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InGaAs/GaAs量子点超晶格的生长
InGaAs/GaAs量子点超晶格的生长
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 潘栋 曾一平 科学院半导体所材料中心新材料部
首次报道了低组分（Ｉｎ￣０．３）的２０周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子点超晶格的生长，用透射电镜（ＴＥＭ）直接观察到清晰的无位错的量子点超晶格的结构，量子点的平均尺寸大小：直径３０ｎｍ和高度６－７ｎｍ。
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用于无线通信的GaN微波功率器件
用于无线通信的GaN微波功率器件
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 袁明文 专用集成电路国家重点实验室(河北石家庄)
GaN器件已开始步入实用化阶段,具有优越性能的GaN器件的频率范围已从L波段覆盖到Ka波段,将为其在无线通信中的应用展示了极为广阔的前景.
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带增透膜的全耗尽型硅光电探测器
带增透膜的全耗尽型硅光电探测器
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 王洪波 王勇 大学微电子学研究所
介绍了一种具有较高灵敏度和量子效率的全耗尽型硅光电探测器，并给出了一组较为详细的实验结果。这种硅光电探测器有效地减小了入射光的反射，并提高了光子的内部量子效率。
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分子束外延半导体低维结构
分子束外延半导体低维结构
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孔梅影 曾一平 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
本文通过对分子束外延技术发展中一些重要问题的分析和讨论,结合我们自己的研究工作,综合评述了利用分子束外延技术制备半导体低维结构的特点、关键和发展.
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AlGaN/GaN功率HEMTs稳定性分析
AlGaN/GaN功率HEMTs稳定性分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 邵刚 刘新宇 和致经 刘键 陈晓娟 吴德馨 中国科学院微电子研究所(北京)
本文对基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMTs功率器件自激振荡现象进行了分析,器件的反向增益对器件的稳定性影响较大,稳定性的提高需要从改善封装质量、优化器件设计等方面综合考虑.
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大功率氮化镓基LED关键技术研究
大功率氮化镓基LED关键技术研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 马龙 伊晓燕 郭金霞 王良臣 王国宏 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
本文对大功率氮化镓基LED的关键技术,尤其是大芯片LED的结构设计,P电极的选择与制备,提取效率的提高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论.
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VB-GaAs晶体生长技术中掺硅浓度的控制
VB-GaAs晶体生长技术中掺硅浓度的控制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 牛沈军 常玉璟 丰梅霞 王建利 兰天平 中国电子科技集团公司第四十六研究所
结合VB-GaAs晶体生长工艺、对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了实际的修正因子.针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料.
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基于SOI光波导器件的回波损耗分析
基于SOI光波导器件的回波损耗分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈鹏 辛红丽 李芳 方青 刘育梁 中国科学院半导体研究所光电子研发中心(北京)
利用高斯光束耦合理论分析了SOI波导光电器件的回波损耗,并且采用倾斜3.37度抛光SOI波导端面和在波导端面镀减反膜的方法提高了器件的回波损耗,解决了SOI光电器件回波严重的问题,改善了器件性能.利用上述方法封装的器件回波损耗为55dB,... 详细信息
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化合物半导体太赫兹(THz)发射光谱的研究
化合物半导体太赫兹(THz)发射光谱的研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 赵国忠 张振伟 崔伟丽 张存林 首都师范大学物理系(北京)
本文利用反射式太赫兹(THz)辐射产生与探测系统,研究了基于不同半导体的太赫兹(THz)发射光谱.通过快速傅立叶变换(THz),我们由测得的THz时域光谱得到了其相应的频域光谱,从而对不同半导体的THz发射性质进行了比较.结果表明,未掺杂的砷化... 详细信息
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1300nm P型GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜的优化
1300nm P型GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜的优化
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 倪海桥 牛智川 张石勇 徐应强 韩勤 吴荣汉 中科院半导体所超晶格实验室
本文通过仿真优化了中心波长在1300nm的P型GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜.通过优化结构和掺杂,大大降低了P型的GaAs/AlGaAs的电阻值,为生长出高质量的能减小发热的DBR器件摸索出了条件.
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