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6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究
6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 惠峰 王文军 高永亮 王志宇 中国科学院半导体所
半绝缘砷化镓单晶材料具有半绝缘、迁移率高、工作温度高等突出的优点,用它研制和生产出的器件和电路工作频率高、噪声低、功耗低,在高频通信应用领域具有极大的优势,因此,它们不仅成为军工微波、毫米波通信的首选,而且,近几年已在民用... 详细信息
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1.6mm AlGaN/GaN HEMT功率器件研制
1.6mm AlGaN/GaN HEMT功率器件研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘键 肖冬萍 魏珂 和致经 王润梅 刘新宇 钱鹤 吴德馨 王晓亮 中国科学院微电子所化合物半导体器件及电路实验室(北京) 中国科学院半导体所
本文首次报道总栅宽为1.6mm AlGaN/GaN HEMT功率器件研制.器件最大源漏电流密度接近1A/mm,器件的跨导最大198ms/mm,开态下的击穿电压超过40伏,器件截止频率19GHz.1.6mm的功率管采用多栅指(二十指)结构,最大源漏电流为1.54安培.利用Cripp... 详细信息
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0.3ìm栅长GaN HEMT器件
0.3ìm栅长GaN HEMT器件
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郑英奎 和致经 刘新宇 吴德馨 王晓亮 周均铭 中国科学院微电子研究所(北京) 中国科学院物理研究所(北京) 中国科学院半导体研究所(北京)
在国产的GaN/AlGaN外延材料上,通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,制作出具有T型栅的GaN HEMT(high-electronic-mobility-transistor)器件,主要对GaN/AlGaN外延材料上0.3微米栅长的实现进行了研究.形成了在... 详细信息
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AlN缓冲层TMAl流量对Si(111)上GaN晶体质量的影响
AlN缓冲层TMAl流量对Si(111)上GaN晶体质量的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 伍墨 张宝顺 王建峰 朱建军 杨辉 中国科学院半导体研究所 国家集成光电子研发中心(北京)
在Si(111)上生长六方GaN,一般采用AlN缓冲层技术,一方面可以抑制Si衬底上的Si原子扩散到GaN中形成SiN,另一方面,可以缓解GaN与Si衬底之间的张应力,从而可以提高GaN外延层的晶体质量.本文进述了影响AlN缓冲层的一些因数以及AlN缓冲层的... 详细信息
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MOCVD法生长高质量的侧向外延GaN
MOCVD法生长高质量的侧向外延GaN
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈俊 张纪才 张书明 朱建军 杨辉 中科院半导体所 集成光电子学国家重点实验室(北京)
运用低压金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X射线双晶衍射、透射电镜测量和分析.发现完全合并后的GaN外延层的表面平整,晶体质量较衬底有大幅的提... 详细信息
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铁磁半导体GaMnAs的MBE生长和特性研究
铁磁半导体GaMnAs的MBE生长和特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 杨春雷 何洪涛 葛惟昆 王建农 邱凯 姬长建 钟飞 王玉琦 香港科技大学物理系 材料物理重点实验室 中科院固体物理研究所(合肥)
我们用MBE生长得到一系列不同Mn含量的GaMnAs外延层,其X-射线衍射峰的半高宽为(40-90sec),在含5﹪的Mn的样品中所测到的铁磁居里转变温度约为110K.在居里点以下至10K,样品表现出良好的金属导电特性,同时我们也讨论了GaMnAs的晶格常数随M... 详细信息
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SOI光波导和集成波导光开关矩阵
SOI光波导和集成波导光开关矩阵
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈少武 余金中 刘敬伟 王章涛 夏金松 樊中朝 中国科学院半导体研究所 集成光电子联合国家重点实验室(北京)
本文报道了基于SOI(Silicon-on-Insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了基于MMI(Multimode interference)耦合器的2×2Mach-Zehnder干涉型热光光开关,开关转换... 详细信息
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一维介观结构中的自旋输运性质
一维介观结构中的自旋输运性质
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王立国 常凯 北京中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室(北京)
本文采用量子波导理论研究了多Stub一维介观结构中的自旋输运,我们考虑了Rashba效应和Dresselhaus效应.发现自旋翻转透射系数随Stub长度和电子动量增大而呈振荡特征.对于单个Stub的波导结构,Rashba效应引起的自旋翻转透射系数只能达到25... 详细信息
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硅基微电子新材料—SGOI薄膜研究进展
硅基微电子新材料—SGOI薄膜研究进展
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘超 高兴国 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 北京师范大学物理系(北京)
绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术(Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,被I... 详细信息
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近红外波段二维环形光子晶体
近红外波段二维环形光子晶体
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 许兴胜 张晓帆 孙增辉 陈弘达 张道中 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京) 中国科学院物理研究所光物理实验室(北京)
我们提出了带隙在近红外波段的环形光子晶体,主要有一系列环形的孔在背景材料为GaAs材料上构成.我们发现带隙不依赖于入射方向,很少的几排即可在透过谱上产生带隙.六角形构成的环形光子晶体的S波和P波的透过谱显示有一个完全带隙存在,带... 详细信息
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