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复合纳米结构手性光学响应调制
复合纳米结构手性光学响应调制
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 张伟 北京应用物理与计算数学研究所 北京8009信箱28分箱100088中国
复合纳米结构由于其诸多可调控性为探索手性光学响应提供了更多的机会[1-4]。这里我介绍我们近期关于纳米尺度手性光学响应的研究工作。手性光学响应是由于空间结构或磁场破坏的镜面对称性。
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微系统集成芯片技术
微系统集成芯片技术
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 张万里 电子科技大学
随着摩尔定律的持续放缓,集成功能的多样化成为了芯片未来发展的趋势。芯片化集成需要将无源和敏感材料薄膜化、器件化,并最终与电路IC集成,构成芯片化的微系统。芯片化的集成技术主要包括了异质集成和异构集成两大类别:异质集成技... 详细信息
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4H-SiC浮动结JBS器件的优化设计
4H-SiC浮动结JBS器件的优化设计
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 孙腾飞 汤晓燕 谢思亮 张玉明 西安电子科技大学
本文研究了 4H-SiC浮动结JBS器件外延结构的优化设计方法。首先根据解析模型对器件的结构参数进行初步的选择,包括下上外延层的厚度、浮动结的厚度、宽度及掺杂浓度。
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脉冲热载荷下热电制冷器件的热-电-应力性能研究
脉冲热载荷下热电制冷器件的热-电-应力性能研究
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 龚廷睿 高磊 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 中国工程物理研究院电子工程研究所
固态热电制冷器件主要是利用帕尔贴效应耗散电子封装系统中的热量,具有安静运行、寿命长、易于集成等特点。但是,人们往往仅关注热电制冷器件的制冷性能,而忽视了在实际的热边界条件作用下器件中有可能产生的热-机械故障。
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协同损伤中的动力学相互作用
协同损伤中的动力学相互作用
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 张莹 刘杨 赵杰 宋宇 周航 魏苏淮 中国工程物理研究院电子工程研究所 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 北京计算科学研究中心
我们研究了 PNP型集成运放LM324N的总剂量效应与位移损伤的关系,发现在存在位移损伤的情况下进行电离辐照,总损伤程度先下降后上升。通过对损伤随总剂量变化曲线的分析,发现总损伤曲线在去除电离损伤的影响后还存在两个其他的分量。
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多组分漂移-扩散-反应非线性模型的高性能并行算法在电离损伤效应中的研究
多组分漂移-扩散-反应非线性模型的高性能并行算法在电离损伤效应...
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 马召灿 王芹 卢本卓 中国科学院数学与系统科学研究院计算数学所
本项工作中,我们模拟了3D SiO2-Si系统中的漂移扩散反应过程,探讨了由受辐射激发的界面陷阱和氧缺陷对剂量率和二氧化硅中H 2浓度的依赖关系并在此基础上完成了电离损伤与器件特性整体耦合的模拟。
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三维集成阻变存储器热效应的研究
三维集成阻变存储器热效应的研究
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 卢年端 孙鹏霄 李泠 刘明 微电子器件与集成技术重点实验室 中国科学院微电子研究所北京100029
阻变存储器(RRAM)是以材料的电阻可在高低阻态间实现可逆转换为基础。阻变器件在电压作用下工作时,由于焦耳热的作用将导致器件自身温度发生变化,因此,由焦耳热引起的热效应在半导体器件中是种普遍现象。
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半导体器件紧凑模型技术
半导体器件紧凑模型技术
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 李泠 中国科学院微电子研究所
半导体器件紧凑模型作为连接半导体制造商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的环。随着CMOS工艺进步不断带来新的物理效应及电路设计者的要求不断提高,紧凑模型正在面临巨大的挑战。当前,新的紧凑模型技术正在吸引着人... 详细信息
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三环结构原子芯片的欧姆热及热应力分析
三环结构原子芯片的欧姆热及热应力分析
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 罗小嘉 姜伟 周晟 李儒 李沫 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 成都610200 中国工程物理研究院电子工程研究所 绵阳621999
三环结构的原子芯片通过对导线加载电流,能够产生闭合的环形导引,使得在芯片上对原子进行操控,并作为高精度陀螺仪的重要组成部分。由于环形导线需要加载大电流,导线会急剧升温,从而引起导线与衬底的热膨胀,使得芯片产生热应力与... 详细信息
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三维闪存存储器可靠性物理机制的研究
三维闪存存储器可靠性物理机制的研究
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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者: 陈杰智 武继璇 姜向伟 山东大学信息科学与工程学院 中国科学院半导体研究所
随着大数据等技术的兴起,需要存储分析的信息正在爆炸式地增长,而具有高集成密度的三维立体闪存存储器将取代二维平面闪存存储器成为未来十几年大容量非挥发存储器的主流产品形态。
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