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作者

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第十七全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议(第二轮通知)
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发光学报 2012年 第9期33卷 1038-1038页
由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办,河南大学承办的第十七全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议将于2012年10月13日至15日在历史文化名城河南省开封市召开。会议将邀请国内外知名学者就化合物半导... 详细信息
来源: 评论
第十七全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议(第二轮通知)
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发光学报 2012年 第8期33卷 916-916页
由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办,河南大学承办的第十七全国化合物半导体材料微波器件光电器件学术会议将于2012年10月13日至15日在历史文化名城河南省开封市召开。会议将邀请国内外知名学者就化合物半导... 详细信息
来源: 评论
GaN/Si纳米异质结构阵列的制备与光电特性研究
GaN/Si纳米异质结构阵列的制备与光电特性研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: 李新建 郑州大学物理工程学院 材料物理教育部重点实验室 郑州 450052
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ZnO/ZnMgO异质结二维电子气特性及其HEMT器件研究
ZnO/ZnMgO异质结二维电子气特性及其HEMT器件研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: 张景文 西安交通大学电子与信息工程学院 陕西省信息光子技术重点实验室 西安710049
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氮化铝晶体制备技术和光学性能的研究
氮化铝晶体制备技术和光学性能的研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: 郑瑞生 武红磊 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室 深圳 518060
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3英寸InAs单晶生长及衬底制备
3英寸InAs单晶生长及衬底制备
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: 杨俊 段满龙 董志远 刘刚 杨凤云 赵有文 中国科学院半导体研究所 北京 100083
通过改进热场和单晶生长技术,利用液封直拉法(LEC)生长了直径3英寸晶向的InAs单晶。对晶体进行了霍尔测试(Hall)、X射线双晶衍射晶体的完整性分析以及晶体的位错密度(EPD)测量分析。
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SiC单晶半导体材料
SiC单晶半导体材料
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室
以SiC单晶为例介绍了宽禁带半导体材料的独特理性质、材料制备现状及其应用.SiC单晶的研发在光电子技术的应用推动下近期发展迅速,单晶直径已经达到了6英寸,为电子器件的应用奠定了基础,其典型的缺陷--微管得到了有效控制,同时单...
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分子束外延层中橄榄型缺陷的研究
分子束外延层中橄榄型缺陷的研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Yan Liu 刘岩 Diansheng Ren 任殿胜 Wensen liu 刘文森 Beijing TongmeiXtal Technology Co. Ltd. Beijing 101113 China 北京通美晶体技术有限公司 北京 101113
本文主要论述了用分子束外延(MBE)生长的砷化镓层的缺陷的种类,采用表面尘埃测试仪、扫描电子显微镜(SEM)、全色阴极发光(Panchromatic CL images)和空间分辨荧光仪(SPRL)研究缺陷的形貌、几何尺寸和光学性质,进一步分析了产生原因、... 详细信息
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缺陷和原子扩散导致的量子级联激光器的失效
缺陷和原子扩散导致的量子级联激光器的失效
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Yongzheng Hu 胡永正 Quande Zhang 张全德 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of S 中国科学院半导体研究所材料重点实验室 北京912信箱 100083
研究了失效的量子级联激光器前腔面的情况,首先,通过扫描电镜(SEM)很明显的可以看到前腔面不再平整,取而代之的是有很多的裂纹和缺陷凹凸不平。其次用X射线能谱仪(EDS)进行了分析,可以得到量子级联激光器损坏的原因,即有源区损坏... 详细信息
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(NH4)2Sx/NH4SCN溶液钝化InAs(100)表面的研究
(NH4)2Sx/NH4SCN溶液钝化InAs(100)表面的研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: 杨凤云 赵有文 王俊 段满龙 董志远 中国科学院半导体所 北京 100083
为了去除InAs抛光片表面氧化层,同时减缓表面氧化,实现表面钝化,以(NH4)2SX/NH4SCN溶液为主要研究对象,通过对比试验得出了钝化与非钝化样品的区别。利用X射线光电子能谱仪(XPS)和椭偏仪测试了表面钝化情况,结果表明InAs表面氧化... 详细信息
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