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3C-SiC纳米颗粒的电子态和发光特性
3C-SiC纳米颗粒的电子态和发光特性
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 吴兴龙 南京大学物理学院 210093
碳化硅具有优良的物理和化学性质，但是由于间接带隙的特点，其发光效率较低，因此对它发光特性的研究一直较少。对3C-SiC材料，人们相信当它的尺寸小到接近其玻尔半径(约2.7纳米)时，量子限制效应会凸现出来，从而使得发光波长可在紫... 详细信息
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CdS/Si纳米异质结构阵列的光电特性研究
CdS/Si纳米异质结构阵列的光电特性研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Lingling Yan 闫玲玲 Xiaobo Wang 王小波 Yong Li 李勇 Wenchuang Wang 王文闯 Linli Wang 王伶俐 Yantao Li 李彦涛 Xinjiang Li 李新建 School of Physics and electronics Zhengzhou University Zhengzhou 450052 郑州大学物理工程学院郑州 450052 Henan Polytechnic University Jiaozuo 454000 河南理工大学焦作 454000
以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底、用化学水浴沉积法(CBD)制备了具有规则阵列结构特性的CdS/Si-NPA纳米复合体系。结果表明，组成CdS/Si表面阵列的每个柱子均呈现核壳结构。CdS/Si-NPA纳米复合体系在300-800nm波长范围内反射率均小于6... 详细信息
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