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160 篇 会议
2 篇 期刊文献

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162 篇 电子文献
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154 篇 工学
- 122 篇 材料科学与工程（可...
- 120 篇 电子科学与技术（可...
- 30 篇 光学工程
- 4 篇 仪器科学与技术
- 2 篇 电气工程
- 1 篇 控制科学与工程
- 1 篇 计算机科学与技术...
2 篇 理学
- 2 篇 物理学

主题

30 篇 半导体材料
20 篇 性能评价
19 篇 化合物半导体
16 篇 异质结构
15 篇 高电子迁移率晶体...
13 篇 制备工艺
9 篇 半导体薄膜
8 篇 二维电子气
6 篇 金属有机化学气相...
6 篇 太阳能电池
5 篇 性能表征
5 篇 氮化镓半导体
4 篇 单晶衬底
4 篇 光电器件
4 篇 电学特性
4 篇 硅衬底
4 篇 异质结材料
4 篇 晶格匹配
4 篇 碳化硅衬底
4 篇 半导体器件

机构

29 篇 中国科学院半导体...
13 篇 西安交通大学
12 篇 西安电子科技大学
10 篇 中国科学院半导体...
10 篇 key laboratory o...
9 篇 institute of sem...
8 篇 北京大学
8 篇 中国科学院半导体...
7 篇 河南大学
7 篇 中国科学院半导体...
6 篇 深圳大学
5 篇 大连理工大学
5 篇 东南大学
5 篇 山东大学
5 篇 key lab of semic...
5 篇 微波毫米波单片集...
4 篇 中国科学院半导体...
4 篇 清华大学
4 篇 郑州大学
4 篇 西安理工大学

作者

23 篇 王占国
20 篇 zhanguo wang
13 篇 hong chen
12 篇 王晓亮
12 篇 xun hou
12 篇 侯洵
12 篇 cuimei wang
12 篇 xiaoliang wang
12 篇 肖红领
12 篇 王翠梅
12 篇 hongling xiao
11 篇 冯春
11 篇 chun feng
11 篇 姜丽娟
11 篇 曾一平
11 篇 lijuan jiang
10 篇 陈竑
10 篇 殷海波
9 篇 haibo yin
8 篇 yiping zeng

语言

162 篇 中文

检索条件"任意字段=第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议"

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AlN/GaN HEMT毫米波特性研究

AlN/GaN HEMT毫米波特性研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Peng Xu 徐鹏 Shaobo Dun 敦少博 Yuanjie Lu 吕元杰 Guodong Gu 顾国栋 Yulong Fang 房玉龙 Zhihong Feng 冯志红 Science and Technology on ASIC Laboratory Hebei Semiconductor Research Institute Shijiazhuang 050 专用集成电路国家级重点实验室石家庄 050051

本文测试了SiC衬底,0.2μm栅长的AlN/GaN HEMT器件的小信号S参数。对比不同栅宽器件的频率特性,发现fmax随器件栅宽的增加而下降,且下降趋势与栅宽的-0.5次幂相关。提取不同栅宽器件的本征参数,发现栅宽增加,本征电容上升,输出电阻Rds下... 详细信息

本文测试了SiC衬底,0.2μm栅长的AlN/GaN HEMT器件的小信号S参数。对比不同栅宽器件的频率特性,发现fmax随器件栅宽的增加而下降,且下降趋势与栅宽的-0.5次幂相关。提取不同栅宽器件的本征参数,发现栅宽增加,本征电容上升,输出电阻Rds下降,这两个因素导致了器件的fmax下降。分析了fmax随栅宽变化的规律,为今后毫米波GaN MMIC中GaN HEMT器件的栅宽设计提供了实验数据支持和理论指导。

关键词：场效应器件高电子迁移率晶体管毫米波特性栅宽设计

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低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究

低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Yun Li 李赟 Zhijun Yin 尹志军 Zhiming Zhu 朱志明 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanfing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

本文利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子... 详细信息

本文利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30分钟之后,石墨烯层数并无明显变化。进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层。

关键词：石墨烯薄膜碳化硅衬底制备工艺性能评价低真空条件

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Si衬底上AlGaN/GaN功率开关器件的研究

Si衬底上AlGaN/GaN功率开关器件的研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：刘扬中山大学理工学院中山大学电力电子及控制技术研究所广州510275

中山大学针对GaN功率开关器件的关键技术问题从事了以下几方面的初步工作。首先，在2英寸Si(111)衬底上制备了高质量的AlGaN/GaN异质结构材料：并对Si衬底上GaN材料在高电场下的漏电行为进行了分析;同时在Si衬底上GaN外延的基础上，采... 详细信息

中山大学针对GaN功率开关器件的关键技术问题从事了以下几方面的初步工作。首先，在2英寸Si(111)衬底上制备了高质量的AlGaN/GaN异质结构材料：并对Si衬底上GaN材料在高电场下的漏电行为进行了分析;同时在Si衬底上GaN外延的基础上，采用选择区域外延技术制备了常关型AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFET)：针对马达驱动电路等应用中的功率开管单元需要具有反向续流功能的需求，首次提出了具备反向导通功能的RC-AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管;最后，在2英寸Si衬底上完成了AlGaN/GaN异质结构功率开关场效应晶体管器件(TO-220的封装)制备，最大输出电流可以达到近20安培。

关键词：功率开关器件硅衬底异质结构制备工艺漏电行为选择区域外延

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石墨烯基半导体光电探测器研究进展

石墨烯基半导体光电探测器研究进展

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Weihong Yin 尹伟红 Qin Han 韩勤 Xiaohong Yang 杨晓红 State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083

石墨烯具有高载流子迁移率，零带隙和高热导率以及常温下可观测的量子霍尔效应等优良特性，由于其独特的光吸收机制，对于制备高速，宽带的半导体光电器件有着很大的吸引力。随着光纤通信向着全光网络发展，探测器作为光纤通信的重要组... 详细信息

石墨烯具有高载流子迁移率，零带隙和高热导率以及常温下可观测的量子霍尔效应等优良特性，由于其独特的光吸收机制，对于制备高速，宽带的半导体光电器件有着很大的吸引力。随着光纤通信向着全光网络发展，探测器作为光纤通信的重要组件，面临着高速，高探测效率，低损耗等要求，石墨烯在这方面的应用研究相继展开，并被认为是最具潜力的方向之一。科学家预言，石墨烯探测器的潜在速率可以达到500GHz以上，目前，国际上已经制备出最高21mA/W探测效率的探测器，进一步提高石墨烯探测器的光吸收率和优化其器件结构，最终提高其速率与探测效率是最终目的与重要研究方向。

关键词：光电探测器石墨烯半导体材料制备技术性能评价

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高电子迁移率InN的分子束外延生长及其掺杂研究

高电子迁移率InN的分子束外延生长及其掺杂研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Xinqiang Wang 王新强 Shitao Liu 刘世韬 Xiantong Zheng 郑显通 Guang Chen 陈广 Dingyu Ma 马定宇 Bo Shen 沈波 School of Physics State Key Laboratory of artificial Microstructure & Mesoscopic Physics 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

本文深入分析了高电子迁移率InN的外延生长,采用边界温度外延的方法实现了高迁移率lnN薄膜,室温下电子迁移率超过3000 cm2/Vs,InN的背景电子浓度低至1.4×1017 cm-3。分析了杂质和缺陷对InN电子迁移率和背景电子浓度的影响,确定了... 详细信息

本文深入分析了高电子迁移率InN的外延生长,采用边界温度外延的方法实现了高迁移率lnN薄膜,室温下电子迁移率超过3000 cm2/Vs,InN的背景电子浓度低至1.4×1017 cm-3。分析了杂质和缺陷对InN电子迁移率和背景电子浓度的影响,确定了降低背景电子浓度的有效途径。研究了InN的p型掺杂,利用多种方法证明了InN的p型电导。

关键词：氮化铟半导体分子束外延生长 p型掺杂电子迁移率

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晶界(Grain Boundary)对N极性InN薄膜输运性质的影响

晶界(Grain Boundary)对N极性InN薄膜输运性质的影响

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Yuewei Zhang 张跃伟 School of Physics Peking University.Beijing 100871 China 北京大学物理学院北京 100871

笔者研究了不同极性的n型InN薄膜的输运性质。经常在N极性InN薄膜中出现的晶界(GB)被证实会增强载流子的散射,进而削弱电子的迁移率。在晶界两侧会形成势垒,阻挡部分载流子的漂移运动,导致在GB两侧有较多的电子积累。但是,In极性薄膜表... 详细信息

笔者研究了不同极性的n型InN薄膜的输运性质。经常在N极性InN薄膜中出现的晶界(GB)被证实会增强载流子的散射,进而削弱电子的迁移率。在晶界两侧会形成势垒,阻挡部分载流子的漂移运动,导致在GB两侧有较多的电子积累。但是,In极性薄膜表面总是可以看到单层原子的台阶状分布,相对于N极性样品,表面更加光滑平整,并不会出现晶粒状表面,所以也就没有必要考虑GB对散射的影响。对于两种极性样品载流子浓度和迁移率的拟合结果均与实验数据相符,并且得到了In极性和N极性样品的位错浓度分别为4.5×1010cm-2和9.5×109cm-2,这和样品的XRD谱线估计得到的位错密度相符。拟合得到载流子在室温下在GB中的迁移率约为75cm2/V·s,远小于体迁移率。

关键词：氮化铟材料半导体薄膜晶界输运性质迁移率

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任意掺杂、多形态的碳量子点共聚光功能有机凝胶玻璃研究

任意掺杂、多形态的碳量子点共聚光功能有机凝胶玻璃研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：谢政王富刘春艳中国科学院理化技术研究所中国科学院光化学转换与功能材料重点实验室北京 100190

通过采用一步原位预功能化方法制备了硅烷功能化碳量子点，通过简单的加热、自聚合或者与有机硅烷共聚制备一类高光学功能的碳量子点任意掺杂的凝胶玻璃宏观体(包括玻璃、块体、薄膜、涂层、纤维、粉末等)，可实现碳点在凝胶玻璃基质中... 详细信息

通过采用一步原位预功能化方法制备了硅烷功能化碳量子点，通过简单的加热、自聚合或者与有机硅烷共聚制备一类高光学功能的碳量子点任意掺杂的凝胶玻璃宏观体(包括玻璃、块体、薄膜、涂层、纤维、粉末等)，可实现碳点在凝胶玻璃基质中的化学复合、共价键连接、0-100％任意浓度掺杂和分子水平分散，没有任何团聚和相分离产生，并且通过掺杂浓度的变化可实现多种性能的方便调控，并可以继续掺杂其他功能客体。这种凝胶玻璃宏观体具有优秀的光致发光(荧光量子效率达16-88％)、双光子吸收和上转换发光性能，在可见。近红外区域具有高透光率、宽波段光限幅性能，具有优良光、热和力学稳定性。

关键词：碳点有机凝胶玻璃光致发光上转换发光光限幅

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Ⅲ族氮化物基稀磁半导体薄膜材料的研究

Ⅲ族氮化物基稀磁半导体薄膜材料的研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：刘超尹春海陶东言李建明徐嘉东曾一平中国科学院半导体研究所北京 100083

Ⅲ族氮化物基稀磁半导体是近年来在自旋电子学研究领域中受到广泛关注的研究热点和最有希望获得室温以上铁磁性的稀磁半导体材料之一。本文介绍了近两年来采用双能态离子注入法或两种元素共注入法在MOCVD外延生长的GaN、AlGaN、AlN和In... 详细信息

Ⅲ族氮化物基稀磁半导体是近年来在自旋电子学研究领域中受到广泛关注的研究热点和最有希望获得室温以上铁磁性的稀磁半导体材料之一。本文介绍了近两年来采用双能态离子注入法或两种元素共注入法在MOCVD外延生长的GaN、AlGaN、AlN和InGaN薄膜上制备Ⅲ族氮化物基稀磁半导体薄膜样品的结果。利用X射线衍射，拉曼散射光谱、Hall测试和超导量子干涉磁强计等测试手段对上述样品的微结构、电性能和磁性能进行了表征分析。结果显示稀土元素离子注入法制备的Ⅲ族氮化物基薄膜样品呈现出了复杂多样性的磁性能，特别是首次发现了注入Tb、Er样品中呈现的亚稳态铁磁性现象，并对上述样品的铁磁性起源机理进行了简要分析，指出了进一步开展稀磁半导体材料研究的方向。

关键词：氮化物薄膜稀磁半导体室温铁磁性离子注入

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快速退火法制备β-FeSi2薄膜的研究

快速退火法制备β-FeSi2薄膜的研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Rudai Quan 全汝岱 Xin He 贺欣 Hongbin Pu 蒲红斌陈治明 Department of Electronic Engineering Xi'an university of technology Xi'an 710048 China 西安理工大学自动化学院电子工程系陕西西安 710048

在单晶硅Si(100)衬底上,采用直流磁控溅射FeSi合金靶,并通过后续的快速退火(RTA)的方法制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度以及溅射过程中的衬底温度对薄膜相变的影响。采用X射线衍射(xRD)对制备的样品进行了表征,表明在900℃下采用... 详细信息

在单晶硅Si(100)衬底上,采用直流磁控溅射FeSi合金靶,并通过后续的快速退火(RTA)的方法制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度以及溅射过程中的衬底温度对薄膜相变的影响。采用X射线衍射(xRD)对制备的样品进行了表征,表明在900℃下采用快速退火5分钟,样品薄膜完全转化为B-FeSi2相。用近红外分光光度计对900℃下制备的样品的透过率进行了测定,采用外推法得到薄膜的光学带隙约为0.88eV,进一步验证了得到的薄膜为β-FeSi2薄膜。

关键词：半导体薄膜制备工艺快速退火法性能表征

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低噪声InGaAs/InP雪崩光电二极管及暗电流分析

低噪声InGaAs/InP雪崩光电二极管及暗电流分析

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Bin Li 李彬 Qin Han 韩勤 Xiaohong Yang 杨晓红 Shaoqing Liu 刘少卿 Weihong Yin 尹伟红 Chenglei Nie 聂诚磊 China State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Acade 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京 100083

本文报道了一种平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。器件设计倍增层厚度低于300nm,通过刻蚀圆坑与单浮动扩散保护环相结合的方法抑制边缘击穿,器件制备过程只需要一步外延生长和一步扩散,降低了... 详细信息

本文报道了一种平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。器件设计倍增层厚度低于300nm,通过刻蚀圆坑与单浮动扩散保护环相结合的方法抑制边缘击穿,器件制备过程只需要一步外延生长和一步扩散,降低了器件的制备难度。对于30微米直径的器件,其暗电流在穿通电压处可低至0.032nA,在90％击穿电压下暗电流仅0.16nA。未生长抗反膜的器件在1.55微米处增益为l时的光响应度可达0.65A/W。

关键词：雪崩光电探测器光电二极管器件制备暗电流分析

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