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作者

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检索条件"任意字段=第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议"
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30Gbit/s并行光发射模块制作过程中的光耦合及封装
30Gbit/s并行光发射模块制作过程中的光耦合及封装
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 裴为华 唐君 申荣铉 陈弘达 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)
本文介绍了并行光发射模块制作过程中,垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵与列阵光纤的对准及固定方法.对斜面光纤折弯耦合和垂直耦合两种方法都进行了尝试,平均耦合效率都可达70﹪以上.比较了两种耦合方式的利弊.针对列阵光纤耦合的特点,... 详细信息
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单电子数据转换电路
单电子数据转换电路
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 欧晓斌 吴南健 中国科学院半导体研究所(北京)
本文提出了两种新型的由单电子晶体管、MOS管和电容组成的数模转换(ADC)和模数转换(DAC)电路.这种混合的数模转换和模数转换电路有以下一些优点:1)大的负载能力;2)在室温条件下工作;3)低功耗.对这种混合单电子晶体管和MOS管的ADC和DAC... 详细信息
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Si上GaN的GSMBE生长及MSM紫外探测器的响应特性
Si上GaN的GSMBE生长及MSM紫外探测器的响应特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张南红 王晓亮 王军喜 刘宏新 肖红领 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
作用NH源MBE在Si衬底上生长了GaN外延层并制备了MSM紫外探测器,GaN(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半峰宽为12.9弧分,AFM均方根粗糙度为0.88nm.加5.5V偏压,当波长小于363nm时,MSM紫外探测器峰值响应度为1.97A/W;当波长大于383nm时,响应度为... 详细信息
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Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量
Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 周晓龙 孙聂枫 赵彦军 杨克武 杨光耀 谢德良 刘二海 孙同年 中国电子科技集团公司第十三研究所国家专用集成电路重点实验室(石家庄)
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究... 详细信息
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SOI(100)柔性衬底上3C-SiC外延层的结构特征和电学特征
SOI(100)柔性衬底上3C-SiC外延层的结构特征和电学特征
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王晓峰 曾一平 孙国胜 王雷 赵万顺 中国科学院半导体研究所新材料部(北京)
用低压化学淀积(LPCVD)法在有氧化埋层的柔性衬底(SOI)上外延生长了3C-SiC.采用X-射线衍射)XRD)和扫描电镜(SEM)研究了3C-SiC的结构特征;利用二次离子质谱(SIMS)对3C-SiC样品的组份进行了深度分析.尤其是N和B两种杂质在SiC表面的浓度变... 详细信息
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耦合腔行波管输入段的三维数值模拟
耦合腔行波管输入段的三维数值模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘韦 李实 沈斌 阴和俊 中科院电子所微波器件中心(北京) 中国科学院研究生院 中科院电子所微波器件中心(北京)
运用有限积分法软件MAFIA和有限元软件Isfe13d对某耦合腔行波管输入段进行三维数值模拟,计算输入段的S参数和驻波比,将模拟结果与部分实验数据进行验证,得到了比较一致的结果,其平均计算精度在75以内,证实了这两种电磁软件都可用于行波... 详细信息
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半导体可饱和吸收镜研究与应用
半导体可饱和吸收镜研究与应用
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王勇刚 马骁宇 张志刚 中国科学院半导体研究所(北京) 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室(天津) 中国科学院半导体研究所(北京) 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室(天津)
我们先后研制成功低温反射式、低温透过式和表面态反射式1μm半导体可饱和吸收镜以及800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜.利用1微米半导体可饱和吸收镜实现多种固体激光器被动锁模,最短脉冲宽度为3ps,利用800nm布拉格型半导体可饱... 详细信息
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离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究
离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 江炳尧 任琮欣 冯涛 蒋军 柳襄怀 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心(上海)
本文采用离子束辅助沉积方法在行波管的钨质栅网上沉积铪膜.在高真空的环境下,模拟行波管的工作条件,对不同设备,不同工艺参数沉积的铪膜进行耐热应力循环试验.应用SEM观察试验样品在高温热处理前后形貌的变化.用AES测量循铪膜的组份.... 详细信息
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PHEMT MIMIC互推式振荡器设计
PHEMT MIMIC互推式振荡器设计
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 应子罡 吕昕 高本庆 李拂晓 高建峰 北京理工大学信息科学技术学院电子工程系(北京) 南京电子器件研究所(南京) 北京理工大学信息科学技术学院电子工程系(北京) 南京电子器件研究所(南京)
本文分析了单片互推式振荡器的设计原理,阐明了设计步骤,利用55所的0.5um GaAs PHEMT的管芯模型设计了工作频率为52.56GHz的MIMIC互推式振荡器,仿真结果表明该种振荡器具有工作频率高、负载迁移小、结构紧凑等优点.
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大功率670nm半导体激光器的研制
大功率670nm半导体激光器的研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
采用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900um,电流注入区条宽100um,两端的无注入区... 详细信息
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