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  • 5 篇 成步文
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MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张源涛 朱慧超 崔勇国 刘大力 杨树人 杜国同 吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子国家重点实验室(吉林省长春市)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长MgZnO合金薄膜.c轴取向的MgZnO薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角... 详细信息
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依靠PL谱确定影响RTD性能的势垒临界尺寸
依靠PL谱确定影响RTD性能的势垒临界尺寸
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张晓昕 岳维松 王小光 曾一平 王保强 朱占平 中科院半导体所新材料部(北京) 北京工业大学计算机学院模式识别与图象处理实验室 中科院上海技物所物理室(上海)
在共振隧穿结构(RTS)的PL测试中,随着势垒厚度的减小,阱内发光变化不大,而阱外发光急剧减小,通过比较RTD结构PL谱中阱内外的积分发光强度,我们找到了可以让RTD单管在I-V曲线中出现负阻的势垒临界尺寸.在临界尺寸以下,载流子的输运中隧... 详细信息
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太赫兹辐射在半导体异质结的吸收研究
太赫兹辐射在半导体异质结的吸收研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室(上海)
通过考虑多光子过程和导带—价带间碰撞离化效应,研究了强THz场辐照下异质结的自由载流子吸收率.在计算中,我们考虑了电子—声学声子散射、电子—极化光学声子散射和分别来自远程杂质和本底杂质的弹性散射.计算结果表明,越强的或频率越... 详细信息
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不同晶面6H-SiC MOSFET雪崩击穿的热效应分析
不同晶面6H-SiC MOSFET雪崩击穿的热效应分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘莉 杨银堂 柴常春 西安电子科技大学微电子所(西安)
本文主要分析了温度和热效应在6H-SiC MOS器件不同晶面上对其击穿特性的影响.当考虑到器件内部热流的影响时,迁移率因具有负温度系数所以漏极饱和电流将会减小,同时内部温度升高则导致器件雪崩击穿的延缓发生.材料自身强烈的各项异性使... 详细信息
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二维光子晶体激光器的FDTD仿真
二维光子晶体激光器的FDTD仿真
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孙增辉 陈弘达 张晓帆 许兴胜 裴为华 周毅 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)
二维光子晶体结构在平面内可以形成光子禁带,改变光子晶体结构的完整,可以在禁带内引入缺陷态,从而形成谐振模式.本文主要利用时域有限差分法(FDTD)计算了二维光子晶体的带隙结构,仿真了二维光子晶体激光器的微腔对谐振模的选择.
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6H-SiC MOSFET沟道热载流子对器件栅特性的影响
6H-SiC MOSFET沟道热载流子对器件栅特性的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘莉 杨银堂 西安电子科技大学微电子所(西安)
制约碳化硅MOS器件特性的主要因素是SiO/SiO的界面特性和栅氧化层的质量,本文主要对6H-SiC MOSFET器件沟道热载流子的产生和其对栅氧化层的注入过程作了较为深入的分析.界面陷阱的存在和薄栅氧化层中电子能量分布较宽使得陷落的电子与... 详细信息
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n型4H-SiC MOS电容的特性研究
n型4H-SiC MOS电容的特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 宁瑾 刘忠立 高见头 中科院半导体研究所微电子中心(北京)
本文在n型4H-SiC外延层上,采用H、O合成的办法,热生长300A的SiO层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H、O合成热生长的Si... 详细信息
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微腔调制常温Ge量子点光荧光特性研究
微腔调制常温Ge量子点光荧光特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李传波 毛容伟 左玉华 成步文 余金中 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文报道了微腔对Ge量子点常温光荧光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光荧光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光荧光才能透出腔体并被探测器搜集.模... 详细信息
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V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE氮化铟表面形貌的影响
V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE氮化铟表面形貌的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 肖红领 王晓亮 韩勤 王军喜 张南红 徐应强 刘宏新 曾一平 李晋闽 吴荣汉 中国科学院半导体所(北京)
由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE生长氮化铟外延膜表面... 详细信息
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30Gbit/s并行光发射模块制作过程中的光耦合及封装
30Gbit/s并行光发射模块制作过程中的光耦合及封装
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 裴为华 唐君 申荣铉 陈弘达 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)
本文介绍了并行光发射模块制作过程中,垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵与列阵光纤的对准及固定方法.对斜面光纤折弯耦合和垂直耦合两种方法都进行了尝试,平均耦合效率都可达70﹪以上.比较了两种耦合方式的利弊.针对列阵光纤耦合的特点,... 详细信息
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