咨询与建议
  • 全部搜索
  • 期刊论文
  • 图书
  • 学位论文
  • 标准
  • 纸本馆藏
  • 外文资源发现
  • 数据库导航
  • 超星发现
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 128 篇 会议

馆藏范围

  • 128 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 1 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 核科学与技术

主题

  • 6 篇 碳化硅
  • 4 篇 分子动力学
  • 4 篇 点缺陷
  • 4 篇 位移损伤
  • 4 篇 氮化镓
  • 4 篇 微系统
  • 3 篇 集成
  • 3 篇 辐照损伤
  • 3 篇 第一性原理
  • 3 篇 4h-sic
  • 3 篇 高性能计算
  • 3 篇 有限元
  • 3 篇 原子芯片
  • 3 篇 硅
  • 2 篇 t型栅
  • 2 篇 not
  • 2 篇 pin二极管
  • 2 篇 半导体材料
  • 2 篇 荧光增强
  • 2 篇 氮化物

机构

  • 32 篇 中国工程物理研究...
  • 27 篇 中国工程物理研究...
  • 7 篇 中国科学院半导体...
  • 7 篇 微系统与太赫兹研...
  • 7 篇 北京计算科学研究...
  • 6 篇 电子工程研究所
  • 6 篇 北京大学
  • 6 篇 电子科技大学
  • 4 篇 中国科学院大学
  • 4 篇 北京应用物理与计...
  • 4 篇 中物院高性能数值...
  • 4 篇 中国科学院特殊环...
  • 4 篇 上海交通大学
  • 4 篇 西安电子科技大学
  • 4 篇 厦门大学
  • 3 篇 西安交通大学
  • 3 篇 清华大学
  • 3 篇 中国科学院上海微...
  • 3 篇 中国工程物理研究...
  • 3 篇 中物院微系统与太...

作者

  • 12 篇 李沫
  • 9 篇 李俊焘
  • 7 篇 张龙
  • 6 篇 谭为
  • 5 篇 李倩
  • 5 篇 周坤
  • 5 篇 陈飞良
  • 4 篇 周海京
  • 4 篇 张保平
  • 4 篇 李志强
  • 4 篇 程哲
  • 4 篇 黄锋
  • 4 篇 魏莹
  • 4 篇 张林
  • 4 篇 郭旗
  • 4 篇 卢本卓
  • 4 篇 陆妩
  • 4 篇 宋宇
  • 4 篇 张韵
  • 4 篇 徐星亮

语言

  • 128 篇 中文
检索条件"任意字段=第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会"
共 128 条 记 录，以下是81-90 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
半导体材料自适应QM/MM动力学仿真算法
半导体材料自适应QM/MM动力学仿真算法
收藏
分享
引用
第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 杨增辉 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心
为了研究半导体材料在辐射下的位移损伤过程，我们开发了一种自适应第一性原理/经典分子动力学(QM/MM)耦合的多尺度动力学方法。该方法能够在动力学仿真过程中自适应地调整第一性原理区域和经典分子动力学区域的分划，从而在考虑电子在... 详细信息
来源： 评论
6H-SiC材料级联碰撞过程的分子动力学初步模拟
6H-SiC材料级联碰撞过程的分子动力学初步模拟
收藏
分享
引用
第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 王浩 陈晓菲 张修瑜 薛建明 北京大学核物理与核技术国家重点实验室 北京100871
为配合研究6H-SiC材料的位移损伤效应，运用分子动力学方法，采用Lammps软件对6H-SiC的级联碰撞过程进行了模拟，并用Ovito软件和Python脚本对模拟数据进行了可视化与分析。给出了6H-SiC的原子级联碰撞演化过程以及体系温度、能量、材... 详细信息
来源： 评论
基于区域分解的大规模并行有限元快速算法研究
基于区域分解的大规模并行有限元快速算法研究
收藏
分享
引用
第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 王卫杰 周海京 中物院高性能数值模拟软件中心 北京100088 北京应用物理与计算数学研究所 北京100088
区域分解方法是近来发展迅速的有限元求解方法之一。基于有限元区域分解方法以及多重网格的思想，我们研究了自适应求解以及离散扫频快速算法，并基于自主研发的高性能计算并行框架，完成了该算法的大规模并行实现，并行规模能够扩展到... 详细信息
来源： 评论
三维Poisson-Nernst-Plank方程组的稳定化有限元方法
三维Poisson-Nernst-Plank方程组的稳定化有限元方法
收藏
分享
引用
第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 王芹 卢本卓 LSEC NCMIS中国科学院数学与系统科学研究院北京100190中国 中国科学院大学数学科学学院 北京100049中国
Poisson-Nernst-Plank(PNP)方程组模型在离子通道、纳米孔以及半导体器件等领域都有着广泛的应用。在利用有限元方法求解三维PNP方程组时，如果系统中存在一个较强的静电势，可能会引起边界处出现数值震荡甚至导致标准的有限元方法难以... 详细信息
来源： 评论
通过减薄腔长实现垂直腔面激光发射器低阈值激射
通过减薄腔长实现垂直腔面激光发射器低阈值激射
收藏
分享
引用
第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 吴瑾照 龙浩 史晓玲 应磊莹 郑志威 张保平 厦门大学电子工程系 福建厦门361005
GaN基宽禁带半导体材料是直接带隙半导体材料，复合效率高，且具有优异的物理、化学特性，其合金材料的禁带宽度可以从0.7 eV到6.2 eV连续可调，对应的光波长覆盖了红外-可见-紫外光范围，己被广泛应用于制作高效率半导体光电器件，特... 详细信息
来源： 评论
GaN/AlN周期堆栈结构SAM-APD器件仿真及性能优化
GaN/AlN周期堆栈结构SAM-APD器件仿真及性能优化
收藏
分享
引用
第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 李倩 康健彬 王旺平 陈飞良 李沫 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 四川成都610200 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川绵阳621999
GaN/AlN周期堆栈结构(PSS)能带调控能够提高电子/空穴碰撞离化率从而减小过剩噪声。通过将蒙特卡洛方法获得GaN/AlN-PSS的载流子输运机制及电子空穴碰撞离化模型集成到分离吸收倍增(SAM)pipin-APD中，数值模拟研究了基于GaN/AlN-PSS的SA... 详细信息
来源： 评论
GaN基SBD器件及倍频电路研究进展
GaN基SBD器件及倍频电路研究进展
收藏
分享
引用
第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 曾建平 安宁 李倩 谭为 唐杨 陆彬 蒋均 李理 中国工程物理研究院电子工程研究所 绵阳621999 中国工程物理研究院微系统与太赫兹中心 成都610299
本文开展了 AlGaN/GaN MSM型变容SBD研究,通过直流测试和射频测试提取了器件的直流、高频关键参数,其中栅长为5μm的MSM型变容SBD,反向漏电流为2×10-7A/mm@-8V,串联电阻 Rs=50.7Ω,零偏电容 Cj0=1.63fF,截止频率 fc0=1.93THz,Crati... 详细信息
来源： 评论
增强型AlGaN/GaN HEMT中氟杂质的第一性原理计算研究
增强型AlGaN/GaN HEMT中氟杂质的第一性原理计算研究
收藏
分享
引用
第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 王蓉 中国工程物理研究院电子工程研究所 绵阳621999 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 成都610200
通过等离子体处理或离子注入,有意在AlGaN层中引入氟(F)杂质是制备增强型AlGaN/GaN HEMT的重要方法[1,2]。而F杂质对器件电学性能的影响机理尚不明确。本论文通过第一性原理计算、特殊准随机结构方法及细致平衡理论[3,4],研究了增强型Al... 详细信息
来源： 评论
高灵敏快响应的石墨烯柔性应变传感器及其界面效应
高灵敏快响应的石墨烯柔性应变传感器及其界面效应
收藏
分享
引用
第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 杨婷婷 徐炜 孙松 微系统与太赫兹研究中心 中国工程物理研究院四川成都610200 电子工程研究所 中国工程物理研究院四川绵阳621999
石墨烯作为一种单原子层厚度的二维晶体，兼具优异的光学、电学、热学、力学等性能，对于单晶石墨烯而言，外力场对其能带结构有很强的调制，引起其电学性质的变化;特别对于多晶石墨烯而言，外力场能引起褶皱、晶界、搭接等结构的变化... 详细信息
来源： 评论
碳化硅门极可关断晶闸管结终端技术研究
碳化硅门极可关断晶闸管结终端技术研究
收藏
分享
引用
第一届全国集成微系统科学技术及其建模与仿真学术交流会暨科学挑战专题强约束集成微系统领域十三五中期进展学术交流会
作者： 李志强 张林 徐星亮 周坤 李良辉 李俊焘 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 成都610200 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川绵阳621999
在SiC高压功率器件中，门极可关断晶闸管(GTO)由于具有高阻断电压、大电流、低正向导通压降以及耐高温等优点而受到广泛关注[1-3]。而阻断电压作为GTO的一项关键性能指标，由于受到电场集聚效应的限制，器件往往会在远小于理想阻断电压... 详细信息
来源： 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共13页 <<  < 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 >  >>
回到顶部
执行限定条件