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  • 17 篇 理学
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    • 4 篇 化学
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    • 1 篇 教育学
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    • 1 篇 管理科学与工程(可...

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机构

  • 17 篇 中国科学院半导体...
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  • 5 篇 中国科学院半导体...
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  • 4 篇 北京大学
  • 4 篇 工业部第四十六研...
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  • 3 篇 南京电子器件研究...
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  • 3 篇 北京师范大学
  • 3 篇 大学物理系
  • 3 篇 西安电子科技大学
  • 3 篇 科学院微电子中心
  • 3 篇 武汉大学
  • 3 篇 中国科学院半导体...
  • 2 篇 有色金属研究总院
  • 2 篇 人工微结构和介观...
  • 2 篇 中国科学院半导体...

作者

  • 15 篇 曾一平
  • 10 篇 李晋闽
  • 8 篇 王晓亮
  • 7 篇 杨辉
  • 7 篇 王启明
  • 5 篇 成步文
  • 5 篇 和致经
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  • 5 篇 王军喜
  • 5 篇 陈弘达
  • 5 篇 李传波
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  • 4 篇 刘键
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  • 4 篇 左玉华
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  • 4 篇 吴荣汉
  • 4 篇 张纪才

语言

  • 164 篇 中文
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高压LEC工艺生长SI-GaAs中的碳杂质
高压LEC工艺生长SI-GaAs中的碳杂质
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 赖占平 齐德格 工业部第四十六研究所
来源: 评论
SI-GaAs材料及其器件光敏特性的研究
SI-GaAs材料及其器件光敏特性的研究
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 周智慧 郭小兵 工业部四十六研究所
来源: 评论
超万瓦高功率GaAs红外激光窗口材料的研制
超万瓦高功率GaAs红外激光窗口材料的研制
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 黎建明 王岩 有色金属研究总院
来源: 评论
RTA对SI-GaAs的深中心的影响
RTA对SI-GaAs的深中心的影响
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 徐寿定 张砚华 科学院半导体研究所
来源: 评论
砷化镓等化合物半导体市场进展
砷化镓等化合物半导体市场进展
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 赵谢群 张艳红 有色金属研究总院
综述了国内外以GaAs为主的化合物半导本市场现状及今后的发展动向。
来源: 评论
n-型GaAs晶体的自然转型
n-型GaAs晶体的自然转型
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 徐寿定 孙明方 科学院半导体所半导体材料科学实验室
来源: 评论
X波段宽带低噪声P-HEMT MMIC
X波段宽带低噪声P-HEMT MMIC
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 丁奎章 于玲莉 半导体研究所
来源: 评论
氮化镓晶体薄膜的阴极荧光测量
氮化镓晶体薄膜的阴极荧光测量
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 李成基 王万年 科学院半导体研究所
来源: 评论
光纤及其传感器研究与进展
光纤及其传感器研究与进展
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 林秀华 陈主荣 大学物理系
来源: 评论
高灵敏度InGaAs/InP新结构光电探测器
高灵敏度InGaAs/InP新结构光电探测器
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 李国辉 孙殿照 师范大学低能核物理所 科学院半导体所
来源: 评论