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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

163 篇 会议
1 篇 期刊文献

馆藏范围

164 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

155 篇 工学
- 137 篇 电子科学与技术（可...
- 123 篇 材料科学与工程（可...
- 26 篇 光学工程
- 15 篇 仪器科学与技术
- 1 篇 控制科学与工程
- 1 篇 计算机科学与技术...
17 篇 理学
- 17 篇 物理学
- 4 篇 化学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

27 篇 半导体材料
23 篇 半导体器件
13 篇 砷化镓
10 篇 分子束外延
9 篇 gan
7 篇 发光二极管
6 篇 晶体管
6 篇 半导体激光器
5 篇 异质结
5 篇 algan/gan
5 篇 氮化镓
4 篇 单晶
4 篇 单片电路
4 篇 x射线衍射
4 篇 制备工艺
4 篇 外延生长
4 篇 垂直腔面发射激光...
4 篇 低噪声放大器
4 篇 晶体生长
3 篇 半导体

机构

17 篇 中国科学院半导体...
9 篇 中国科学院半导体...
7 篇 中国科学院半导体...
6 篇 科学院半导体研究...
5 篇 中国科学院半导体...
5 篇 电子器件研究所
4 篇 北京大学
4 篇 工业部第四十六研...
4 篇 科学院半导体所半...
3 篇 南京电子器件研究...
3 篇 中国科学院微电子...
3 篇 北京师范大学
3 篇 大学物理系
3 篇 西安电子科技大学
3 篇 科学院微电子中心
3 篇 武汉大学
3 篇 中国科学院半导体...
2 篇 有色金属研究总院
2 篇 人工微结构和介观...
2 篇 中国科学院半导体...

作者

15 篇 曾一平
10 篇 李晋闽
8 篇 王晓亮
7 篇 杨辉
7 篇 王启明
5 篇 成步文
5 篇 和致经
5 篇 刘新宇
5 篇 王军喜
5 篇 陈弘达
5 篇 李传波
4 篇 张国义
4 篇 韩勤
4 篇 刘键
4 篇 毛容伟
4 篇 左玉华
4 篇 杨志坚
4 篇 牛智川
4 篇 吴荣汉
4 篇 张纪才

语言

164 篇 中文

检索条件"任意字段=第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议"

共 164 条记录，以下是31-40 订阅

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排序：

SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析

SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：王广甫刘超李建平北京师范大学分析测试中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)

SiGe合金薄膜中的Ge含量及分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响.本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe/Si和SiGe-OI材料样品进行了分析.与TEM,SEM、Raman等分析结果进行比较表明,Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层... 详细信息

SiGe合金薄膜中的Ge含量及分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响.本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe/Si和SiGe-OI材料样品进行了分析.与TEM,SEM、Raman等分析结果进行比较表明,Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层厚度,Ge含量及其深度分析,Si过渡层和SiO<,2>层厚度,并有较好的测量精度.

关键词： SiGe合金 SGOI薄膜卢瑟福背散射分析

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内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性研究

内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：曾宇昕刘伟杨富华徐萍谭平恒章昊边历峰郑厚植曾一平中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京) 中科院半导体研究所新材料部(北京)

研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并... 详细信息

研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测场效应管.

关键词： InAs量子点光致荧光谱调制掺杂场效应晶体管光电特性

来源：评论

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大功率半导体激光器光束整形技术

大功率半导体激光器光束整形技术

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：刘媛媛方高瞻马骁宇中国科学院半导体研究所工程中心(北京)

本文从大功率半导体激光器的光束质量出发,介绍了几种半导体激光器的光束整形技术,国际上利用这些技术得到了高亮度的激光输出,不仅仅可以用来泵浦固体激光器和光纤激光器,而且使大功率半导体激光器作为一种激光加工手段,直接应用在工... 详细信息

本文从大功率半导体激光器的光束质量出发,介绍了几种半导体激光器的光束整形技术,国际上利用这些技术得到了高亮度的激光输出,不仅仅可以用来泵浦固体激光器和光纤激光器,而且使大功率半导体激光器作为一种激光加工手段,直接应用在工业加工领域,具有广阔的市场前景.

关键词：光纤捆绑技术半导体激光器光束整形

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Ku波段低相噪体效应管

Ku波段低相噪体效应管

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：张晓刘萍单云东南京电子器件研究所(南京)

体效应振荡器相位噪声主要决定于体效应管的噪声.文中介绍了Ku波段低相噪体效应管的设计与工艺实现,并制作出了与设计结果基本一致的器件.该器件在Ku波段高端输出功率大于150mW、转换效率大于5﹪.将其安装于低相噪介质振荡器中,在保证... 详细信息

体效应振荡器相位噪声主要决定于体效应管的噪声.文中介绍了Ku波段低相噪体效应管的设计与工艺实现,并制作出了与设计结果基本一致的器件.该器件在Ku波段高端输出功率大于150mW、转换效率大于5﹪.将其安装于低相噪介质振荡器中,在保证一定的输出功率的情况下,相位噪声小于-98dBc/Hz/5KHz,-10dB谱线宽度小于200Hz.

关键词：相位噪声砷化镓体效应振荡器

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B在SiGe中的应变补偿作用

B在SiGe中的应变补偿作用

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：成步文姚飞薛春来张建国李传波毛容伟左玉华罗丽萍王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)

用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.307,即平均掺入1个B原子可以补偿7.307个Ge原子引起的应变... 详细信息

用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.307,即平均掺入1个B原子可以补偿7.307个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.232×10<'-24>.

关键词： SiGe 应变补偿 B掺杂真空化学汽相淀积

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铟量子点单电子晶体管

铟量子点单电子晶体管

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：郭荣辉赵正平刘玉贵武一斌吕苗西安电子科技大学微电子所(西安) 河北半导体研究所(石家庄)

本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显... 详细信息

本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显的库仑阻塞特性.

关键词：单电子晶体管库仑阻塞量子点

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半导体器件参数比例差值谱分析系统

半导体器件参数比例差值谱分析系统

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：谭长华许铭真杨斌马金源北京大学微电子研究院

该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性-比例差值特性.提供的统一用户接口便于用户实现监测、快速数据采集和分析一体化.该系统适用于薄膜材料缺陷分析和多类半导体器件如二极管、三极管、... 详细信息

该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性-比例差值特性.提供的统一用户接口便于用户实现监测、快速数据采集和分析一体化.该系统适用于薄膜材料缺陷分析和多类半导体器件如二极管、三极管、场效应管、光电器件,以化合物半导体GaAs、InP、GaN等为材料的半导体器件,HEMT、SOI器件、导质结器件、晶片、IC等直流参数测量分析.主要应用于集成电路的计算机辅助设计(CAD),新元件的评价,材料评估,电路设计的元件选择,半导体生产的过程控制、质量控制及品质保证.

关键词：半导体器件比例差值算符薄膜材料质量控制材料评估

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紫外写入平板波导的折射率分布

紫外写入平板波导的折射率分布

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