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1.55微米Ge量子点RCE探测器的传输矩阵模拟
1.55微米Ge量子点RCE探测器的传输矩阵模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 高俊华 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文利用传输矩阵方法计算了1.55微米Ge量子点RCE探测器的量子效率与各种参数的关系.结果表明:合理选择上下反射镜的反射率(R1,R2),Ge量子点RCE探测器的量子效率可以超过40﹪.通过对量子点材料进行长方形近似,发现探测器的响应在很窄的... 详细信息
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射频等离子体增强化学气相高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜
射频等离子体增强化学气相高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 周炳卿 刘丰珍 朱美芳 刘金龙 谷锦华 张群芳 李国华 丁琨 中国科学院研究生院物理系(北京) 内蒙古师范大学物理与电子信息学院(呼和浩特) 中国科学院研究生院物理系(北京) 中国科学院半导体研究所(北京)
本文利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.通过选择适当的沉积参数,在过渡区得... 详细信息
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对InPSi亲水性直接键合的研究
对InPSi亲水性直接键合的研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 赵洪泉 于丽娟 黄永箴 中科院半导体所集成光电子国家重点实验室(北京)
为了估计直接键合的力度我们提出了一个既考虑了晶片表面微观形貌和弹性形变,又考虑了在不同温度下表面水分子对亲水性键合能的影响的模型.在该模型下,将键合在一起的晶片看成一个系统,利用界面自由能最小的原理,从能量的角度估算出了... 详细信息
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氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性
氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张书明 朱建军 李德尧 杨辉 中科院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
本文用直流和脉冲电流的方法研究了氮化镓基紫色和蓝色发光二极管的发光光谱和功率特性,结果表明,紫色发光二极管的发光中心波长在直流情况下随电流的增加发生红移,在脉冲情况下随电流的增加发生蓝移;蓝色发光二极管的发光中心波长在直... 详细信息
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生长条件及退火处理对磷化铟单晶的结构完整性的影响
生长条件及退火处理对磷化铟单晶的结构完整性的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 赵有文 董宏伟 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 中国科学院物理所(北京)
利用X射线双晶衍射(XRD)技术研究了原生及退火处理后的磷化铟单晶的晶格完整性.原生磷化铟单晶中由于存在着大量的位错和高的残留热应力,导致晶格产生很大的畸变,表现为XRD半峰宽的值较高并且分布不均匀,甚至有些原生的磷化铟单晶片出现... 详细信息
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GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈伟华 胡晓东 章蓓 黎子兰 潘尧波 胡成余 王琦 陆羽 陆敏 杨志坚 张国义 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所(北京)
用MOCVD生长了120周期GaN/AlGaN超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子衍射也表明我们生长出了质量较好的超晶格样品.在透射电镜... 详细信息
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粒子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
粒子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 宋书林 李艳丽 陈诺夫 林元华 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 清华大学材料科学与工程系 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 清华大学材料科学与工程系 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京)
利用双粒子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜,离子束能量在100~500eV范围内,较低衬底温度时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向,当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束... 详细信息
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硅基二氧化硅阵列波导光栅相位误差数值分析
硅基二氧化硅阵列波导光栅相位误差数值分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 安俊明 夏君旨 李健 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心(北京) 内蒙古大学物理系 唐山工业职业技术学院 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心(北京)
采用传输函数法对硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的相位系统误差和随机误差进行了详细的分析.系统误差的模拟结果表明阵列波导的有效折射率n和相邻阵列波导长度差△L的偏移将会对使中心波长λ偏离设计值,平板波导有效折射率n、阵列波导... 详细信息
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Al<,0.54>Ga<,0.46>N/GaN超晶格的低压MOCVD生长及其结构特性的研究
Al<,0.54>Ga<,0.46>N/GaN超晶格的低压MOCVD生长及其结构特性的研...
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孙钱 张纪才 王建峰 陈俊 赵德刚 王玉田 杨辉 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 武汉大学物理系(武汉)
本文利用低压MOCVD方法生长得到了无裂纹的2.5nmAlGaN/GaN超晶格,并对其进行了三轴晶X射线衍射(TXRD)、x射线反射(XRR)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、卢瑟福背散射(RBS)等实验测量分析.实验... 详细信息
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化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究
化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 高欣 孙国胜 李晋闽 赵万顺 王雷 张永兴 曾一平 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 兰州大学物理学院(兰州)
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2é=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单... 详细信息
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