检索结果-内蒙古大学图书馆

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所(北京)

用MOCVD生长了120周期GaN/AlGaN超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子衍射也表明我们生长出了质量较好的超晶格样品.在透射电镜... 详细信息

用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子衍射也表明我们生长出了质量较好的超晶格样品.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.我们观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.

关键词： GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析线缺陷

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37.5Gbit/s并行光发射模块的研制

37.5Gbit/s并行光发射模块的研制

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：唐君陈弘达裴为华贾九春周毅中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京100083

本文制作并测试了12信道总传输速率为37.5 Gbit/s的高速并行光发射模块,其中单信道传输速率为3.125 Gbit/s.模块采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为光源.耦合过程采用了一种利用倒装焊设备进行激光器阵列与列阵光纤之间的... 详细信息

本文制作并测试了12信道总传输速率为37.5 Gbit/s的高速并行光发射模块,其中单信道传输速率为3.125 Gbit/s.模块采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为光源.耦合过程采用了一种利用倒装焊设备进行激光器阵列与列阵光纤之间的无源对准耦合的方法.在单信道8mA的工作电流下,可以得到3.125Gbit/s的清晰眼图.

关键词：并行光传输 12信道光纤阵列垂直腔面发射激光器发射模块

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化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究

化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：高欣孙国胜李晋闽赵万顺王雷张永兴曾一平中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 兰州大学物理学院(兰州)

采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2é=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单... 详细信息

采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向<11-20>晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2é=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单晶.PL测试发现在2.8—3.1eV范围内,有很强的4H-SiC的施主-受主对(DAP)跃迁发光峰,以及自由电子向束缚在受主杂质上的空穴跃迁的发光峰.对于在较低温度下外延的4H-SiC样品,在其PL谱中也观察到在1.8-2.4eV范围内出现很宽的谱峰.利用室温Raman散射谱分析了SiC的多型体情况.发现在低温下生长的样品的Raman谱中,出现了典型的3H-SiC的Raman普,表明该样品含有立方相SiC,这与PL谱获得的结果相吻合.

关键词： 4H-SiC 化学气相沉积外延生长外延膜生长特征

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材料研究中心半导体材料研究所成功举办两个全国性学术会议

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河北工业大学学报 1996年第3期 112-112页

材料研究中心半导体材料研究所成功举办两个全国性学术会议受中国电子学会和中国有色金属学会的委托，由我校材料研究中心半导体材料研究所承办的两个全国性学术会议取得了成功．两个学术会议的内容分别为：１．全国第九届化合物半导体... 详细信息

材料研究中心半导体材料研究所成功举办两个全国性学术会议受中国电子学会和中国有色金属学会的委托，由我校材料研究中心半导体材料研究所承办的两个全国性学术会议取得了成功．两个学术会议的内容分别为：１．全国第九届化合物半导体、微波器件、光电器件学术会议；２．...

关键词：半导体材料电工材料学术会议研究所

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