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MBE生长Si<,0.7>Ge<,0.3>/Si多量子阱(MQW)环形波导结构探测器
MBE生长Si<,0.7>Ge<,0.3>/Si多量子阱(MQW)环形波导结构探测器
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 朱育清 杨沁清 科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室
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光纤通信技术对光电子器件的要求及发展趋势
光纤通信技术对光电子器件的要求及发展趋势
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 易河清 部激光通信研究所
光纤通信技术发展现状对化合物半导体光电子器件的要求和光纤通信用光电子器件今后的发展趁势－－磷化铟上的光电子集成予以概括论述。
来源： 评论
高fmax异质结双极晶体管研制及应用初探
高fmax异质结双极晶体管研制及应用初探
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 钱峰 姚晓峨 电子器件研究所
讨论了异质结双极晶体管器件设计及外延材料的优化，介绍了异质结双极晶体管研制的工艺过程。
来源： 评论
器件隔离离子注入掩膜的制备方法
器件隔离离子注入掩膜的制备方法
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 欧文 刘训春 科学院微电子中心
提出了一种用ＳｉＯ〈，２〉／正胶／ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ多层膜来制备离子注入掩膜的方法，此方法对ＨＢＴ等ＧａＡｓ器件隔离有很强的实用性。
来源： 评论
HgCdTe光伏探测器V￣I特性的自动测试系统
HgCdTe光伏探测器V￣I特性的自动测试系统
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 严隆 田种运 物理研究所
介绍了ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器Ｖ￣Ｉ特性的自动测试系统的软硬件构成，并分析了测试结果。
来源： 评论
极微弱光位敏探测新技术
极微弱光位敏探测新技术
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 富丽晨 卢耀华 光学精密机械学院
在介绍ＰＳＤ电子响应特性基础上，推荐一种用于微弱光探测的ＭＣＰ－ＰＳＤ管，并且给出ＭＣＰ串接使用组合模式的研究结果。
来源： 评论
深亚微米X射线光刻的HEMT器件制作中的应用
深亚微米X射线光刻的HEMT器件制作中的应用
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 叶甜春 胡一贯 朱樟震 科学院微电子中心 科技大学国家同步辐射实验室 科学院高能物理研究所
将该技术应用于ＨＥＭＴ器件制作也初试成功。
来源： 评论
双应变富In沟道新结构InGaAs/InP器件的研究
双应变富In沟道新结构InGaAs/InP器件的研究
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 刘训春 钱鹤 科学院微电子中心
报导了我们提出并由上海冶金所外延生长成功的双应变富Ｉｎ沟道Ｉｎ〈，０．４〉Ａｌ〈，０．６〉Ａｓ／Ｉｎ〈，０．８〉Ｇａ〈，０．２〉Ａｓ／ＩｎＰ新结构及用该结构研制的ＰＨＥＭＴ器件。
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电子束直接光刻技术在HEMT器件中的应用研究
电子束直接光刻技术在HEMT器件中的应用研究
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 葛璜 金才政 科学院半导体研究所国家光电子工艺中心
介绍了直接光刻技术的技术要点及其在ＨＥＭＴ器件研制中的应用，采用这种技术与剥离工艺结合可产生０．１￣０．３μｍ微细金属栅电极，研制成功的ＨＥＭＴ器件跨导达３８０ｍｓ／ｍｍ，截止频率超过５０ＧＨｚ。
来源： 评论
MBE生长超晶格材料与应用研究
MBE生长超晶格材料与应用研究
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 崔立奇 张文俊 工业部第13研究所
介绍制备超晶格结构材料的ＭＢＥ技术，以及材料性能和器件应用情况;从微结构设计出发，比较深入地研究了平面掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ（Ｇａ）Ａｓ超晶格结构二维电子气有关性质，实验工作取得了重要的进展。
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