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利用Molly语言实现MBE系统的复杂控制
利用Molly语言实现MBE系统的复杂控制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孙永伟 徐云 倪海桥 侯识华 宋国峰 陈良惠 中国科学院半导体研究所(北京)
Molly语言是由Veeco开发,可以实现对其MBE系统的复杂控制.本文论述了臬Molly语言实现对Gen-Ⅱ MBE系统的复杂控制,并举例说明了如何让系统自动记录系统的状态,以及如何实现在特定的真空度下对进样室中的衬底预除气.
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去除半导体工艺用水中的硼
去除半导体工艺用水中的硼
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 闻瑞梅 邓守权 郭伟伟 上海同济大学
本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硼条件.EDI进水硼浓度为50ìg/L,最佳出水中硼含量为<1ìg/L... 详细信息
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(100)硅深孔腐蚀与低温掩膜层的选择
(100)硅深孔腐蚀与低温掩膜层的选择
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 罗丽萍 李传波 赵雷 时文华 成步文 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文对EPW腐蚀液中低温掩膜层材料的选择进行了讨论.结果表明,PECVD生长的二氧化硅的可以作为深孔腐蚀的掩膜层,但是侧向腐蚀严重,与铬金组合成双重掩膜层可以解决该问题,掩蔽特性良好.
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用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导
用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 许铭真 谭长华 何燕冬 段小蓉 北京大学微电子研究院
本文研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从Arrhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.
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带有隔热槽的低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器
带有隔热槽的低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 贺月娇 方青 辛红丽 陈鹏 李芳 刘育梁 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心(北京)
制作了带有U形隔热槽的马赫-曾德干涉型SOI热光可变光学衰减器,在1510—1610nm波长范围内动态调节范围可达到0-29dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响,最大功率消耗降低了230mW.
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InP基HEMT的自洽计算模型
InP基HEMT的自洽计算模型
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李东临 曾一平 王军喜 王晓亮 中国科学院半导体所材料中心(北京)
利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和poisson方程的自洽求解,得到器件中2DEG密度、势阱中电子子能级以及每一子带中的电子浓度.并可计算出最佳器件参数.所得结果对器件的设计和参数设定... 详细信息
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快速热退火对MBE生长的InGaNAs材料结构的影响
快速热退火对MBE生长的InGaNAs材料结构的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张石勇 徐应强 任正伟 牛智川 吴荣汉 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京)
本文从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移.
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AlN基板上无源器件的制作与建模
AlN基板上无源器件的制作与建模
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈晓娟 刘新宇 和致经 刘键 邵刚 中国科学院微电子研究所(北京)
无源器件是MMIC电路中必不可缺的部分,本文研究了AlN基板上几种关键无源器件的制作工艺.电阻的方阻为16.85Ω/□,在微波测试中表现出良好特性,电容的漏电流在40V下只有pA量级,击穿电压>40V,电容可靠性高,介质层致密.采用HP 8510c网... 详细信息
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1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL研究
1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 沈坤 岳爱文 王任凡 武汉电信器件公司芯片部
本文通过对1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL结构优化,采用直接接触结构研制出了特性得到改善的1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL.激光器室温下的阈值电流为2mA,斜效率为0.12mW/mA,激光波长为1285.5nm,边模抑制比为34dB,峰值单模光功率为0.65mW,激光... 详细信息
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火焰水解法制备的GeO<,2>-SiO<,2>薄膜中的光敏特性研究
火焰水解法制备的GeO<,2>-SiO<,2>薄膜中的光敏特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 吴远大 夏君磊 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 张玉书 中国科学院半导体研究所光电研发中心(北京)
采用FHD法在Si片上淀积GeO-SiO薄膜,经过高压掺氢处理以后,用KrF准分子激光脉冲进行辐照,研究其光敏特性.利用可变角椭偏仪(VASE)分析了光照前后薄膜的折射率和吸收损耗变化情况.
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