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快速大容量磷注入合成磷化铟技术
快速大容量磷注入合成磷化铟技术
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孙聂枫 周晓龙 陈秉克 杨光耀 付建德 赵彦军 杨克武 孙同年 中国电子科技集团公司第十三研究所国家专用集成电路重点实验室(石家庄)
磷化铟(InP)是一种重要的半导体材料.本工作用一种快速直接磷注入合成和高压液封直拉晶体生长方法制备InP多晶.用这种方法可以在60—70分钟内合成3800克InP并生长在2—4英寸InP单晶.本文讨论了合成InP多晶和生长InP晶体的工艺技术.高纯... 详细信息
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等离子体增强化学汽相沉积法实现硅纳米线掺磷
等离子体增强化学汽相沉积法实现硅纳米线掺磷
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 曾湘波 廖显伯 郝会颖 王博 戴松涛 刁宏伟 向贤碧 孔光临 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室(北京) 清华大学物理系 原子分子纳米科学教育部重点实验室(北京)
用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺P.选用Si片作衬底,硅烷(SiH)作硅源,磷烷(PH)作掺杂气体,Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制我们探讨了掺P硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活... 详细信息
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垂直腔面发射激光器的研制
垂直腔面发射激光器的研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郭霞 董立闽 达小丽 渠红伟 邓军 杜金玉 邹德恕 沈光地 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京市光电子技术实验室(北京)
采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化物限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分析了氧化孔径大小对器件各个... 详细信息
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GaN基准二维八重光子准晶的研制
GaN基准二维八重光子准晶的研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张振生 章蓓 徐军 任谦 杨志坚 经光银 王琦 胡晓东 于彤军 俞大鹏 张国义 北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京大学宽禁带半导体中心和纳米结构与低维物理实验室(北京)
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至1500nm、深度为90nm至370nm的GaN基准二维... 详细信息
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偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长研究
偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王雷 孙国胜 高欣 赵万顺 张永兴 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行了4H-SiC的同质外延生长,表面形貌是SiC外延材料的一个重要参数... 详细信息
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掺锗对直拉硅单晶的红外吸收光谱的影响
掺锗对直拉硅单晶的红外吸收光谱的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 蒋中伟 张维连 牛新环 张书玉 河北工业大学半导体材料研究所(天津)
采用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的常温和低温红外吸收光谱.发现高浓度Ge的掺入在Si中引起了710cm和800cm等新吸收峰的出现,随Ge含量的增加这些峰的吸收强度也逐渐增强.采用X射线单晶衍射技术(SCXRD)对SiGe单晶的晶格... 详细信息
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In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发光(PL)谱与电学性能的关系研究
In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发...
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 崔利杰 曾一平 王保强 朱战平 中国科学院半导体研究所新材料部(北京)
用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了InGaAs/InAlAs异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能.结果发现InGaAs量子阱的导带第一二电子子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰强度比I/I及相应峰... 详细信息
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量子点分布误差对镜像电荷自动元胞机的影响
量子点分布误差对镜像电荷自动元胞机的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 汪艳贞 吴南健 中国科学院半导体研究所(北京)
本文主要研究了量子点分布的误差对镜像电荷量子元胞自动机(QCA)的影响.镜像电荷QCA每个元胞中的四个量子点是被严格限制在正文形元胞的四个角上的,考虑到现有的量子点生长技术,量子点偏离理想位置的情况是不可避免的.我们模拟了在正态... 详细信息
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InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器激射特性研究
InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器激射特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 钱家骏 叶小玲 陈涌海 徐波 韩勤 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 中国科学院半导体研究所光电子工艺中心(北京)
利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器、内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为(15±10)A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基... 详细信息
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Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性
Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王建峰 张纪才 张宝顺 伍墨 王玉田 杨辉 梁骏吾 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 武汉大学物理系(武汉) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13-20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此... 详细信息
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