控制系统是新代微小型平台发展以及低成本制导武器的核心技术,也是制约其广泛使用的主要瓶颈之。各种类型微小平台系统,包括微小飞行器、微小(纳)卫星、深空探测器(月球车、火星车)、水下航行器、陆地机器人、制... 详细信息
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SiC材料中点缺陷和位错缺陷基本性质的理论研究
SiC材料中点缺陷和位错缺陷基本性质的理论研究
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 黄兵 晏晓岚 魏苏淮 北京计算科学研究中心
SiC是目前最重要的种第三代宽禁带半导体材料。和其他半导体材料类似,SiC材料的电学性质极大的取决于材料本身的缺陷性质。在本工作中,我们系统的研究了SiC材料中的基本点缺陷(包括空位缺陷,反位缺陷和间隙位缺陷)和维位错缺陷的电... 详细信息
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硅基微纳米结构太赫兹空间调制器研究
硅基微纳米结构太赫兹空间调制器研究
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 文天龙 文岐业 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室
太赫兹空间调制器是基于压缩感知原理的太赫兹波主动式成像系统的关键器件。为了获得较好的成像效果,要求太赫兹空间调制器具有较大的调制深度、较好的空间分辨率、中等的调制速度和较小的插入损耗。
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用于高性能高密度SRAM的多阈值FDSOI器件与工艺仿真
用于高性能高密度SRAM的多阈值FDSOI器件与工艺仿真
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 张卫 孙炳奇 孙清清 复旦大学
FDSOI器件是种在SOI衬底上,基于平面工艺的器件,具有抗辐照以及低功耗等特性。在基于FDSOI器件的电路中,多阈值电压器件是实现低功耗的重要手段。通常情况下,多阈值FDSOI器件主要通过衬底掺杂和背电极偏压的方法实现。在本文中,... 详细信息
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高质量AlN薄膜的MOCVD快速外延生长研究
高质量AlN薄膜的MOCVD快速外延生长研究
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 张毅 谭波 陈谦 陈长清 戴江南 华中科技大学武汉光电国家研究中心 武汉430074
AlN材料作为新型第三代半导体材料,其直接带隙宽度为6.2 eV的本征特性,使其在紫外光范围具有透光窗口,因此被广泛应用于Ⅲ族氮化物的生长模板及通信材料.
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