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抗辐射电子学的研究现状与面临的任务
抗辐射电子学的研究现状与面临的任务
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
作者： 吴宏志 抗辐射电子学与电磁脉冲专业组委员会
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源区电磁脉冲环境与源区电磁脉冲模拟器
源区电磁脉冲环境与源区电磁脉冲模拟器
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
作者： 周启明 中国工程物理研究院应用电子学研究所(成都)
该文探讨了源区电磁脉冲概念，概述了源区电磁脉冲环境和高空电磁脉冲环境的特点，提出了SRCMP模拟器的主要技术指标。通过对美国SREMP模拟器的调研和分析，提出了中国SREMP模拟器研制设想，并对一些工程和技术问题进行了探讨。
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电子系统的瞬态保护
电子系统的瞬态保护
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
作者： 汪文律 航天九院七七一所(西安)
该文介绍了现代电子系统进行瞬态保护的必要性，瞬态源的种类，特别强调了美国将EMP作为武器使用，并规定军用电子系统必须进行抗EMP加固的状况。文章中还介绍了航天771所研制抗EMP保护器件的情况及达到的水平。
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CMOS电路电离辐射加固设计
CMOS电路电离辐射加固设计
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
作者： 陈桂梅 董岩 东北微电子研究所(沈阳)
该文从电离辐射使CMOS电路失效机理入手，进行CMOS电路的版图加固设计和工艺加固设计，主工对场区和栅氧化进行加固，以提高CMOS电路抗辐射能力，使作者所研制的电路抗辐射能力达到3×10Gy(Si)。
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CMOS电路电离辐射加因设计
CMOS电路电离辐射加因设计
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
作者： 陈桂梅 董岩 东北微电子研究所
该文从电离辐射CMOS使电路失效机理入手，进行CMOS电路的版图加固设计和工艺加固设计，主要对场区和栅氧化进行加固，以提高CMOS电路抗辐射能力，使该所研制的电路抗辐射能力达到3×10Gy(Si)。
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抗辐射加固新材料应用研究
抗辐射加固新材料应用研究
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
作者： 田翠英 周擎 钟华铭 中物院总体工程研究所(成都)
该文结合国内外反导防御系统及抗辐射加固研究的发展概况，对抗辐射加固新材料如：抗硬X射线复合屏蔽材料，抗中子温升效应的材料、抗电磁脉冲复合材料等研究提出了看 法，可为抗辐射加固新材料的研究提供参考。
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加速器“阳”的发生器结构与调试
加速器“阳”的发生器结构与调试
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
作者： 周荣国 顾元朝 中国工程物理研究院应用电子学研究所
介绍了加速器“阳”发生器在线路和结构上的特点，并对发生器主要元件的参数性能和结构伯详细介绍。陈述了发生器调试的方法及实验结果。
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强电磁辐射效应研究中的几个物理问题
强电磁辐射效应研究中的几个物理问题
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
作者： 贺云汉 中物院应用电子学研究所(成都)
针对近几年来强辐射效应，尤其是高功率微波效应和超宽带非核强电磁脉冲效应研究中的几个物理问题，发表了作者的见解。这些问题是：1.高功率微波的热效应;2.热二次击穿不是热效应;3.效应中的功率和能量问题;4.器件效应与分系统效应。
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加速“阳”的发生器结构与调试
加速“阳”的发生器结构与调试
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
作者： 周荣国 顾元朝 中国工程物理研究院应用电子学研究所(成都)
介绍了加速器“阳”发生器在线路和结构上的特点，并对发生器主要元件的参数性能和结构作详细介绍。陈述了发生器调试的方法及实验结果。
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γ与EMP综合辐射与单项辐射对电子元器件损伤效应异同性研究
γ与EMP综合辐射与单项辐射对电子元器件损伤效应异同性研究
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
作者： 赵兴超 周启明 中国工程物理研究院应用电子学研究所(成都)
该文介绍了γ与EMP辐射及γ与IEMP辐射两种试验方法，研究了γ与EMP综合辐射与单项辐射对电子元器件损伤效应的异同性，并给出了初步试验结果。在国内没有γ与EMP综合 辐射源的情况下，用该文介绍的试验方法可以得到较好的结果。
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