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作者

  • 15 篇 曾一平
  • 10 篇 李晋闽
  • 8 篇 王晓亮
  • 7 篇 杨辉
  • 7 篇 王启明
  • 5 篇 成步文
  • 5 篇 和致经
  • 5 篇 刘新宇
  • 5 篇 王军喜
  • 5 篇 陈弘达
  • 5 篇 李传波
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  • 164 篇 中文
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大功率GaN基LED的效率分析
大功率GaN基LED的效率分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郭金霞 马龙 伊晓燕 王良臣 王国宏 李晋闽 中科院半导体研究所
本文首先明确了与LED效率相关的几个概念,并结合LED的发光机理,分析得出目前限制GaN基LED发光效率的主要因素是外提取效率,然后利用几何和物理光学方法分析了影响GaN基LED外提取效率的因素和机理,最后针对全反射,吸收,侧向发光等问题总... 详细信息
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铟量子点单电子晶体管
铟量子点单电子晶体管
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郭荣辉 赵正平 刘玉贵 武一斌 吕苗 西安电子科技大学微电子所(西安) 河北半导体研究所(石家庄)
本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显... 详细信息
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n型4H-SiC欧姆接触特性研究
n型4H-SiC欧姆接触特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈刚 南京电子器件研究所
本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件的实现奠定基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测量NiCr/4H—SiC的最... 详细信息
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AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 冉军学 王晓亮 王翠梅 王军喜 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频... 详细信息
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大功率倒装结构GaN LED P电极研究
大功率倒装结构GaN LED P电极研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 伊晓燕 马龙 郭金霞 王良臣 王国宏 李晋闽 中科院半导体研究所(北京)
从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag等多种倒装结构P电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED P电极的多种设计方案.指出Ni/Au金属化体系在大功率LED应用中存在的热稳定性问题及Ru,Ir等新型金属体... 详细信息
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基于白光照明的GaN基功率型LED芯片的研究进展
基于白光照明的GaN基功率型LED芯片的研究进展
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张国义 陈志忠 杨志坚 秦志新 于彤军 胡晓东 童玉珍 陆羽 康香宁 丁晓民 章蓓 北京大学物理学院 北京大学宽禁带半导体研究中心(北京)
GaN基白光发光二极管(LED)因为其高效、节能、环保等优点,正在成为新一代照明的固态照明(Solid-State Lighting,SSL)最具潜力的光源.目前主要研究方向有:倒封装芯片技术;结构衬底,表面粗化以及微结构技术;激光剥离、上下电极芯片技术等.
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3英寸VB半绝缘砷化镓单晶的研制
3英寸VB半绝缘砷化镓单晶的研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 兰天平 王建利 丰梅霞 常玉璟 牛沈军 中国电子科技集团公司第四十六研究所(天津市)
本文简要介绍了在自制的VB单晶炉上研制3英寸半绝缘砷化镓单晶情况.使用石英-PNB晶体生长系统,通过我们的工艺研究,生长出了半绝缘性能及热稳定性好的非掺半绝缘砷化镓单晶,而且位错密度至少要比LEC工艺低一个量级.
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InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李献杰 蔡道民 赵永林 王全树 周州 曾庆明 中国电子科技集团公司第13研究所(石家庄)
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.
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2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺研究
2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘新宇 刘键 魏珂 郑英奎 邵刚 陈晓娟 和致经 王素琴 吴德馨 王晓亮 周均铭 中国科学院微电子所(北京) 中国科学院半导体所(北京) 中国科学院物理研究所(北京)
本文基于国产2英寸AlGaN/GaN材料,对2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺进行了研究,成功地开发出成套2英寸AlGaN/GaN HEMT功率器件工艺.其关键工艺技术包括:台面隔离、欧姆接触、钝化、电镀空气桥等技术.经过工艺投片,获得性能良好的AlGaN/GaN HEM... 详细信息
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SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析
SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王广甫 刘超 李建平 北京师范大学分析测试中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
SiGe合金薄膜中的Ge含量及分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响.本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe/Si和SiGe-OI材料样品进行了分析.与TEM,SEM、Raman等分析结果进行比较表明,Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层... 详细信息
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