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用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导
用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 许铭真 谭长华 何燕冬 段小蓉 北京大学微电子研究院
本文研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从Arrhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.
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1300nm P型GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜的优化
1300nm P型GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜的优化
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 倪海桥 牛智川 张石勇 徐应强 韩勤 吴荣汉 中科院半导体所超晶格实验室
本文通过仿真优化了中心波长在1300nm的P型GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜.通过优化结构和掺杂,大大降低了P型的GaAs/AlGaAs的电阻值,为生长出高质量的能减小发热的DBR器件摸索出了条件.
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利用Molly语言实现MBE系统的复杂控制
利用Molly语言实现MBE系统的复杂控制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孙永伟 徐云 倪海桥 侯识华 宋国峰 陈良惠 中国科学院半导体研究所(北京)
Molly语言是由Veeco开发,可以实现对其MBE系统的复杂控制.本文论述了臬Molly语言实现对Gen-Ⅱ MBE系统的复杂控制,并举例说明了如何让系统自动记录系统的状态,以及如何实现在特定的真空度下对进样室中的衬底预除气.
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(100)硅深孔腐蚀与低温掩膜层的选择
(100)硅深孔腐蚀与低温掩膜层的选择
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 罗丽萍 李传波 赵雷 时文华 成步文 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文对EPW腐蚀液中低温掩膜层材料的选择进行了讨论.结果表明,PECVD生长的二氧化硅的可以作为深孔腐蚀的掩膜层,但是侧向腐蚀严重,与铬金组合成双重掩膜层可以解决该问题,掩蔽特性良好.
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n型4H-SiC欧姆接触特性研究
n型4H-SiC欧姆接触特性研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈刚 南京电子器件研究所
本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件的实现奠定基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测量NiCr/4H—SiC的最... 详细信息
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MBE等效法生长Al<,0.98>Ga<,0.02>As湿氮氧化特性
MBE等效法生长Al<,0.98>Ga<,0.02>As湿氮氧化特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 佟存柱 韩勤 杜云 徐应强 牛智川 吴荣汉 中国科学院半导体研究所(北京)
本文研究了超晶格等效法生长的AlGaAs薄层氧化特性,发现该类氧化层具有明显的各向异性,氧化孔呈椭圆形,氧化速率与氧化时间关系受到腐蚀圆台直径影响,详细研究了氧化各向异性与时间、氧化圆台直径等因素的关系,并用理论模型分析了此种... 详细信息
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2维荷电粒子Wigner晶格的杂质效应
2维荷电粒子Wigner晶格的杂质效应
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张振中 常凯 中科院半导体所超晶格国家重点实验室(北京)
采用Metropolis Monte Carlo(MC)方法研究了,不同杂质电荷以及高度对2维Wigner晶格的影响.该系统由有限个在抛物限制势场中带电粒子所组成,我们发现对不同粒子数系统,杂质效应会引致的两种不同类型的相变.其中具有幻数的系统具有很强的... 详细信息
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AlGaN/GaN异质结构器件极化效应的模拟
AlGaN/GaN异质结构器件极化效应的模拟
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李娜 杨辉 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.通过在异质结界面插入a掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结构,模拟结果与文献报道的实验和计算... 详细信息
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带有隔热槽的低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器
带有隔热槽的低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 贺月娇 方青 辛红丽 陈鹏 李芳 刘育梁 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心(北京)
制作了带有U形隔热槽的马赫-曾德干涉型SOI热光可变光学衰减器,在1510—1610nm波长范围内动态调节范围可达到0-29dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响,最大功率消耗降低了230mW.
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InP基HEMT的自洽计算模型
InP基HEMT的自洽计算模型
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李东临 曾一平 王军喜 王晓亮 中国科学院半导体所材料中心(北京)
利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和poisson方程的自洽求解,得到器件中2DEG密度、势阱中电子子能级以及每一子带中的电子浓度.并可计算出最佳器件参数.所得结果对器件的设计和参数设定... 详细信息
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