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集成铁电存储器的研究
集成铁电存储器的研究
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第二届全国压电和声波理论及器件技术研讨会
作者： 蔡道林 李平 翟亚红 阮爱武 陈彦宇 欧阳帆 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
铁电存储器由-于-它的低功耗、低电压、高的读写速度以及高保持性而被认为是一种理想的非挥发性存储器。国外已经有了产品,但是国内一直是个还没有集成器件的报道。
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氧化锌压电薄膜的生长与表征
氧化锌压电薄膜的生长与表征
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第二届全国压电和声波理论及器件技术研讨会
作者： 孙宏明 张翊 郭航 厦门大学萨本栋微机电研究中心 361005
本文通过实验研究用磁控溅射技术生长的ZnO压电薄膜，运用XRD和SEM来测试ZnO薄膜的C轴择优取向生长情况和晶粒质量，比较了Si、覆盖在Si基底上的Al薄膜和SixNy薄膜三种材料衬底和退火处理对ZnO薄膜的结晶质量的影响。为了能够与CMOS工... 详细信息
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磁控溅射ZnO压电薄膜的生长与表征
磁控溅射ZnO压电薄膜的生长与表征
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第二届全国压电和声波理论及器件技术研讨会
作者： 孙宏明 张翊 郭航 厦门大学萨本栋微机电研究中心
ZnO薄膜作为半导体材料被广泛应用于光电领域,作为压电薄膜ZnO具备很高的机电耦合系数,因此在MEMS即微机电领域有着广泛的应用。目前,国内对于ZnO薄膜作为光电材料的生长技术与表征都作了大量的研究,但对于ZnO作为压电薄膜的生长技术及... 详细信息
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摩擦力变化式惯性压电驱动器研究
摩擦力变化式惯性压电驱动器研究
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第二届全国压电和声波理论及器件技术研讨会
作者： 曾平 温建明 程光明 李晓韬 吉林大学机械科学与工程学院
本文提出利用接触表面摩擦力和压电材料产生的惯性力的有序变化来形成微位移的原理,研制开发了新型压电惯性驱动器,并通过理论推导、有限元计算、摩擦学分析、振动分析以及实验测试等方法对新型驱动器进行了研究。
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集成式石英谐振器尺寸结构分析及实验
集成式石英谐振器尺寸结构分析及实验
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第二届全国压电和声波理论及器件技术研讨会
作者： 宁永怀 田文杰 北京信息工程学院传感器技术研究中心
利用石英晶振的能限理论和归一化判据对单基集成晶振的电极结构进行了分析,并对不同电极结构的晶振振动特性进行了分析。结果表明理论分析和实验结果一致,并得出了10MHzAT切的单基集成晶振的最佳结构。根据该结构设计的差频式石英谐振... 详细信息
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超细粉体技术的发展现状及其应用
超细粉体技术的发展现状及其应用
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第二届全国压电和声波理论及器件技术研讨会
作者： 杨桂考 李全禄 马晴 周九茹 信辉 陕西省西安市长安南路199号陕西师范大学应用声学研究所 710062
超细粉体科学与技术是随着近代科技的发展而发展起来的一门新兴科学技术，本文介绍超细粉体的分类及其特殊性质。从超细粉体的制备方法、分级和修饰等几个方面来概述我国超细粉体技术的发展现状和取得的成就，并介绍了超细粉体技术在各... 详细信息
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具有初应力的压电圆柱层状结构中的SH波传播
具有初应力的压电圆柱层状结构中的SH波传播
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第二届全国压电和声波理论及器件技术研讨会
作者： 杜建科 金小英 王骥 宁波大学工学院压电器件重点实验室 宁波 315211浙江
基于线性压电弹性理论，通过变换，将耦合波的控制方程简化为贝塞尔方程和拉普拉斯方程。利用位移、剪应力、电势和电位移在压电层与基体的界面上的连续条件，以及压电层表面的自由边界条件和电学开路与短路条件，分析了具有初始应力的... 详细信息
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基于压电石英微天平的Cu2+分子印迹传感器的研制
基于压电石英微天平的Cu2+分子印迹传感器的研制
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第二届全国压电和声波理论及器件技术研讨会
作者： 徐洁 叶芝祥 刘沛 牛秀玲 成都信息工程学院环境工程系
分子印迹技术是近年来发展起来的通过模拟抗体-抗原相互作用制备分子印迹聚合物(Molecular Imprinting Polymers,MIPs)的新技术。MIPs中具有与模板分子的大小、形状和官能团匹配的印迹孔穴,这种刚性的具有特定选择性的孔穴的存在使得MtP... 详细信息
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具有初始应力的无限大弹性板中声表面波分析
具有初始应力的无限大弹性板中声表面波分析
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第二届全国压电和声波理论及器件技术研讨会
作者： 王骥 吴荣兴 杜建科 浙江宁波江北区风华路818号宁波大学工学院压电器件技术实验室315211
本文分析了有初始应力时的声表面波在各向同性半无限大弹性体和无限大弹性板中的传播特性，分别求出了半无限大弹性体和无限大弹性板中Rayleigh波的波速方程。数值计算结果与无初始应力情况下的声表面波的波速进行了比较，发现初应力对... 详细信息
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以氮化铝压电薄膜作为基板的表面声波谐振器
以氮化铝压电薄膜作为基板的表面声波谐振器
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第二届全国压电和声波理论及器件技术研讨会
作者： 吳朗 劉為國 吳孟軍 郭興家 邱明誠 楊明恭 台湾台南县远东科技大学电子系 台湾彰化师范大学机电研究所 台湾台南县远东科技大学电机系 台湾台中县修平技术学院信息管理系
本研究首先以低压化学气相沉积法（LPCVD）在P型硅晶圆上成长厚度约3000（?）的氮化硅（SiN）薄膜,然后以反应性射频磁控溅镀法来溅镀厚度约2μmn的高（002）指向氮化铝（A1N）薄膜,最后在氮化铝薄膜上制作IDT。由测量结果可发现,高（00... 详细信息
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