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半导体器件参数比例差值谱分析系统
半导体器件参数比例差值谱分析系统
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 谭长华 许铭真 杨斌 马金源 北京大学微电子研究院
该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性-比例差值特性.提供的统一用户接口便于用户实现监测、快速数据采集和分析一体化.该系统适用于薄膜材料缺陷分析和多类半导体器件如二极管、三极管、... 详细信息
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铟量子点单电子晶体管
铟量子点单电子晶体管
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郭荣辉 赵正平 刘玉贵 武一斌 吕苗 西安电子科技大学微电子所(西安) 河北半导体研究所(石家庄)
本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显... 详细信息
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SOI波导弯曲损耗影响因素的分析
SOI波导弯曲损耗影响因素的分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 陈媛媛 余金中 严清峰 陈少武 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)
采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析.通过模拟发现弯曲损耗随弯曲半径的增大、波导宽度的增加及内外脊高比的减小而减小.同时,... 详细信息
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微晶硅薄膜的微结构及光电特性
微晶硅薄膜的微结构及光电特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郝会颖 孔光临 廖显伯 刁宏伟 曾湘波 许颖 中科院半导体研究所表面物理实验室 中国地质大学(北京) 中科院半导体研究所表面物理实验室
利用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)设备通过改变反应气体,H/SiH中的氢稀释比制备出一系列硅薄膜.薄膜的微区喇曼散射谱表明随着氢稀释比的增大薄膜由非晶向微晶过渡.通过测量薄膜的带隙、激活能、光敏性、及载流子的迁移... 详细信息
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InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李献杰 蔡道民 赵永林 王全树 周州 曾庆明 中国电子科技集团公司第13研究所(石家庄)
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.
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光网络中关键性光子集成器件的研究进展
光网络中关键性光子集成器件的研究进展
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)
本文从高速率大容量光纤网络体系基本功能构架(即信息的超大容量传输,灵活的上下载路分插复用,快速的交换共享和高效经济的路由选择)的需求出发,指出光子集成是实现上述功能构架的关键硬件,包括高速响应的集成激光源、波导光栅阵列密集... 详细信息
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螺旋线径向挤压变形对其慢波结构冷测特性的影响
螺旋线径向挤压变形对其慢波结构冷测特性的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李实 刘韦 苏小保 阴和俊 中科院电子所微波器件中心(北京)
本文介绍了用MAFIA软件的准周期边界条件计算螺旋线行波管慢波结构的色散和耦合阻抗的方法和用ANSYS软件对螺旋线径向挤压变形建模的方法,并对螺旋线受挤压径向变形对其冷测特性的影响进行了详细的分析.分析结果表明,螺旋线螺旋线径向... 详细信息
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低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响
低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 邓加军 赵建华 蒋春萍 牛智川 杨富华 郑厚植 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京)
利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜,双晶X-射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7﹪.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,M... 详细信息
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3英寸VB半绝缘砷化镓单晶的研制
3英寸VB半绝缘砷化镓单晶的研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 兰天平 王建利 丰梅霞 常玉璟 牛沈军 中国电子科技集团公司第四十六研究所(天津市)
本文简要介绍了在自制的VB单晶炉上研制3英寸半绝缘砷化镓单晶情况.使用石英-PNB晶体生长系统,通过我们的工艺研究,生长出了半绝缘性能及热稳定性好的非掺半绝缘砷化镓单晶,而且位错密度至少要比LEC工艺低一个量级.
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半导体纳米粒子Bi<,2>S<,3>和NiS的非线性吸收特性
半导体纳米粒子Bi<,2>S<,3>和NiS的非线性吸收特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 掌蕴东 朱俊杰 张云军 袁萍 孙旭涛 哈尔滨工业大学光电子技术研究所 可调谐气体激光国家重点实验室 南京大学化学与化工学院 配位化学国家重点实验室
测量了两种纳米粒子BiS和NiS的光限幅特性和非线性光学响应,测量了非线性吸收特性,数值模拟计算了它们的非线性吸收系数分别为BiS非线性吸收系数β≈9cm/GW,NiS非线性吸收系数β≈8cm/GW.
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