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MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张源涛 朱慧超 崔勇国 刘大力 杨树人 杜国同 吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子国家重点实验室(吉林省长春市)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长MgZnO合金薄膜.c轴取向的MgZnO薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角... 详细信息
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依靠PL谱确定影响RTD性能的势垒临界尺寸
依靠PL谱确定影响RTD性能的势垒临界尺寸
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张晓昕 岳维松 王小光 曾一平 王保强 朱占平 中科院半导体所新材料部(北京) 北京工业大学计算机学院模式识别与图象处理实验室 中科院上海技物所物理室(上海)
在共振隧穿结构(RTS)的PL测试中,随着势垒厚度的减小,阱内发光变化不大,而阱外发光急剧减小,通过比较RTD结构PL谱中阱内外的积分发光强度,我们找到了可以让RTD单管在I-V曲线中出现负阻的势垒临界尺寸.在临界尺寸以下,载流子的输运中隧... 详细信息
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GaN基准二维八重光子准晶的研制
GaN基准二维八重光子准晶的研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张振生 章蓓 徐军 任谦 杨志坚 经光银 王琦 胡晓东 于彤军 俞大鹏 张国义 北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京大学宽禁带半导体中心和纳米结构与低维物理实验室(北京)
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至1500nm、深度为90nm至370nm的GaN基准二维... 详细信息
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半导体可饱和吸收镜研究与应用
半导体可饱和吸收镜研究与应用
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王勇刚 马骁宇 张志刚 中国科学院半导体研究所(北京) 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室(天津) 中国科学院半导体研究所(北京) 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室(天津)
我们先后研制成功低温反射式、低温透过式和表面态反射式1μm半导体可饱和吸收镜以及800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜.利用1微米半导体可饱和吸收镜实现多种固体激光器被动锁模,最短脉冲宽度为3ps,利用800nm布拉格型半导体可饱... 详细信息
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偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长研究
偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王雷 孙国胜 高欣 赵万顺 张永兴 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行了4H-SiC的同质外延生长,表面形貌是SiC外延材料的一个重要参数... 详细信息
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V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE氮化铟表面形貌的影响
V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE氮化铟表面形貌的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 肖红领 王晓亮 韩勤 王军喜 张南红 徐应强 刘宏新 曾一平 李晋闽 吴荣汉 中国科学院半导体所(北京)
由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE生长氮化铟外延膜表面... 详细信息
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掺锗对直拉硅单晶的红外吸收光谱的影响
掺锗对直拉硅单晶的红外吸收光谱的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 蒋中伟 张维连 牛新环 张书玉 河北工业大学半导体材料研究所(天津)
采用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的常温和低温红外吸收光谱.发现高浓度Ge的掺入在Si中引起了710cm和800cm等新吸收峰的出现,随Ge含量的增加这些峰的吸收强度也逐渐增强.采用X射线单晶衍射技术(SCXRD)对SiGe单晶的晶格... 详细信息
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Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 周晓龙 孙聂枫 赵彦军 杨克武 杨光耀 谢德良 刘二海 孙同年 中国电子科技集团公司第十三研究所国家专用集成电路重点实验室(石家庄)
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究... 详细信息
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SOI(100)柔性衬底上3C-SiC外延层的结构特征和电学特征
SOI(100)柔性衬底上3C-SiC外延层的结构特征和电学特征
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王晓峰 曾一平 孙国胜 王雷 赵万顺 中国科学院半导体研究所新材料部(北京)
用低压化学淀积(LPCVD)法在有氧化埋层的柔性衬底(SOI)上外延生长了3C-SiC.采用X-射线衍射)XRD)和扫描电镜(SEM)研究了3C-SiC的结构特征;利用二次离子质谱(SIMS)对3C-SiC样品的组份进行了深度分析.尤其是N和B两种杂质在SiC表面的浓度变... 详细信息
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In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发光(PL)谱与电学性能的关系研究
In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发...
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 崔利杰 曾一平 王保强 朱战平 中国科学院半导体研究所新材料部(北京)
用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了InGaAs/InAlAs异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能.结果发现InGaAs量子阱的导带第一二电子子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰强度比I/I及相应峰... 详细信息
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