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作者

  • 15 篇 曾一平
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  • 8 篇 王晓亮
  • 7 篇 杨辉
  • 7 篇 王启明
  • 5 篇 成步文
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  • 5 篇 刘新宇
  • 5 篇 王军喜
  • 5 篇 陈弘达
  • 5 篇 李传波
  • 4 篇 张国义
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  • 4 篇 刘键
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语言

  • 164 篇 中文
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SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析
SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析
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第十三全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 王广甫 刘超 李建平 北京师范大学分析测试中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
SiGe合金薄膜中的Ge含量及分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响.本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe/Si和SiGe-OI材料样品进行了分析.与TEM,SEM、Raman等分析结果进行比较表明,Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层... 详细信息
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内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性研究
内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性研究
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第十三全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 曾宇昕 刘伟 杨富华 徐萍 谭平恒 章昊 边历峰 郑厚植 曾一平 中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京) 中科院半导体研究所新材料部(北京)
研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并... 详细信息
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大功率半导体激光器光束整形技术
大功率半导体激光器光束整形技术
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第十三全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 刘媛媛 方高瞻 马骁宇 中国科学院半导体研究所工程中心(北京)
本文从大功率半导体激光器的光束质量出发,介绍了几种半导体激光器的光束整形技术,国际上利用这些技术得到了高亮度的激光输出,不仅仅可以用来泵浦固体激光器和光纤激光器,而且使大功率半导体激光器作为一种激光加工手段,直接应用在工... 详细信息
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Ku波段低相噪体效应管
Ku波段低相噪体效应管
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第十三全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 张晓 刘萍 单云东 南京电子器件研究所(南京)
体效应振荡器相位噪声主要决定于体效应管的噪声.文中介绍了Ku波段低相噪体效应管的设计与工艺实现,并制作出了与设计结果基本一致的器件.该器件在Ku波段高端输出功率大于150mW、转换效率大于5﹪.将其安装于低相噪介质振荡器中,在保证... 详细信息
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B在SiGe中的应变补偿作用
B在SiGe中的应变补偿作用
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第十三全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 成步文 姚飞 薛春来 张建国 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 王启明 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室(北京)
用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.307,即平均掺入1个B原子可以补偿7.307个Ge原子引起的应变... 详细信息
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铟量子点单电子晶体管
铟量子点单电子晶体管
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第十三全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 郭荣辉 赵正平 刘玉贵 武一斌 吕苗 西安电子科技大学微电子所(西安) 河北半导体研究所(石家庄)
本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显... 详细信息
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半导体器件参数比例差值谱分析系统
半导体器件参数比例差值谱分析系统
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第十三全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 谭长华 许铭真 杨斌 马金源 北京大学微电子研究院
该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性-比例差值特性.提供的统一用户接口便于用户实现监测、快速数据采集和分析一体化.该系统适用于薄膜材料缺陷分析和多类半导体器件如二极管、三极管、... 详细信息
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紫外写入平板波导的折射率分布
紫外写入平板波导的折射率分布
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第十三全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 夏君磊 郜定山 吴远大 安俊明 李健 胡雄伟 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心(北京)
本文通过紫外写入方法制作出了表面折射率分布均匀的平板波导,在光敏芯区实现了高达0.0051的光致折变.通过棱镜耦合仪测量了波导深度方向上的折射率分布和光致折变△n随深度的变化趋势,并对光致折变随深度变化曲线进行了拟合,获得了光... 详细信息
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一种新型的三稳态纳电子器件
一种新型的三稳态纳电子器件
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第十三全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 牛萍娟 陈乃金 郭维廉 梁惠来 王文新 天津工业大学信息与通信工程学院 天津大学电子信息工程学院 中科院物理所分子束外延实验室
我们制作了在电流-电压特性曲线上具有双微分负阻的共振隧穿器件,室温就可达到较高的峰谷比5.2:1,这种器件采用两个隧穿二极管背靠背串联的结构,可以在多值逻辑或其它有关降低电路复杂性方面有较为广泛的应用.
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微晶硅薄膜的微结构及光电特性
微晶硅薄膜的微结构及光电特性
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第十三全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 郝会颖 孔光临 廖显伯 刁宏伟 曾湘波 许颖 中科院半导体研究所表面物理实验室 中国地质大学(北京) 中科院半导体研究所表面物理实验室
利用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)设备通过改变反应气体,H/SiH中的氢稀释比制备出一系列硅薄膜.薄膜的微区喇曼散射谱表明随着氢稀释比的增大薄膜由非晶向微晶过渡.通过测量薄膜的带隙、激活能、光敏性、及载流子的迁移... 详细信息
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