HAs O是是在CVD和MOCVD技术的过程中产生的一种重要的活性中间体,它能够修饰半导体材料的特性,从而引发人们的广泛关注。然而,HAs O分子是瞬态分子,寿命很短,因此其光谱性质在实验上很难观测,它的很多化学性质和物理特性都是未知的。因...
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HAs O是是在CVD和MOCVD技术的过程中产生的一种重要的活性中间体,它能够修饰半导体材料的特性,从而引发人们的广泛关注。然而,HAs O分子是瞬态分子,寿命很短,因此其光谱性质在实验上很难观测,它的很多化学性质和物理特性都是未知的。因此,HAs O分子的光谱常数、非谐力场和平衡几何结构的理论计算,对于研究该分子的几何结构、光谱及其它性质非常重要。我们应用密度泛函B3LYP方法、B3P86方法、B3PW91方法和二阶微扰理论MP方法,结合
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