目的:应用原子力显微镜(atomic force microscopy, AFM)对电磁脉冲辐照后培养下丘脑神经细胞膜前后进行观察,以探讨电磁脉冲对其细胞膜影响的直接证据。材料和方法:对新生的Wistar乳鼠下丘脑神经细胞在6孔板中进行原代培养,在培养14天时...
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目的:应用原子力显微镜(atomic force microscopy, AFM)对电磁脉冲辐照后培养下丘脑神经细胞膜前后进行观察,以探讨电磁脉冲对其细胞膜影响的直接证据。材料和方法:对新生的Wistar乳鼠下丘脑神经细胞在6孔板中进行原代培养,在培养14天时,用高场强EMP模拟源(场强为6×104V/m,脉冲上升时间为20ns,脉宽为30μs,频率0~100MHz)以2.5次/min,辐照2分钟。并于辐照后即刻固定细胞,应用日本岛津(SHIMADZU)公司的SPM-950J3型原子力显微镜对细胞表面进行接触式连续扫描。结果:电磁脉冲辐照后即刻就可引下丘脑神经细胞膜表面大小不一、类圆形和不规则形的穿孔,穿孔可达273.21nm330.10nm×13.57nm。结论:电磁脉冲辐照后可直接导致下丘脑神经元细胞膜的穿孔,且可能是电磁脉冲生物效应的靶部位之一。
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