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高fmax异质结双极晶体管研制及应用初探
高fmax异质结双极晶体管研制及应用初探
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 钱峰 姚晓峨 电子器件研究所
讨论了异质结双极晶体管器件设计及外延材料的优化，介绍了异质结双极晶体管研制的工艺过程。
来源： 评论
MBE生长Si<,0.7>Ge<,0.3>/Si多量子阱(MQW)环形波导结构探测器
MBE生长Si<,0.7>Ge<,0.3>/Si多量子阱(MQW)环形波导结构探测器
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 朱育清 杨沁清 科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室
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HgCdTe光伏探测器V￣I特性的自动测试系统
HgCdTe光伏探测器V￣I特性的自动测试系统
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 严隆 田种运 物理研究所
介绍了ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器Ｖ￣Ｉ特性的自动测试系统的软硬件构成，并分析了测试结果。
来源： 评论
器件隔离离子注入掩膜的制备方法
器件隔离离子注入掩膜的制备方法
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 欧文 刘训春 科学院微电子中心
提出了一种用ＳｉＯ〈，２〉／正胶／ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ多层膜来制备离子注入掩膜的方法，此方法对ＨＢＴ等ＧａＡｓ器件隔离有很强的实用性。
来源： 评论
极微弱光位敏探测新技术
极微弱光位敏探测新技术
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 富丽晨 卢耀华 光学精密机械学院
在介绍ＰＳＤ电子响应特性基础上，推荐一种用于微弱光探测的ＭＣＰ－ＰＳＤ管，并且给出ＭＣＰ串接使用组合模式的研究结果。
来源： 评论
双应变富In沟道新结构InGaAs/InP器件的研究
双应变富In沟道新结构InGaAs/InP器件的研究
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 刘训春 钱鹤 科学院微电子中心
报导了我们提出并由上海冶金所外延生长成功的双应变富Ｉｎ沟道Ｉｎ〈，０．４〉Ａｌ〈，０．６〉Ａｓ／Ｉｎ〈，０．８〉Ｇａ〈，０．２〉Ａｓ／ＩｎＰ新结构及用该结构研制的ＰＨＥＭＴ器件。
来源： 评论
MBE生长超晶格材料与应用研究
MBE生长超晶格材料与应用研究
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 崔立奇 张文俊 工业部第13研究所
介绍制备超晶格结构材料的ＭＢＥ技术，以及材料性能和器件应用情况;从微结构设计出发，比较深入地研究了平面掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ（Ｇａ）Ａｓ超晶格结构二维电子气有关性质，实验工作取得了重要的进展。
来源： 评论
深亚微米X射线光刻的HEMT器件制作中的应用
深亚微米X射线光刻的HEMT器件制作中的应用
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 叶甜春 胡一贯 朱樟震 科学院微电子中心 科技大学国家同步辐射实验室 科学院高能物理研究所
将该技术应用于ＨＥＭＴ器件制作也初试成功。
来源： 评论
Ku波段HEMT单片低噪声放大器
Ku波段HEMT单片低噪声放大器
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 乔宝文 陈效建 电子器件研究所
报道了南京电子器件研究所研制的Ｋｕ波段ＨＥＭＴ单片低噪声放大器的研究结果。利用ＣＡＤ软件对单片电路进行了优化设计，设计工作包括ＭＢＥ材料、器件和电路三部分。
来源： 评论
InGaAs/GaAs量子点超晶格的生长
InGaAs/GaAs量子点超晶格的生长
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 潘栋 曾一平 科学院半导体所材料中心新材料部
首次报道了低组分（Ｉｎ￣０．３）的２０周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子点超晶格的生长，用透射电镜（ＴＥＭ）直接观察到清晰的无位错的量子点超晶格的结构，量子点的平均尺寸大小：直径３０ｎｍ和高度６－７ｎｍ。
来源： 评论
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