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氟化镱掺杂的氧化铟透明导电薄膜
氟化镱掺杂的氧化铟透明导电薄膜
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Shaohang Wu 吴绍航 Jinsong Luo 罗劲松 Xiaoxin Liu 刘晓新 Xingyuan Liu 刘星元 Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics Chinese Academy of Sciences Changchun 1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 长春 130033
利用离子源辅助双源电子束沉积技术，制备了YbF3-In2O3新型透明导电薄膜。该薄膜在可见区具有良好的透射率(平均透射率为86.6％)，其导电性(25Ω／□)可与ITO相比拟，且该导电膜具有高的功函数(5.32eV)和良好的界面特性。用此导电薄膜... 详细信息
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面入射型InGaAs/InP单行载流子(UTC)高频探测器
面入射型InGaAs/InP单行载流子(UTC)高频探测器
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Chong Li 李冲 Chunlai Xue 薛春来 Linzi Zhang 张岭梓 Buwen Cheng 成步文 Qingming Wang 王启明 Institute of Semiconductors Chinese Academy of SciencesBeijing 475004 China 中国科学院半导体研究所 北京100083
本文优化设计了一种高频高饱和输出的单行载流子光电探测器(UTC-PD)。引入线性掺杂吸收区和窄InP崖层从而获得高频高饱和探测器。利用微电子工艺制备器件,并对其暗电流、光响应、接触电阻、低频电容和带宽进行了测试分析。结果显示,直径... 详细信息
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C:Si共掺杂AlN的电子结构分析
C:Si共掺杂AlN的电子结构分析
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Zheng Yan 闫征 Ruisheng Zheng 郑瑞生 Honglei Wu 武红磊 College of Optoelectronic engineering Shenzhen University Shenzhen 518060 China 深圳大学光电子学研究所 深圳 518060
采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,研究了C：Si共掺杂纤锌矿AlN的32原子超胞体系的能带结构、电子态密度等性质,分析了C：Si共掺实现p型掺杂的机理。在AlN的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,C-Si复合物形成,施主... 详细信息
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氧化锌纳米晶的蓝色发光机制
氧化锌纳米晶的蓝色发光机制
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 曾海波 南京航空航天大学
作为典型的第三代半导体，氧化锌具有高达60 meV的激子束缚能，因而在紫外光LED、光探测器、透明导电膜等方面具有重要的应用前景。然而，这些光电性能受到了内禀缺陷、能带工程、p型掺杂等因素的强烈影响。本报告将介绍团队在氧化锌纳... 详细信息
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重P型掺杂GaAsSb费米能级研究
重P型掺杂GaAsSb费米能级研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Hanehao Gao 高汉超 Zhijun Yin 尹志军 Wei Cheng 程伟 Yuan Wang 王元 Xiaojun Xu 许晓军 Zhonghui Li 李忠辉 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratorys Nanjing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016
重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。光荧光作为重要手段广泛用于研究重掺杂Ⅲ-Ⅴ族外延材料。本文通过光荧光方法研究了重掺杂GaAsSb费米能... 详细信息
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超辐射发光二极管的瞬时辐射效应实验研究
超辐射发光二极管的瞬时辐射效应实验研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Jian Jiao 焦健 Manqing Tan 谭满清 Xiaofeng Guo 郭小峰 Wentao GUO 郭文涛 Ningning SUN 孙宁宁 Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China 中国科学院半导体研究所 北京l00083
抗Y射线瞬时辐射能力是考核光电器件可靠性的重要指标之一。在“强光一号”加速器上对少量超辐射发光二极管(SLD)进行了瞬时电离辐射实验,结果显示,在2.0×1011～2.5×101Irad(Si)/s的剂量率范围内,SLD的光输出功率对应通道的... 详细信息
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SiC基稀磁半导体材料的微结构和磁性研究
SiC基稀磁半导体材料的微结构和磁性研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Zhicong Lv 吕志聪 Yu Tian 田宇 Haiwu Zheng 郑海务 Weifeng Zhang 张伟风 School of Physics and electronics Henan University Kaifeng 475004 China 河南大学物理与电子学院 开封 475004
稀磁半导体同时利用电子的电荷与自旋属性，一般是通过过渡金属掺杂半导体而得到。SiC在高能、高频、高温电子器件上有相对成熟的发展以及应用工艺，使其在稀磁半导体材料中具有潜在的应用前景。在本文中，采用溶胶。凝胶碳热还原法、气... 详细信息
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微米级线宽双台面套准精度的研究
微米级线宽双台面套准精度的研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 王雯 陈刚 陈谷然 李理 南京电子器件研究所 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 210016
在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。... 详细信息
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高质量半绝缘GaN生长研究
高质量半绝缘GaN生长研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 许正昱 许福军 黄呈橙 王嘉铭 张霞 沈波 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京100871
AlGaN/GaN异质结构和AlInN/GaN异质结构是发展GaN基高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构。而半绝缘GaN层的电阻和结晶质量对AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质界面二维电子气的浓度和迁移率都有很大的影响，从而影响到HEMT器件... 详细信息
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AlN晶体生长系统的温度场分析
AlN晶体生长系统的温度场分析
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Mengmeng Li 李萌萌 Honglei Wu 武红磊 Ruisheng Zheng 郑瑞生 Institute of Optoelectronics Shenzhen University Shenzhen 518060 China 深圳大学光电子学研究所 深圳 518060
采用有限元法模拟了物理气相传输法(PVT)制备大尺寸AIN晶体的温度场，应用ANSYS软件对比研究了在不同实验条件下生长系统的温度场分布情况。模拟结果表明：最高温度在坩埚上，并位于感应线圈的几何中心处。物料与结晶体之间的距离对温... 详细信息
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