检索结果-内蒙古大学图书馆

三维系统级封装技术是下一代集成电路封装设计最有发展潜力的实现方案。由于三维封装结构的高度复杂性以及多尺度问题，若对所有细节进行建模，将会消耗巨大的计算资源，导致分析效率非常低下。本文将封装中的硅通孔层以及凸点层等复杂结构进行等效处理，提取等效热参数，然后再进行整体封装结构的热仿真，可显著提高计算效率，减低资源消耗。

关键词：三维封装结构热仿真硅通孔等效热参数

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载流子寿命对脉冲功率应用碳化硅功率器件的影响

载流子寿命对脉冲功率应用碳化硅功率器件的影响

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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会

作者：周坤崔潆心张林徐星亮李志强李俊焘微系统与太赫兹研究中心中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心中国工程物理研究院电子工程研究所中国工程物理研究院

碳化硅功率器件在电力电子应用以及脉冲功率应用中有很大吸引力。作为双极性器件,SiC GTO和PiN器件因其高压大电流特性而备受青睐。载流子寿命对于器件导通时的电导调制效果至关重要。

关键词：碳化硅功率器件载流子寿命 PiN二极管门极可关断晶闸管

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基于FPGA的真空光镊反馈控制

基于FPGA的真空光镊反馈控制

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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会

作者：郑瑜孙方稳中国科学技术大学中科院量子信息重点实验

在真空光镊系统中，通过位置测量信号反馈调制捕获光光强从而控制被捕获粒子运动状态是一种常用的光镊技术。传统上通过模拟电路与锁相放大器等方式实现的反馈控制技术，实时性较差且难以部署复杂控制方案。本文介绍了在真空光镊系统中... 详细信息

在真空光镊系统中，通过位置测量信号反馈调制捕获光光强从而控制被捕获粒子运动状态是一种常用的光镊技术。传统上通过模拟电路与锁相放大器等方式实现的反馈控制技术，实时性较差且难以部署复杂控制方案。本文介绍了在真空光镊系统中利用FPGA技术处理生成反馈信号实现准实时、灵活部署的反馈控制。该技术可实现对真空捕获粒子的冷却、加热、控温等多种调控方式。

关键词：真空光镊反馈控制

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T形栅用30~100nm超短沟道的自对准工艺实现

T形栅用30~100nm超短沟道的自对准工艺实现

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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会

作者：张世勇徐建星郑鹏辉程哲张韵童小东中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心中国科学院半导体研究所

超短沟道T型栅是太赫兹GaN HEMT器件的一项关键工艺，栅足的长度是决定器件工作频率的关键参数。传统的电子束工艺能够实现栅长为100-250nm的沟道，自对准工艺不受电子束光刻线宽的限制，能够制备100nm以下的超短沟道，是提高GaN基HEMT... 详细信息

超短沟道T型栅是太赫兹GaN HEMT器件的一项关键工艺，栅足的长度是决定器件工作频率的关键参数。传统的电子束工艺能够实现栅长为100-250nm的沟道，自对准工艺不受电子束光刻线宽的限制，能够制备100nm以下的超短沟道，是提高GaN基HEMT工作频率关键技术。

关键词：自对准工艺 T型栅 GaN HEMT器件

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GaN激光器AlGaN/GaN/AlGaN复合电子阻挡层的优化设计

GaN激光器AlGaN/GaN/AlGaN复合电子阻挡层的优化设计

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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会

作者：王文杰杨浩军邓泽佳谢武泽中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心成都610200 中国工程物理研究院电子工程研究所绵阳621999

GaN激光器在大注入电流工作时，大量的电流会从有源区溢出，大大降低发光效率，同时产生的热量会严重影响激光器的寿命。采用新型的AlGaN/GaN/AlGaN复合电子阻挡层替代常规AlGaN电子阻挡层(EBL)，能够更有效抑制电子从有源区泄露，提升... 详细信息

GaN激光器在大注入电流工作时，大量的电流会从有源区溢出，大大降低发光效率，同时产生的热量会严重影响激光器的寿命。采用新型的AlGaN/GaN/AlGaN复合电子阻挡层替代常规AlGaN电子阻挡层(EBL)，能够更有效抑制电子从有源区泄露，提升输出功率。

关键词： GaN激光器电子阻挡层 AlGaN/GaN/AlGaN 电子泄露

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高频GaN HEMT器件研究

高频GaN HEMT器件研究

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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会

作者：童小东张世勇徐建星郑鹏辉王蓉王丁杨流云王新强谭为中国工程物理研究院电子工程研究所&微系统与太赫兹研究中心北京大学

氮化镓(GaN)单晶材料是一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电压、高电子迁移率、高电子饱和速度及高热导率的特性。得益于优异的材料特性，基于GaN基异质结结构的高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在高功率、高频、及高效率等方面具有巨大优势。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管

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基于ADI方法的三维封装系统快速热仿真技术

基于ADI方法的三维封装系统快速热仿真技术

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第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会

作者：唐旻姜鑫上海交通大学电子工程系

三维封装结构的高度复杂性以及多尺度问题使得传统热仿真方法效率低下，无法实现对复杂三维封装结构的快速热仿真。面对上述需求，提出了一种基于交替方向隐式(ADI)差分方法的快速仿真技术，并采用并行循环约化(PCR)方法对其进行GPU加... 详细信息

三维封装结构的高度复杂性以及多尺度问题使得传统热仿真方法效率低下，无法实现对复杂三维封装结构的快速热仿真。面对上述需求，提出了一种基于交替方向隐式(ADI)差分方法的快速仿真技术，并采用并行循环约化(PCR)方法对其进行GPU加速计算。通过仿真算例，对本文方法的准确性和仿真效率进行了验证，结果与商用软件吻合很好，而计算效率得到显著提高。

关键词：三维封装结构交替方向隐式热仿真并行计算

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